【課題】従来よりも容易に反射光を低減することができる半導体光素子及び半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、結晶層により構成される光導波路部１６を含む。光導波路部１６には、先細の先端部１６ａが形成されている。光導波路部１６の先端部１６ａに、結晶層の結晶面方位に沿った方向とは異なる方向に沿った、光が出射される端面１６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。
【解決手段】基板としてＧａＡｓよりも格子定数の大きなＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ（０．０３≦ｘ≦０．１０）３元基板を使用し、前記基板上にＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層を形成し、前記Ｉｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層上に基板よりも格子定数の大きなＩｎ_yＧａ_1-yＡｓ（０．１０＜ｙ≦０．２０）層を形成し、さらに前記Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層上に歪量子井戸構造を形成する。なお、Ｉｎ_yＧａ_1-yＡｓ層は、例えば、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから格子定数が徐々に大きくなるようにＩｎ_zＧａ_1-zＰバッファー層の組成を変化させていく。 （もっと読む）

【課題】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子の高性能化、高信頼化を図る。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造を有する半導体レーザ素子は、メサ構造の両側をＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２で埋め込み、続いてＩｎＧａＰからＩｎＰへ組成が傾斜するＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３で埋め込んだ後、ＲｕドープＩｎＰ層３０４で埋め込むことによって作製される。ＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４との間にＲｕドープＩｎＧａＰ組成傾斜層３０３を設けることにより、格子整合しないＲｕドープＩｎＧａＰワイドギャップ層３０２とＲｕドープＩｎＰ層３０４とを、結晶性が良好な埋め込み層とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの信頼性及び電流注入効率を向上する。
【解決手段】面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。上部半導体積層は、１×１０¹⁹cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。積層方向において電流狭窄部に隣接する領域の水素濃度が、電流狭窄部の水素濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。
【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を使って、発光効率が高く、スペクトル線幅の狭い青色乃至紫色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは下側クラッド層と、前記下側クラッド層上に形成された窒化物半導体よりなる発光層と、前記発光層上に形成された上側クラッド層と、前記下側クラッド層に接触した下側オーミック電極と、前記上側クラッド層に接触し、光学窓を形成された上側オーミック電極と、を含み、前記下側クラッド層と前記発光層と前記上側クラッド層とは、マイクロキャビティを形成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１３上に有機金属気相成長法で形成され、該ＩｎＰ基板１３の格子定数に対して２％以上大きい格子定数を有する量子井戸層１０を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層１０は、成長温度が４４０℃以上５１０℃以下、かつ、成長速度が１．５μｍ／時以上で形成した。 （もっと読む）

【課題】所望の格子定数をもった高品質な光半導体素子を得る。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＩｎＧａＰバッファー層３を導入して擬似的に３元基板を作製し、該擬似３元基板上に成長温度５５０℃で成長したｎ−ＩｎＧａＡｓ層４、成長温度６８０℃で成長したｎ−ＩｎＧａＡｓ層５、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸層６を形成した。 （もっと読む）

【課題】 単一横モード動作可能で、かつ素子抵抗の上昇を抑制することができる光半導体素子を提供する。
【解決手段】 第１導電型の半導体材料からなる下部クラッド層の上に、ｐ型の量子ドット構造を持つ活性層が配置されている。活性層の上に上部クラッド層が配置されている。上部クラッド層は、半導体材料で形成され、リッジ部と被覆部とを含む。リッジ部は活性層の表面に沿って一方向に延在し、被覆部はリッジ部の両側の、活性層の表面を覆う。リッジ部の両側に、被覆部の上面から、少なくとも被覆部の下面まで達する容量低減領域が配置されている。容量低減領域は、第１導電型であるか、またはリッジ部よりも高い抵抗率を示し、リッジ部は、第１導電型とは反対の第２導電型である。下部クラッド層がｎ型である場合には、容量低減領域は、少なくとも下部クラッド層の上面まで達する。 （もっと読む）

【課題】分離領域で発生するフォトキャリアの長手軸方向分布が光変調器領域に印加される逆方向バイアス電圧に応じて変化することで生じる前述した波長チャーピングの問題が、別途回路素子部品を新たに用いるなどの特別に煩雑なプロセスを伴うことなく効果的に改善され、光変調器集積光源の伝送特性が改善されるようにする。
【解決手段】分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスが容易さと優れたレーザ特性及び高信頼性のすべてを兼ね備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】GaInNAs量子井戸層4を活性層とするリッジ型レーザにおいてメサストライプ６の脇の10の領域にAlをイオン注入する。アニール後にAlとNが強く結合するために電気伝導率が低下し、さらにガイド層3,5と量子井戸層4との混晶効果によりバンドギャップが増大し、電流ブロック層となる。
これにより、リッジ型レーザとほぼ同様の作製工程でしきい電流が小さく信頼性に優れる構造の半導体レーザを提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体基板又はその上に形成された窒化物半導体層のIII 族面に対するウェットエッチングを安定して行なう。
【解決手段】 窒化物半導体素子の製造方法は、窒化物半導体基板１０１又は窒化物半導体基板１０１とその上に形成された窒化物半導体層（例えばｎ−Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ電流狭窄層１０８等）との積層体からなる窒化物半導体部に対し、薬液を用いてウェットエッチングを行なう工程（ａ）を備え、窒化物半導体部は、III 族面と、それとは異なる他の面（例えば、窒化物半導体基板１０１のうち窒化物半導体層が形成されているのとは反対側の面等）とを有し、工程（ａ）において、薬液と他の面との接触を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を利用して横方向への電流拡散を容易にした高出力垂直外部共振器面発光レーザー素子、及び該レーザー素子用のレーザーポンピング部を提供する。
【解決手段】レーザーポンピング部４０は、基板４１と、基板４１上に形成された下部の分布ブラッグ反射層４２と、下部の分布ブラッグ反射層４２上に形成されており、所定の波長を有する光を発生させる量子井戸構造の活性層４３と、活性層４３上に形成されており、当該活性層４３の面に対して垂直方向の電気抵抗を増加させるためのトンネル接合層４４と、トンネル接合層４４上に形成された上部の分布ブラッグ反射層４５と、を備える。 （もっと読む）