【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、ｎ型層、活性層およびｐ型層を含む窒化物系半導体層と、前記ｐ型層上に形成されたｐ側電極と、前記基板の裏面上に形成されたｎ側電極とを備えた窒化物系半導体素子を窒化物系半導体装置が含み、前記基板は、裏面側が加工されているとともに、前記基板の前記ｎ側電極との界面近傍における転位は、低減されている。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を容易に加工することのできる技術を提供するとともに、これにより実現される新規な素子構造を提供する。
【解決手段】電流狭窄層３０８を以下のプロセスにより形成する。低温堆積により非結晶層を形成した後、エッチングにより開口部を設ける。その後、非結晶層形成温度よりも高い温度でｐ型クラッド層３０９より上部の層を形成することにより、非結晶層を結晶層に変換する。非結晶層の形成温度を約４００℃、ｐ型クラッド層３０９より上部の層の形成温度を１１００℃程度とする。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＮ薄膜が比較的薄くでき、しかも、白濁することなく形成されると共に、その上に成長されるデバイス素子を構成するIII 族窒化物薄膜層におけるクラックやピットが少なくなるようにした、III 族窒化物成膜用基板及びその製造方法と並びにそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基材１１と、この基材上に形成されるバッファ層としてのＡｌＮ薄膜１２と、を含んでおり、その上にIII 族窒化物薄膜から成る半導体装置が形成されるIII 族窒化物成膜用基板１０であって、ＡｌＮ薄膜が、その成膜途中で少なくとも一回成膜条件を変更して複数段階で成膜されるようにIII 族窒化物成膜用基板１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ｎから成る活性層におけるｘの値を、確実に安定して所望の値とすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法は、無極性面である下地上に、（Ａ）第１導電型を有し、頂面がＡ面である第１ＧａＮ系化合物半導体層、（Ｂ）Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ｎから成り、頂面がＡ面である活性層、及び、（Ｃ）第２導電型を有し、頂面がＡ面である第２ＧａＮ系化合物半導体層を、順次、結晶成長させる工程を具備し、活性層を、成長速度０．３ｎｍ／秒以上、好ましくは、成長速度０．６ｎｍ／秒以上にて結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒素およびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体の結晶中の水素の影響を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３は、基板１９上に設けられている。第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５は、基板１９上に設けられている。活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。III−Ｖ化合物半導体層２１の水素濃度は６×１０^１６ｃｍ^−３を越えており、III−Ｖ化合物半導体層２１には、ｎ型ドーパント２３が添加されている。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のＶ族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が５モル％から１２モル％の範囲で、また、Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が５モル％から９モル％の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】 従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザが提供される。
【解決手段】 本発明の分布帰還型半導体レーザは、第１クラッド層と、第１クラッド層の上に設けられた第１光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層の上に設けられた活性層と、活性層の上に設けられ、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第２光閉じ込め層と、第２光閉じ込め層の上に成長されたＩｎＰ半導体層と、ＩｎＰ半導体層の上に成長されたＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の上に設けられ、ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層とを備える。回折格子は、ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される。 （もっと読む）

【課題】高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ハイドライド気相成長法により、ファイア基板上に窒化ガリウム単結晶膜を成長させる際に、ケイ素（Si）、酸素（O₂）、ゲルマニウム（Ge）および炭素（C）で成される群から選択された一つ以上の物質をドーピングし、n−ドーピング濃度を0．7×10¹⁸ないし3×10¹⁸／cm³とすることにより、常温（300K）で少なくとも1．5W／cmKの均一かつ優れた熱伝導度を有する窒化ガリウム単結晶膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に平面形状が正方形形状の被覆部１２２を有するマスク１２を形成する。マスク１２の被覆部１２２の角部１２２ＡにＧａＮ半導体層の３次元核１４０を形成する。この３次元核１４０をさらに成長させて、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜したファセット面１４１Ａを有する構造体１４１を形成する。さらに、構造体１４１を成長させ、構造体１４１同士を合体させてＧａＮ半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１０上に形成されるマスク１１の被覆部１１１の被覆部１１１の断面形状を略台形形状とし、被覆部１１１の断面形状がサファイア基板１０側から上方に向かって幅狭となるようにする。また、マスク１１の開口部１１２の断面形状は、サファイア基板１０側から上方に向かって幅広となるようにする。マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 （もっと読む）

【課題】、電極との接触抵抗を小さくすることができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に第１導電型クラッド層３、４、活性層５、第２導電型クラッド層６、８、リッジ形状の第２導電型キャップ層９および電極層１５をこの順に備え、前記第２導電型キャップ層９の電極層１５と接触する接触面が粗面９ａである半導体レーザ素子を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 安価な基板上に作製可能であり、発光波長の長波長化が可能な半導体発光素子に用いられる量子ドットの形成方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓからなるクラッド層５に、砒素（Ａｓ）およびインジウム（Ｉｎ）を連続供給して１．９モノレイヤーのＩｎＡｓ膜６００を結晶成長させ、ＩｎＡｓ膜６００の表面にグレイン６１０を形成する（ｃ１，ｃ２）。その後、Ｉｎを間欠供給してＩｎＡｓからなる量子ドット６１１を形成する（ｃ３）。この場合、Ｉｎの供給を停止する停止時間を５〜２５秒の範囲に設定し、ＡｓおよびＩｎを供給する供給時間を１秒に設定する。 （もっと読む）

【課題】炉内付着物からＧａやＮラジカルの発生が起こってもＳｉ基板表面を劣化させず、さらにはスループットを落すことなく良質なIII−Ｖ族窒化物半導体薄膜を実現すること。
【解決手段】加熱したＳｉ基板上に複数のIII族元素またはＶ族元素を含む原料ガスを供給し、熱分解反応させてIII−Ｖ族窒化物半導体を成長させるIII−Ｖ族窒化物半導体の製造方法において、Ｓｉ元素を含む原料ガスを供給しながらＳｉ基板１を加熱することにより、Ｓｉ基板１上にＳｉを成長しつつＳｉ基板１を昇温し、その後にIII−Ｖ族窒化物半導体、例えばＡｌＮ層２の成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 分布帰還型半導体レーザ素子において、発振波長は実効屈折率と回折格子周期で決定されるブラッグ波長であり、温度特性は０.１nm/K程度である。これに対し、量子井戸活性層によって決定される利得波長の温度特性は、約０.４nm/Kである。このレーザ素子を、広温度範囲に適用した場合、ブラッグ波長と利得波長各々の温度特性の差異により、ブラッグ波長ピークが利得波長ピークから外れてしまい、利得は低下して、発振閾値電流増加、光変換効率低下となる。
【解決手段】 活性層領域に井戸幅が等しく、Egの差が１８meV以下で３層以上の量子井戸層を形成する。各量子井戸では、禁制帯幅が異なり、利得スペクトラム１は、広い波長範囲で利得を有する。これは、ブラッグ波長２に対し、広温度範囲における利得の均一性を実現する。 （もっと読む）

【課題】少なくともインジウムとガリウムとアンチモンと砒素とを組成として含む良質なIII−Ｖ族化合物半導体を容易に結晶成長することが出来るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ_０．７２Ｉｎ_０．２８Ｓｂ_０．０７Ａｓ_０．９３混晶を結晶成長する時に、III族元素の原料の供給量に占めるＩｎの原料の供給比が大きくなるタイミングと、Ｖ族元素の原料の供給量に占めるＳｂの原料の供給比が大きくなるタイミングとが逆位相で同期するように、Ｉｎの原料の供給量とＳｂの原料の供給量とを変調する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように配置されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、下式（Ｉ）で表わされる、発光層と基板との間にある層のａ軸格子定数ａ₁と発光層のａ軸格子定数ａ₂との差の割合Δａの範囲が、−０．０５≦Δa≦０．０５（単位：％）であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
Δａ＝１００（ａ₁−ａ₂）／ａ₁ ・・・・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストで、高品質の大型のIII族窒化物結晶を作製することが可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、種結晶２８のｃ面にIII族窒化物結晶２９を成長させた後、該III族窒化物結晶２９を種結晶２８のｃ面の法線方向（０００１）とは異なる方向＜１０−１０＞へさらに結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板の表面の高転位エリアの数よりも少ない高転位エリアを表面に有する窒化ガリウム膜を含むエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハは、窒化ガリウム膜１７上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域３３を含む。窒化ガリウム系半導体領域３３にはボイド３５が含む。ボイド３５は、窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけられており、窒化ガリウム膜１７の各高欠陥エリア１７ｅは窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅの一つに関連づけられている。窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけてボイド３５を形成することにより、該ボイド３５が高欠陥エリア１５ｅの欠陥の少なくとも一部の伝搬を阻止できる。 （もっと読む）

【課題】
高輝度の発光素子となり得る３−５族化合物半導体を提供する。
【解決手段】
n型層と一般式Ｉｎ_aＧａ_bＡｌ_cＮ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦a＜1、０＜b≦1、０≦c＜1）で表されるp型層の間に、一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）で表される量子井戸層と、該量子井戸層を挟む２つの障壁層とからなる量子井戸構造を少なくとも１つ含む多重量子井戸構造を有する３−５族化合物半導体であって、該多重量子井戸構造のＸ線回折により測定される量子井戸層における平均ＩｎＮ混晶比が、該３−５族化合物半導体への電荷注入により発光する発光波長から算出されるＩｎＮ混晶比に対し４２．５％以下であり、かつ該p型層の合計膜厚が３００ｎｍ以上であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザジャイロに適した新規な構造の半導体レーザ、およびその半導体レーザを用いることによって、半導体レーザを用いた従来のジャイロよりも精度よく簡単に回転を検出できる半導体レーザジャイロを提供する。
【解決手段】 第１および第２のレーザ光を出射可能な半導体レーザであって、活性層２４と活性層２４にキャリアを注入するための第１および第２の電極とを備える。第１のレーザ光３５は、活性層２４内において多角形の経路上を周回するレーザ光（Ｌ１）の一部が出射されたレーザ光であり、第２のレーザ光３６は、上記経路上をレーザ光（Ｌ１）とは逆の方向に周回するレーザ光（Ｌ２）の一部が出射されたレーザ光である。活性層２４は、少なくとも１層の半導体層（Ａ）を含み、半導体層（Ａ）は、第１の半導体からなる複数の量子ドットと、第１の半導体とは異なる第２の半導体からなり量子ドットを覆うように形成されたカバー層とを含む。 （もっと読む）