【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザチップと、前記面発光レーザチップの側面と接続される誘電体基板と、を有し、前記面発光レーザチップには、前記光を出射する一方の面には信号電極が形成され、前記信号電極が形成されている面とは反対側の他方の面には裏面グランド電極が形成されており、前記誘電体基板の一方の面には、前記信号電極と接続される信号用の伝送線路が形成されており、前記信号電極と前記信号用の伝送線路が接続されていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】静電容量を減らして応答性を良くした窒化物半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】高変調速度で駆動でき、有効寄生キャパシタンスが小さく、特に簡単且つ低コストで製造できるレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光相互接続に使用されるレーザ発振装置を提供する。レーザ発振装置は、第１及び第２の反射器と、電流閉じ込め開口内に電流を閉じ込めるよう構成された閉じ込め層と、第１及び第２の反射器間の活性層とを具備する。活性層は、電流閉じ込め開口に整列した主活性領域と、主活性領域を取り囲む補助活性領域とを具備する。第２反射器は、電流閉じ込め開口に配置された第１反射領域と、第１反射領域を取り囲む第２反射領域とを具備する。第２反射領域及び第１反射器は、補助活性領域で誘導再結合を誘導するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良く、高速変調が可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】InP基板上の半導体量子井戸構造を活性層とする半導体レーザにおいて、井戸層にはSbを含まないInGaAsPまたはInAsPまたはInGaAsのいずれかを用い、障壁層にはSbを含むInGaPSbまたはInGaAsPSbのいずれかを用いる。このように障壁層にのみSbを含むため、伝導体のバンド不連続を大きくしても、従来の材料よりも価電子帯のバンド不連続を小さくでき、井戸層の数を増加させた際の正孔と電子の不均一な分布の発生を避けることが可能となり、温度特性の改善や高速変調を実現できる。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】 光モジュールにおける高速変調動作の信頼性を高め、送信器（送受信器）に組み込まれた際のビット誤り率を低減する。
【解決手段】 出力光を表面出射するテーパーミラーと、光変調素子と、光変調用駆動回路とを備え、前記光変調素子と前記光変調用駆動回路とでテーパーミラーを挟み込むように配置する。 （もっと読む）

【課題】光の波長変換に伴う光や熱による特性低下や変質を抑制して、大きな光量を安定に出力できると共に、高速で光変調ができる光源装置を提供すること。
【解決手段】レーザダイオード１０と、該レーザダイオード１０から放射された励起光を導光する光ファイバ１４と、該光ファイバ１４により導光された励起光を所望の波長変換光に波長変換して出射する波長変換ユニット１６と、を備える光源装置において、波長変換ユニット１６を、少なくとも半導体部材２４を有するものとし、該半導体部材２４は、励起光を所望の波長変換光に変換する半導体活性層２８を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】ハイパワー化を達成することができるレーザ光を出射し得る半導体レーザ素子組立体を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子組立体は、半導体レーザ素子１０及び光反射装置７０を備えており、半導体レーザ素子１０を構成する積層構造体はリッジストライプ構造５６を有し、リッジストライプ構造５６の一方の端面５７Ａにおいてレーザ光が出射され、光反射装置７０においてレーザ光の一部が反射されて半導体レーザ素子１０に戻され、レーザ光の残部は光反射装置から外部に出射され、リッジストライプ構造５６の他方の端面５７Ｂにおいてレーザ光が反射され、リッジストライプ構造の最小幅をＷ_min、最大幅をＷ_maxとしたとき、１＜Ｗ_max／Ｗ_min＜３．３、又は、６≦Ｗ_max／Ｗ_min≦１３．３を満足する。 （もっと読む）

【課題】変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４を、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】８５０ｎｍ帯面発光レーザにおける、高速変調化に伴う素子信頼性低下の課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】第１導電型ＧａＡｓ基板上に、第１導電型多層膜ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）層、活性層、及び第２導電型ＤＢＲ層を有する発振波長が８２０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下の面発光レーザであって、前記活性層が、圧縮性の歪みを有するＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_{１−ｙ１−ｚ１}Ｐ_ｙ１Ｓｂ_ｚ１ウェル層と、引張性の歪みを有するＧａＡｓ_１−ｙ２Ｐ_ｙ２バリア層を有する量子井戸構造を有することを特徴とする面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な光変調器付き面発光型半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ装置１０は、ＶＣＳＥＬ１０Ａと光変調器１０Ｂとを含む。ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。光変調器１０Ｂは、上部ＤＢＲ１０６上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｐ型の第１の透明半導体膜１２０と、第１の透明半導体膜１２０上に形成されかつ発振波長に対して光学的に透明であるｎ型の第２の透明半導体膜１２２と、第２の透明半導体膜１２２に電気的に接続された変調電極１３０とを含む。ｐ型電極１１０は、第１の透明半導体膜１２０にも電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の伝送品質をそれぞれ満たすアンドープ層の層厚値の条件を満たす層厚値を有するアンドープ層を積層させた電界吸収型変調器を作製することで、所定の高速動作時において所定の長距離伝送が可能となる電界吸収型変調器集積レーザ素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】アンドープ層の層厚が異なる複数の電界吸収型変調器を作製し、帯域及びチャープ特性を測定し、これら特性とアンドープ層の層厚の相関図を作成することで、これら特性の層厚依存性が求まり、当該層厚値の条件を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板と活性層との間に回折格子が配置された構成を備える半導体レーザ素子において、電流の流路を改善することにより広帯域化を可能とする。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、半導体基板１０と、回折格子１２２ａを有しており半導体基板１０上に設けられた回折格子層１２２及び活性層１２６を含む半導体積層部１２と、半導体積層部１２上に設けられ、方向Ａ１に沿って延びる半導体リッジ構造部１５と、半導体リッジ構造部１５の両側面に沿って半導体積層部１２に形成され、電流を遮断する一対の溝１３とを備える。方向Ａ１と交差する方向Ａ２における回折格子層１２２の回折格子１２２ａが形成された領域の幅は、方向Ａ２における半導体基板１０の幅より短い。一対の溝１３は、回折格子層１２２を貫通する深さを有する。回折格子１２２ａの方向Ａ２における両端部は、一対の溝１３に達している。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能でありレーザ光の偏光方向の制御が安定した面発光型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の上方に形成された下部ミラー層と、この下部ミラー層の上方に形成された活性層と、この活性層の上方に形成された酸化層を含む上部ミラー層と、が積層され、高さ方向における所定の位置から上面にかけて一部がメサ型に形成された共振器と、上記共振器のメサ型箇所の側面と、当該共振器の非メサ型箇所の上面と、を覆う絶縁層と、上記上部ミラー層の上面と、上記半導体基板の下面と、にそれぞれ配線された各電極と、を備える。そして、上記共振器の上記メサ型箇所の側面に形成された上記絶縁層の一部の厚みが、当該メサ型箇所の高さ方向に沿って一様に、他の箇所よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】単一素子の簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】 バイアス電圧Ｖｓａを印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部とを含み、光記録媒体２１に情報を記録するためのレーザ光を出射する、自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号と同期した注入信号を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に供給する、基準信号生成部１４と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成し、この記録信号を自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部にバイアス電圧Ｖｓａとして印加する、記録信号生成部１３とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００上に形成され、基板と垂直方向にレーザ光を発する発光部１３０と、基板上に形成され、発光部で発せられた光の一部を基板と水平方向に伝播させる光伝播部１４０と、光伝播部で伝播された光を発光部に向けて反射させる反射部１５０とを備える。光伝播部は、発光部の屈折率よりも屈折率が小さいトレンチ１２０と、トレンチと反射部との間に配されたトレンチよりも屈折率が高いスローライト部１２２とを含む。 （もっと読む）