【課題】窓領域の形成による動作電流や導波損失の増加を抑制することができるとともに、製造歩留まりの良好な半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、量子井戸構造を有する活性層を含む半導体積層部を設けた半導体レーザ素子において、半導体積層部の上部にストライプ状の導波路を形成し、劈開により共振器端面を形成する。基板の主面に対して垂直上方からみた平面視において、共振器端面を形成するための劈開位置に沿う帯状の領域に、活性層の量子井戸構造よりもバンドギャップを広くした窓領域を形成するとともに、窓領域の一部を除去するための溝部を劈開位置に形成する。また、窓領域は、基板の主面と垂直な方向において、少なくとも活性層と同じ高さの位置に形成する。溝部は、基板の主面と平行であって導波路の長手方向と垂直な方向に導波路の端から離れるように形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低コスト化に対応することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ基板３０１と、ｎ型ＧａＮ基板３０１上に形成された窒化物半導体層２０と、窒化物半導体層２０に形成され、所定方向に延びる導波路３０と、導波路３０と平行な一対の側端面と、窒化物半導体層２０上に形成され、導波路３０に電流を供給するためのｐ側パッド電極１３と、窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するためのマーカ部３２０、３３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の分割位置を高い精度で制御できる半導体発光素子の製造方法及び良好な共振器面が形成された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷｈ１の一主面側に、凹溝４０と交差するとともに、凹溝４０よりも深い第１補助溝４１を分割予定位置Ｘａ上に形成し、凹溝４０よりも浅い第２補助溝４２を分割予定位置Ｘａ上に形成した半導体ウエハＷｈを分割予定位置Ｘａで劈開する。 （もっと読む）

【課題】回折格子とその上に形成された半導体層の間に空洞が形成されることなく、その上面が平坦になるように再成長させることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１及び／又は第２窒化物半導体層１２，１４内に凹凸が形成され、凹凸が形成された半導体層上に、凹凸を埋める半導体層が形成され、凹凸が形成された半導体層は、基板の法線方向に延びる側面と、側面から連続してさらに下方向に延び側面よりも基板の法線方向に対する傾斜が大きい傾斜面と、傾斜面から延び基板表面に水平な底面とを有する凹部を備え、凹部深さが５０〜３００ｎｍである窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、被り成長を伴わない構造でフリップチップボンディングに適した構造を実現する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた第１導電型半導体層上に、少なくとも半導体活性層及び前記第１導電型とは逆導電型の第２導電型半導体層を順次積層した積層構造を含む第１メサストライプと、前記第１メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第１テラス構造と、前記第１メサストライプと平行する独立で且つ前記第１メサストライプと同じ積層構造を有する第２メサストライプと、前記第２メサストライプの側面を埋め込む高抵抗半導体層とを備えた傾斜側面を有する第２テラス構造とを設け、前記第１テラス構造の平坦面に前記第１メサストライプの前記第２導電型半導体層に接続する第１電極と、前記第１テラス構造と前記第２テラス構造の間に露出する前記第１導電型半導体層に接続し前記第２テラス構造の平坦部まで延在する第２電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】動作モード制御性に優れる半導体レーザの作製方法を提供する。
【解決手段】光の伝播方向において活性層領域Ａと制御層領域Ｂとが交互に接続する半導体レーザの作製方法において、活性層領域Ａの上側ＳＣＨ層１３又は制御層領域Ｂの上側ＳＣＨ層１７のうちいずれか一方の上層に半導体犠牲層１８を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの表面に回折格子を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの上層に半導体犠牲層１８と同一材料の半導体層２０を形成する際、半導体犠牲層１８の厚さを厚くして、活性層領域Ａの回折格子の深さ又は制御層領域Ｂの回折格子の深さのうちいずれか一方を浅く形成する。 （もっと読む）

【課題】２次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する方法であって、２次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させない２次元フォトニック結晶レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】Al_xGa_1-xAs（0＜x≦0.8）と同じ結晶構造を有する母材層２５２Ａを作製する母材層作製工程と、母材層２５２Ａ内に、平面形状の最大幅dが200nm以下であって、深さhと該最大幅dの比h/dが0.1以上1.2以下である空孔２５１Ａを周期的に形成する空孔形成工程と、空孔２５１Ａ内に、前記Al_xGa_1-xAsから成る異屈折率領域２５１をエピタキシャル法により形成する異屈折率領域形成工程と、異屈折率領域２５１が形成された母材層２５２Ａの上に、Al_yGa_1-yAs（0≦y≦1）から成る層２６を前記エピタキシャル法により作製するエピタキシャル層作製工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる活性層と、前記活性層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型第１層と、前記ｐ型第１層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるｐ型コンタクト層と、前記ｐ型第１層と前記ｐ型コンタクト層との間に設けられて上面が凹凸形状を有し、ｐ型不純物濃度が前記ｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低い、少なくともＩｎおよびＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体とを備えた凹凸層と、を備え、前記ｐ型コンタクト層の上面は前記凹凸層の前記凹凸形状を受け継いだ凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで回折格子の結合定数κを不均一にすることができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１の半導体層を形成する第１の半導体層形成工程と、前記第１の半導体層の表面において、導波路の形成されるレーザストライプ領域４３及び前記レーザストライプ領域の両側に近接して形成されるダミー領域４４に、凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成工程と、前記凹凸パターンの形成された第１の半導体層の凹部に第２の半導体層をＭＯＣＶＤにより形成する第２の半導体層形成工程と、前記第２の半導体層形成工程の後、前記第１の半導体層の凸部及び前記第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する第３の半導体層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高く信頼性の高い窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態の窒化物半導体素子は、第１の主面上の面内方向に形成された複数の凸部１ａと、隣接する前記凸部の間の凹部１ｂと、を有する基板１と、前記基板１の前記凹部１ａ及び前記凸部１ｂ上に形成されたＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１≦１）第１埋込層２と、前記第１埋込層２上に形成されたＩｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｙ−ｚ}Ｎ（０＜ｙ≦１、０≦ｚ≦１）埋込層３と、前記埋込層３上に形成されたＡｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２≦１）第２埋込層４と、を備える。前記第１埋込層２の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記第１埋込層２の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合しない。前記埋込層３の前記凹部１ｂの上に形成された部分と、前記埋込層３の前記凸部１ａの上に形成された部分とは、互いに結合している。 （もっと読む）

【課題】高出力で安定した半導体レーザアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザアレイ１００は、レーザ光の出射方向と平行に長尺な凹状の段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃを主面に有する基板１０１と、積層構造体と、段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと平行に形成された複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃとを備え、複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃのうちの少なくとも１の光導波路の幅方向の中心から段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの幅方向の中心までの距離は、複数の光導波路１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃのうちの他の光導波路の幅方向の中心から段差部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃの幅方向の中心までの距離と異なる。 （もっと読む）

【課題】転位を少なくする半導体成長用基板および転位の少ない発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、 一方主面１５Ａから一部が突出するとともに、上面１４ａ´を有する突起１４ａを複数備えた単結晶基板１４と、
一方主面１５Ａの突起１４ａが配置されていない領域に設けられ、上部１４ａ´が突起１４ａの上面１４ａ´の高さ位置より高い位置にあるとともに、単結晶基板１４と異なる材料からなる複数の構造体１６と、単結晶基板１４上に構造体１６を被覆するように設けられた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の発光素子は、結晶成長面を有する単結晶基板１２であって、結晶成長面１２は複数の凸部１２ａと、複数の凸部１２ａ同士の間にそれぞれ設けられ、かつ複数の凸部１２ａから離隔する位置に設けられる凹部１２ｂと、を備える単結晶基板１２と、単結晶基板１２上に設けられ、複数の凸部１２ａのうち、一対の互いに隣接する凸部１２ａと、当該一対の凸部１２ａ同士の間に位置する凹部１２ｂにおいて、凹部１２ｂと一対の凸部１２ａとの間に位置する両結晶成長面から一対の凸部１２ａ同士の間に向かって延びる複数の転位１６を、一対の凸部１２ａ同士の間で結合させた光半導体層１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１０を準備する工程と、液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を複数回繰り返して成長させる工程と、を備え、結晶成長面２０ｕ内において均一な厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、該窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、５００度以上７００度以下で行なうことを特徴とする。 （もっと読む）