【課題】半導体装置に用いることのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０ａは、主面と、表示部とを備えている。主面１１は、（０００１）面から［１−１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面、または（０００−１）面から［−１１００］方向に７１°以上７９°以下傾斜した面である。表示部は、（−１０１７）面、（１０−１−７）面、またはこれらの面から［１−１００］方向に−４°以上４°以下傾斜し、かつ［１−１００］方向に直交する方向に−０．５°以上０．５°以下傾斜した面を示す。 （もっと読む）

極性及び非極性の両方のＩＩＩ族窒化物発光構造において、注入効率は発光素子の多重ＱＷ（ＭＱＷ）活性領域における異なる量子井戸（ＱＷ）の不均一分布によって強力に低下する。不均一なＱＷ分布は、活性ＱＷが深い長波長発光素子の方が強くなる。極性及び非極性のいずれの構造でも、活性領域の光導波路層及び／又は障壁層へのインジウム及び／又はアルミニウム取り込みは、発光すべき所望の波長に応じて、ＱＷ分布の均一性を改善し、構造注入効率を向上する。
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【課題】ｐ型ＩｎＰ基板のＺｎ濃度（２〜４×１０１８ｃｍ−３）は、ｐ型クラッド層のＺｎ濃度（１×１０１８ｃｍ−３）よりも高い。このため、熱処理によってｐ型ＩｎＰ基板のＺｎがｐ型クラッド層に拡散し、さらにｐ型クラッド層の上部にある活性層まで拡散して、発光効率を低下させるという問題があった。特に、埋込構造の半導体光素子では、結晶成長の回数が多いことから高温の熱処理の回数が多く、この問題が顕著であった。本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板からのＺｎの拡散を抑えることができる半導体光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板１０とｐ型ＩｎＰクラッド層１６の間に、ＲｕがドープされたＩｎＰ拡散防止層１４を設けることにより、ｐ型ＩｎＰ基板１０やｐ型ＩｎＰバッファ層１２から活性層２０へのＺｎの拡散を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】電気的及び光学的閉じ込めを与える、正確に画定され制御される酸化物領域を有するモノリシックで独立してアドレス可能なレーザアレイを開発する。
【解決手段】エッジエミッティングレーザのアレイ１００で、レーザの各々が、基板と、基板上に形成される複数の半導体層と、活性領域を形成する複数の半導体層の一つ又は一つ以上と、活性領域上の半導体層から形成されるウエーブガイド２１４であって、ウエーブガイド２１４が活性領域からの光放射に光学的閉じ込めを与え、ウエーブガイド２１４が溝２１０に形成される自然酸化物層２１２によって画定され、溝２１０が複数の半導体層中に形成され半導体から形成されるウエーブガイド２１４の側面まで下方に延在するウエーブガイド２１４と、アレイ中の隣接するエッジエミッティングレーザに電気的分離も与える自然酸化物２１２層と、活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の偏光方向の制御が可能で、かつ集積化が容易な面発光型半導体レーザーアレイおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザーアレイ１００は、基板１０１の上方に垂直共振器１４０を有する面発光型半導レーザーアレイであって、垂直共振器１４０は、第１ミラー１０２と、活性層１０３と、第２ミラー１０４と、を含み、垂直共振器１４０は、１の方向に配置された複数の単位共振器１１０と、隣接する単位共振器１１０同士を接続させる接続部１２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＴｉＯ_ｘ電極とＡｌＧａＡｓ層の間に低抵抗のオーミックコンタクトを形成し、これにより高い発光効率を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光素子は、近赤外線を発生する主発光層５と、主発光層５を被覆するｐ−ＡｌＧａＡｓ層７と、ｐ−ＡｌＧａＡｓ層７の上に直接に接合された、高濃度にドープされたｐ−ＧａＡｓ層８と、ｐ−ＧａＡｓ層８の上に直接に接合されたＩｎＴｉＯ_ｘ層９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によるＧａＮ製造で、ＧａＮ自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する方法を提供する。
【解決手段】坩堝２６−１〜４とＧａＮ自立基板の配置方法を４例示す。１．Ａ：坩堝２６−１の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させる。１．Ｂ：坩堝２６−２の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させ治具ＳＴ−２で固定。１．Ｃ：坩堝２６−３の平らな底部に治具ＳＴ−３を配置し、自立基板１０−１、１０−２を互いの窒素面を密着させて固定。１．Ｄ：坩堝２６−４の平らな底部に治具ＳＴ−４を配置し、ＧａＮ自立基板１０を固定。自立基板１０は、窒素面が治具ＳＴ−４により覆われる。ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】実装時に光軸調製の不要な面発光型半導体レーザおよびその製造方法、ならびに光モジュールを提供する
【解決手段】本発明にかかる面発光型半導体レーザ１００は、上方からレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、第１ミラー１０２と、第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された第２ミラー１０４と、第２ミラーの上方に形成され、前記第２ミラーの上面から出射した光を集光する集光部１０１と、集光部の上方に形成され、前記集光部が集光した光を反射する第３ミラー１０６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】改善された端面発光型半導体レーザチップを提供し、かつ半導体レーザにおける歪み及び導波性を最適化する。
【解決手段】端面発光型半導体レーザチップであって、支持基板（１）と、中間層（２）とを有し、前記中間層（２）は、支持基板（１）と端面発光型半導体レーザチップの素子構造（５０）との間の付着を媒介し、その際、該素子構造（５０）は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域（５）を有する、端面発光型半導体レーザチップ。 （もっと読む）

【課題】リング状電極上に形成される引出電極の断線による歩留まりの低下を抑制した電極構造及び光半導体素子を提供すること。
【解決手段】上面がｐ型を示すコンタクト層５Ａと、上面がｎ型を示すｎ型半導体層１４と、コンタクト層５Ａの上面の辺縁の少なくとも一部及びｎ型半導体層１４の上面の辺縁の少なくとも一部を覆うと共に、コンタクト層５Ａの上面に向かうにしたがって下降する傾斜部２５ａが形成された絶縁層２１と、一端がコンタクト層５Ａ上に形成されると共に、他端が傾斜部２５ａ上に形成された電極１１と、ｎ型半導体層１４上に形成されると共に、両端が絶縁層２１上に形成された電極１６と、コンタクト層５Ａに電圧を印加するためのパッド部３１ａと、電極１１、１６と絶縁層２１上に形成されて電極１６を介して電極１１とパッド部３１ａとを接続する配線３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】モード数を削減することができ、かつ高出力化の可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】
本発明にかかる面発光型半導体レーザ１００は、第１ミラー１０２と、第１ミラーの上方に形成された活性層１０３と、前記活性層の上方に形成された第２ミラー１０４と、前記活性層の上方または下方に形成された電流狭窄層１０５と、を含み、前記第２ミラーは、凹部に周囲を囲まれた光閉じこめ領域を有し、前記光閉じこめ領域は、平面視において前記電流狭窄層に囲まれた領域の内側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザ及び整流ダイオードから構成される光素子において、温度上昇に伴う電極の断線による歩留まり及び信頼性の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】基板１表面に直交する方向にレーザ光を射出する面発光型半導体レーザＶと、面発光型半導体レーザＶと並列接続され、面発光型半導体レーザＶの逆バイアス電圧に対して整流作用を有する整流ダイオードＥとを同一基板１上に備える光素子において、面発光型半導体レーザＶの少なくとも一部を含む第１柱状部２０の側面及び上面の一部を覆うと共に整流ダイオードＥの少なくとも一部を含む第２柱状部２１の側面及び上面の全周を覆う絶縁層１６を備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であり、且つ十分なオーミックコンタクトが得られる面発光型半導体レーザ、及び当該面発光型半導体レーザを歩留まりの低下を招かずに製造することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、半導体基板ＳＢ上に順に積層された第１ミラー１１、活性層１２、及び第２ミラー１３を備える。第１ミラー１１には、他の層よりも膜厚が厚くされた厚膜層１４が形成されている。厚膜層１４よりも上方に位置する第２ミラー１３、活性層１２、及び第１ミラー１１の一部がエッチングされて柱状部Ｐ１が形成されており、柱状部Ｐ１に含まれる第２ミラー１３及び第１ミラー１１の上部には組成をなだらかに変化させた組成傾斜層（ＧＩ（Graded Index）層）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、当該第１電極及び絶縁層上に形成される第２電極とを備える電極構造において、第２電極の断線により歩留まりが低下してしまう。
【解決手段】導電層の上面に少なくとも一端が略丘陵形状に形成された絶縁層と、丘陵形状部分の絶縁層上と導電層の上面とに所定の範囲で形成された第１電極と、第１電極及び絶縁層上に形成された第２電極とを備える電極構造であって、第１電極の絶縁層側の端部は、丘陵形状部分の導電層側の斜面における頂上部から最下端までの範囲内で形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 面発光型半導体レーザの静電破壊耐圧を向上させることができる光半導体素子、及び製造プロセスを複雑にすることなく静電破壊耐圧が向上した光半導体素子を製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子１０は、面発光型半導体レーザ２０と、面発光型半導体レーザ２０の上方に形成された光検出素子３０とを半導体基板１１上に備える。また、光半導体素子１０は、光検出素子３０とは異なる層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は簡便な方法で製造することが可能で、レーザ特性が安定している、リッジ導波型ストライプ構造を有する半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板１０１上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部１１１を有する選択成長保護膜１１０、および該開口部を覆うように形成されたリッジ型化合物半導体層を有することを特徴とする半導体発光装置。 （もっと読む）

【課題】 光検出素子が面発光型半導体レーザの光学特性に与える影響を抑制することのできる光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、前記面発光型半導体レーザの出射面の上方に形成された光検出素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、光吸収層を有する半導体層１２２を含み、
前記半導体層は、下記式（１）を満たす膜厚ｄを有する。
（２ｍ−１）λ／４ｎ−３λ／１６ｎ＜ｄ＜（２ｍ−１）λ／４ｎ＋３λ／１６ｎ・・・（１）
〔式（１）において、ｍは整数、ｎは半導体層の屈折率、λは設計波長を示す。〕 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的の１つは、静電破壊を効果的に防止することができる面発光型半導体レーザを提供することにある。
【解決手段】 面発光型半導体レーザ１０００は、発光部１００と、整流部２００と、上部ミラー層１４０及び上部半導体層２７０を電気的に接続する第１の導電層３００と、下部ミラー層１２０及び下部半導体層２５０を電気的に接続する第２の導電層４００と、を含む。整流部２００は、第１及び第２の導電層３００，４００により発光部１００と電気的に並列接続され、かつ発光部１００に対して逆方向の整流作用を有する。第１の導電層３００は、第１のランド３４０を含む。第２の導電層４００は、第２及び第３のランド４４０，４５０を含み、第２のランド４４０の方向から延出して下部半導体層２５０の第１の領域２５２と電気的に接続され、かつ第３のランド４５０の方向から延出して下部半導体層２５０の第２の領域２５４と電気的に接続されている。 （もっと読む）