【課題】Ｉｎを含む量子井戸構造の活性層を有し、活性層よりも後に成長させる半導体層の成長温度による熱のダメージを抑制することができるとともに、Ｉｎの取り込みを高くしつつ、発光特性や電気特性を向上させたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型のＡｌＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層８、ｐ型ＧａＮコンタクト層５が積層され、ｎ電極７とｐ電極６が設けられている。活性層４は、量子井戸構造を有する活性層であり、井戸層をＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｙ１Ｇａ_Ｚ１Ｎ（Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１＝１、０＜Ｘ１＜１、０＜Ｙ１＜１）、バリア層をＡｌ_Ｘ２Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_Ｚ２Ｎ（Ｘ２＋Ｙ２＋Ｚ２＝１、０≦Ｘ２＜１、０≦Ｙ２＜１、Ｙ１＞Ｙ２）で構成し、井戸層とバリア層は温度変調によって形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｉｏｐを長時間一定の値に保つ、つまり信頼性が高い発光素子チップを多く取ることができる発光素子用エピウェハを提供する。
【解決手段】基板２上に、III族およびＶ族原料ガスを用いてｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型第１クラッド層１０、ｐ型第２クラッド層１２を含むエピタキシャル層３を成長させた発光素子用エピタキシャルウェハ１において、エピタキシャル層３の水素濃度の平均値を９．２×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³ 以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】 発光効率が高い半導体発光装置を安定して得ることが出来るようにする。
【解決手段】
基板と、基板上方に形成され、第１導電型の、発光色に対し透明な第１のクラッド層と、第１のクラッド層上に積層され、所望の波長の光を発光する活性層と、活性層上に積層され、第２導電型の、発光色に対し透明な第２のクラッド層とを有するＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光装置であって、第１のクラッド層、活性層および第２のクラッド層の３層の平均炭素濃度が７×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体発光装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法をＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を作製するに際して使用し、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側からバッファ層と下地層を含み、該バッファ層と下地層をスパッタ法で成膜し、かつ、バッファ層の成膜温度を下地層の成膜温度よりも低くすることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】平坦でかつ結晶欠陥が極端に少ない（好ましくは無転位の）窒化ガリウム半導体層をｃ面以外の主面を持つ窒化ガリウム基板上に形成することができる窒化物半導体製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。この際に、ガリウム原料に対する窒素原料の割合（モル比）であるＶ／III比が１０００以上の条件を用い、前記Ｖ／III比が１０００未満の条件を用いることなく、また、ＧａＮ単結晶基板１の表面に、バッファ層を介在させることなく、ＧａＮ半導体層２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０上に、自己組織化成長により量子ドット１６を形成する工程と、量子ドット１６を形成する工程の前又は量子ドット１６を形成する工程の際に、下地層１０の表面にＳｂ又はＧａＳｂを照射する工程と、量子ドット１６の表面をＡｓ原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット１６の表面に析出したＳｂを含むＩｎＳｂ層１８を除去する工程と、ＩｎＳｂ層１８が除去された量子ドット１６上に、キャップ層２２を成長する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＧａＡｌＮなどの窒化物半導体材料を用いた半導体発光素子を、より特性が良くより製造しやすい状態で提供できるようにする。
【解決手段】 クラッド層１０４の上に、活性層１０５が形成されている。活性層１０５は、ＩｎＮからなる複数の島状部分１０５ａが同一平面に配列された構造の層であり、島状部分１０５ａは、例えば、径が２ｎｍ程度高さ１ｎｍ程度の大きさに形成されている。このように、島状部分１０５ａの寸法を電子の波動関数の広がり以下とすることで、量子効果が得られるようになる。また、この島状部分１０５ａの寸法によって、活性層１０５による半導体発光素子の発光波長がほぼ決定される。 （もっと読む）

【課題】電極とｐ型窒化物半導体との間のコンタクト抵抗異常による電圧異常を防止して、ｐ型窒化物半導体の歩留まりを向上させるためのｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体の製造方法は、ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を準備する準備工程と、アルゴンまたは窒素の少なくともいずれか一方を含むキャリアガスとメタンとを含むアニール雰囲気ガス中で、７００℃以上９５０℃以下の温度で、窒化物半導体１２にアニール処理を行なうアニール処理工程と、窒化物半導体１２に電極を形成する電極形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族として窒素を含むIII−Ｖ化合物半導体を成長するためのプロセスウインドウを広げることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族として窒素および他の元素を含むIII−Ｖ化合物半導体層を成長する方法では、III−Ｖ化合物半導体層を成長するための有機窒素原料Ｇ４をヒータ５９を用いて加熱して、有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させる。有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。有機窒素原料は、ジメチルヒドラジン、モノメチルヒドラジン、およびターシャリブチルヒドラジンの少なくともいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の期待されるＩｎＰ基板に整合したＢｅを含むＩＩ―ＶＩ族化合物半導体で構成された半導体レーザの素子特性を向上する。
【解決手段】ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、光ガイド層、活性層、光ガイド層およびｐ型クラッド層を有する構造とし、活性層はＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶より構成される層を有し、ｎ型クラッド層、光ガイド層およびｐ型クラッド層の少なくとも１つの層に、活性層のＢｅを含むＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶と同一の元素で構成される層を有するものとするとともに、この層は、活性層のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体混晶のＢｅの組成と比べて組成の変動が±３０％以内であるＢｅの組成の混晶を井戸層とする超格子構造によって構成する。 （もっと読む）

【課題】偏波に依存せずに十分な利得を有する、量子ドットを利用した半導体素子を形成する。
【解決手段】第１バリア層１１０の上に量子ドット層１０１と第２バリア層１２０を繰り返し形成し、この最上層に量子ドット層１０１ａを積層し、この量子ドット層１０１ａの局所歪みを保持する第３バリア層１３０と、第２バリア層１２０からの圧縮歪みを補償する第４バリア層１４０を形成し、量子ドット構造１００を構成する。これによって、多層量子ドット層からの積層によって生じる圧縮歪みの蓄積は、引っ張り歪み材料で構成される第４バリア層１４０によって補償される。そして、第３バリア層１３０は、第４バリア層１４０の引っ張り歪みが量子ドット層１０１ａに直接及ぶことを抑制し、局所的な歪みを効果的に打ち消すことが可能となり、偏波に依存せずに十分な利得を有する、量子ドットを利用した半導体素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に発光波長を有する、高発光効率の発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア上にＡｌＮがエピタキシャル形成されたエピタキシャル基板上に、波長が３００ｎｍ以下の光に対する吸収能を有さない組成範囲のＡｌＧａＮからなるｎ型層と、紫外領域に発光波長を有する組成範囲のＡｌＧａＮからなる発光層と、ＡｌＧａＮからなるｐ型層とをＭＯＣＶＤにてこの順に積層形成する。その際、ｎ型層におけるＳｉ原子の濃度値に対する、Ｏ原子とＣ原子の濃度値の総和の比率が０．８以下となるようにする。これは例えば、１１００〜１２００℃の成長温度あるいは１０Ｔｏｒｒ〜５０Ｔｏｒｒの成長圧力で実現される。これにより、Ｓｉドナーの活性化率が向上し、比抵抗が１．５Ωｃｍ以下で、転位密度が１０¹⁰／ｃｍ²の高結晶品質のｎ型層が形成される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または、化合物半導体層と絶縁膜との間のリーク電流の抑制を行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結合係数を大きくできる分布帰還型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ半導体領域１３は第１導電型を有しており、例えば第１導電型はｎ型である。また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。活性層１７はＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５上に設けられている。III−Ｖ化合物半導体層１９は、またＶ族としてリンを含むIII−Ｖ化合物半導体からなり、またＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５と活性層１７との間に設けられている。ＩｎＰ半導体領域１３は、分布帰還のための周期構造２０を有する。ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５は、ＩｎＰ半導体領域１３の周期構造２０上に設けられている。分布帰還のための回折格子は、少なくともＩｎＰ半導体領域１３およびＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層１５から構成される。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＯＶＰＥ成長を用いた半導体量子ドットの製造方法における限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、良好な光学特性、高い面密度、高い均一性を兼ね備えた半導体量子ドットをＭＯＶＰＥ成長により実現することを目的とする。
【解決手段】ＭＯＶＰＥを用いて形成する半導体量子ドット構造の製造方法であって、ＴＭＩとＴＢＡｓ、或いはＴＭＩとＴＩＰＧとＴＢＡｓを主たる原料とし、且つ成長温度が３００℃以上、４５０℃未満とし、且つ成長条件においてＶ族原料とIII族原料との供給比すなわちＶ／III比（モル比）が１５０以上、或いはＴＢＡｓの分圧が３０Ｐａ以上、又は、前記Ｖ／III比（モル比）が３００以上、或いはＴＢＡｓの分圧が６０Ｐａ以上とし、且つ上記量子ドット構造の成長前、或いは成長時にＴＭＢｉなどのビスマス原料或いはＴＭＳｂなどのアンチモン原料も供給して、量子ドットを成長させる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造の形状のばらつきを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】キャップ膜１９上に［０１１］方向に沿って伸びるエッジを有するマスク２９を形成する。ＩｎＰである第２導電型クラッド層３７、エッチングされた活性領域３５、および第１導電型クラッド層３３を含むメサ構造３１を形成する。そして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａにおいてマストランスポートを引き起こして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａに（１１０）面側面３７ｂを形成する。該マストランスポートの後に、マスク３９を用いて埋め込み領域を形成する。マスク２９およびキャップ層１９を除去した後に、第２導電型III−Ｖ化合物半導体領域を成長する。 （もっと読む）

【課題】偏波無依存の利得特性を有する高性能のコラムナ量子ドットを容易に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ４００℃以上、４８０℃以下の第１の温度において自己組織化成長によりＩｎＡｓよりなる量子ドットを形成する工程と、第１の温度においてＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ_１−ｙＰ_ｙ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）よりなる第１のバリア層を形成する工程とを繰り返し行い、複数の量子ドットが第１のバリア層を介して積層されたコラムナ量子ドットを形成する。これにより、ＩｎＡｓ量子ドット上におけるＡｓ／Ｐ置換が効果的に防止され、層厚方向のＩｎＡｓ量子ドット同士を容易に電子的に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 （もっと読む）

【課題】基板としてＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜はがれやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高効率の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に窒化物半導体層が積層されて窒化物半導体素子を形成する場合に、基板１がＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板１に接してＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０.０５≦ｙ≦０.２）からなる第１の窒化物半導体層２が設けられ、その第１の窒化物半導体層２上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層３〜５が積層されている。 （もっと読む）