【課題】緩和振動周波数の温度による変化が小さい光半導体素子を提供する。
【解決手段】光半導体素子１０は、活性層２４を有するメサ部２０と、メサ部２０を埋め込む埋め込み層３０と、を備え、埋め込み層３０は、活性層２４の屈折率の温度変化係数よりも大きい屈折率の温度変化係数を有し、且つ活性層２４の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調整領域３３を有し、屈折率調整領域３３は、埋め込み層３０の高さ方向において、活性層２４と少なくとも一部が重なる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１において、負のバイアス電圧を制御することにより発振光の周波数をパルス毎に制御する。負のバイアス電圧の制御は、位相比較部３７で得られた位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１から発振光が発振される発振期間における負のバイアス電圧を制御することにより行う。 （もっと読む）

【課題】
光源の発光状態に応じて駆動電流を補正することにより、パルス細りや波形鈍りを改善するとともに、光源間での光量ばらつきを低減し、特に低濃度における階調再現性に優れた高速・高精度の半導体レーザ駆動装置、及びこれを含む画像形成装置を提供すること。
【解決手段】
半導体レーザ駆動装置は、複数の光源を有する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置であって、前記光源の発光を検出する光検出部と、入力信号に応じて前記光源を発光させるための駆動電流を生成する駆動電流生成部と、前記駆動電流生成部が生成する前記駆動電流のオン期間の初期期間に、前記駆動電流を補助する駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成部と、前記光検出部で検出される発光の度合と、前記光源の目標発光度合との差に基づいて、１又は複数の前記光源毎に、前記駆動補助電流による前記駆動電流の補助度合を設定する駆動補助電流設定部とを含む。 （もっと読む）

【課題】広帯域において良好な光送信波形品質が得られる状況を維持しつつ、光送信モジュールの小型化が可能な光送信機及び光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール２は、半導体レーザダイオード素子１０と、光変調器素子１２と、第１の終端抵抗回路１４−１と、を備える。プリント回路基板４は、ドライバＩＣ１６と、第２の終端抵抗回路１４−２と、を備える。第１の終端抵抗回路１４−１の低域遮断周波数と、第２の終端抵抗回路１４−２の高域遮断周波数と、が対応し、第１の終端抵抗回路１４−１の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、第２の終端抵抗回路１４−２の透過周波数帯域におけるインピーダンスと、が対応するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】動作帯域幅の拡大が期待できる光注入レーザにおいて、注入レーザからの光を主レーザに効率的に吸収させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】主レーザ１０と、主レーザ１０に光を注入する注入レーザ１２とが同一基板１４上に集積化されている。注入レーザ１２の共振器方向は主レーザ１０の共振器方向と異なる。注入レーザ１２は単一モードレーザである。注入レーザ１２の発振波長は、主レーザ１０の吸収波長のピークである。これにより、注入レーザ１２からの光を主レーザ１０に効率的に吸収させることができる。また、注入レーザ１２が複数のレーザからなり、その複数のレーザの注入光の強度は、主レーザ１０の共振器方向の電界分布が一様となるように、それぞれ主レーザ１０の共振器方向で異なることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１つのペルチェ素子による温調にて各素子の発振波長を高精度にそろえること。
【解決手段】小型で高速変調を行う手段として、４つの異なる波長のレーザ部１０７とＥＡ変調器部１０８をモノリシックにアレイ集積する。各素子において、発振波長を決定する構造である、回折格子とメサ幅を、それぞれ４素子一括で作製することによって、４素子間の発振波長差を高精度に制御する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の強度の変調が可能で、高効率化の可能なレーザシステムを提供すること。
【解決手段】本発明は、レーザ光５０を出射するＤＦＢレーザ１０と、レーザ光の強度を変調する半導体光増幅器２０と、変調されたレーザ光５２をレーザ光の高調波である可視光５４に変換する高調波生成素子３０と、を具備するレーザシステムである。本発明によれば、レーザ光の強度の変調が可能で、高効率の高調波生成素子を用いることができ消費電力を削減できる。 （もっと読む）

【課題】寿命を短くすることなく、「負のドループ特性」が抑制された面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】活性層１０５を含む共振器構造体と、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７とを有している。上部半導体ＤＢＲ１０７は、Ａｌを含む被選択酸化層の一部が酸化されて生成された酸化物を含む酸化層１０８ａが電流通過領域１０８ｂを取り囲む酸化狭窄構造体を含んでいる。そして、被選択酸化層の厚さは２８ｎｍであり、酸化層１０８ａにおける最も厚い部分の厚さは１１０ｎｍ以下であり、閾値電流が最小となる温度は約１７℃である。また、パルス周期が１ｍｓ、パルス幅が５００μｓの方形波電流パルスを供給したとき、供給後１０ｎｓでの光出力Ｐ１、及び供給後１μｓでの光出力Ｐ２を用いて、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２＝−０．０５である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明の課題は、変調器集積レーザのモジュール消費電力を低減することにある。
【解決手段】 レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｌＡｓで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。このとき変調器とレーザの波長の発振波長とバンドギャップ波長の差は上記素子設定温度上昇に比例した分だけ大きくとることが伝送特性を維持するために必要である。このことによってモジュールケース温度と素子設定温度差が小さくなり、モジュール消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】過渡加熱によるパワー出力の変動を軽減する青色レーザを提供する。
【解決手段】短周期表ＩＩＩ−Ｖ族窒化物青色レーザダイオードは、増幅領域１１６と、変調領域１１８とを有する。増幅領域１１６は定電流を有し、この領域をレージング閾値の近傍に維持する。変調領域１１８は、レーザの光出力を制御する、可変である小さな順方向電流または逆バイアス電圧を有する。この２領域青色レーザダイオードの消費電力は、直接変調型のレーザのそれより非常に少ないので、過渡加熱および、光出力の「衰退」を軽減する。 （もっと読む）

【課題】光パルスの立上がり及び立下りが従来よりも急峻で、光パルスのパルス幅が従来よりも狭く、また光パルスのダイナミックレンジが従来よりも広い光パルス発生器及び空間分解能が従来よりも高い光パルス試験器を提供する。
【解決手段】所定の駆動手段（１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｆ）を用いてレーザダイオード１ｅにパルス状の駆動電流を通電することにより光パルスを発生する光パルス発生器であって、駆動手段は、レーザダイオード１ｅに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路１ｆを備え、該逆バイアス回路１ｆによって逆バイアス電圧が印加されたレーザダイオード１ｅに順バイアス電圧を印加して駆動電流を通電する。 （もっと読む）

【課題】変調信号パターンに依存せずに安定した高階調の制御も可能な光波長変換装置ないし方法を提供することである
【解決手段】光波長変換装置は、DBRレーザ101と、光波長変換素子102と、変調信号に応じてDBRレーザ101への注入電流を周期ごとに制御してその発振波長と光出力を制御する制御手段103を含む。DBRレーザ101は、異なるゲインピーク波長を持つ少なくとも2つの活性領域101b、101cと、分布ブラック反射器(DBR)が形成されたDBR領域101d、101eとを有する。光波長変換素子102は、DBRレーザ101から発せられる基本波光を入射して、その第2高調波光を出力する。制御手段103は、一周期内に発生する熱量の和が周期ごとに一定となる様に電流値及び注入時間の調整された駆動電流を複数の活性領域101b、101cに夫々注入することでDBRレーザ101の発振状態を制御できる様に構成される。 （もっと読む）

【課題】直接変調方式で波長チャープの小さい光信号を発生させる半導体レーザを提供する。
【解決手段】前方分布帰還型活性領域１０１、中央分布帰還型活性領域１０２および後方分布帰還型活性領域１０３の各々には、光導波層３の上面３ａに近接するようにｐ型ＩｎＰクラッド層４内に埋め込まれた回折格子５が設けられている。そして、中央分布帰還型活性領域１０２中の回折格子５には、位相シフト部６が形成されている。位相シフト部６の大きさは、ブラッグ波長をλとすると、例えば３λ／８とする。 （もっと読む）

【課題】分離領域で発生するフォトキャリアの長手軸方向分布が光変調器領域に印加される逆方向バイアス電圧に応じて変化することで生じる前述した波長チャーピングの問題が、別途回路素子部品を新たに用いるなどの特別に煩雑なプロセスを伴うことなく効果的に改善され、光変調器集積光源の伝送特性が改善されるようにする。
【解決手段】分離領域１１０のレーザ領域（発光領域）１０７の側における上部クラッド層１０６には、例えばイオン注入技術を用いて部分的に上部クラッド層１０６の実効的な導電率を下げた（実効的な抵抗率を上げた）高抵抗領域１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体光集積回路における信号光の損失を補償し、微弱な信号光の送受信が可能としてより大規模が回路が実現できるようにする。
【解決手段】ポンプ光ガイド層１０２と基板１０１とポンプ光ガイド層１０２との界面に形成された回折格子１０３と、ポンプ光ガイド層１０２の上に形成された反射層１０４と、反射層１０４の上に形成された信号光導波層１０５と、基板１０１の上に形成されたポンプレーザ（光源）１０６と、信号光導波層１０５の上に形成された発光素子１０７，光検出素子１０８とを備える。光導波路が構成される信号光導波層１０５に対し、ポンプレーザ１０６より出射されたポンプ光が供給され、伝播する信号光がラマン散乱により増幅される。 （もっと読む）

【課題】消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器が形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】電界吸収型変調器ＭＤにおけるＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４上からアノード１０９ｂまでの、ガイド層１０５、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第１の半導体層領域の抵抗Ｒ１の値と、ガイド層１１０、クラッド層１０６およびコンタクト層１０７ｂをまとめた第２の半導体層領域の抵抗Ｒ２の値とを、異ならしめる。よって、光電流Ｉｐｈ１が大きい箇所で抵抗Ｒ１を小さく、光電流Ｉｐｈ２が小さい箇所で抵抗Ｒ２を大きくすることにより、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層１０４に印加される電圧を光進行方向Ｄ１において均一に近づけることが可能で、消光特性が改善された電界吸収型変調器、および、その電界吸収型変調器の形成された半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体光制御素子の消費電力の増大を抑制しつつ、遅延時間を制御することが可能となるとともに、コンパクト化を図れるようにする。
【解決手段】 量子ドット１２および制御用光源１３を半導体光制御素子に設け、制御用光源１３は、励起子が結合した励起子分子のエネルギーに対応した波長の制御光Ｌ１２を量子ドット１２に照射するように構成され、信号光Ｌ１１の波長は、量子ドット１２に閉じ込められる励起子のエネルギーに対応するように設定し、励起子と励起子分子との干渉効果によって、信号光Ｌ１１の吸収スペクトルの微分を変化させることにより、光入力パルスＬ１１ａを遅延させた光出力パルスＬ１１ｂを出射させる。
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【課題】 良好な変調特性が得られる温度範囲を大幅に拡大した変調器集積面発光レーザを提供する。
【解決手段】 本発明による変調器集積面発光レーザ１は、レーザ光を励起する活性層６と、電圧印加による光吸収係数の変化を利用して変調を行う吸収型光変調層８と、活性層６及び光変調層８を挟む２つの光反射層４，１２間で光が共振し、温度により共振波長が可変である波長可変共振器１７を備え、波長可変共振器１７の共振波長の温度依存性と光変調層８のバンドギャップエネルギーの温度依存性がほぼ等しい。また、２つの光反射層４，１２のうちの１つからなり、波長可変共振器１７の光反射鏡１２Ｒを構成する部分を支持する熱膨張係数の異なる２つの半導体層１２，１３からなる片持ち梁１８を備える。 （もっと読む）

【課題】
環境温度の変化に対して、安定に高速変調が動作できる変調器集積面発光レーザを提供すること
【解決手段】
本発明に係る変調器集積面発光レーザは、基板上に面発光レーザと光変調器が集積され、前記変調器の吸収端波長の温度変化の割合と前記面発光レーザの共振波長の温度変化の割合が同程度であるものである。変調器の吸収端波長と面発光レーザの発振波長の温度変化の割合が同程度であるならば、広い温度範囲において高速変調することが可能となる。
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【課題】 動作に伴う消費電力が小さい光集積デバイスを提供する。
【解決手段】 光変調器１０とＤＦＢレーザ２０とが電気的に並列接続され、ＤＦＢレーザ２０から出射した光が入射光Ｐｉｎとして光変調器１０に入力され、光変調された出射光Ｐｏｕｔが光変調器１０から出力される。変調電気信号Ｖｄ′が、光変調器１０のみならずＤＦＢレーザ２０にも入力されるため、入射光Ｐｉｎも光変調され、変調不足分を光変調器１０にて光変調する。このため、変調電気信号Ｖｄ′の振幅（電圧値）は小さくてすみ、消費電力が少なくなる。 （もっと読む）