【課題】偏光度ＰＤを向上させる発光素子、及びそのような発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、中心波長λ、及び偏光度Ｐ_Ｄを有する光を発光するよう構成された発光領域を含むことができ、これらの中心波長λ及び偏光度Ｐ_Ｄは、２００ｎｍ≦λ≦４００ｎｍ、ｂ≦１．５に対してＰ_Ｄ＞０．００６λ−ｂの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板に対し垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、前記レーザ光が出射される出射面において、前記レーザ光の発光の中心部分の周囲の周辺部分には、前記中心部分よりも反射率を低くするための誘電体膜により形成された透明膜を有し、前記透明膜は、複数に分割されており、前記分割された透明膜は、前記レーザ光の発光の中心に対し、前記レーザ光の偏光方向となる両側、及び、前記偏光方向に直交する方向となる両側の各々に存在しているものであることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】集積度を低下させることなく、射出される複数の光束の偏光方向のばらつきを小さくすることができる面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 量産する前に設計データ取得処理を行い、複数の発光部について、射出される光束の偏光角が、アレイでの偏光角の平均値との差の絶対値が予め設定されている値以下となるように、射出領域の中心と、配線部材の中心線を延長した線との距離Ｄ（ｉ）を調整し（ステップＳ５２５）、適切なＤ（１）〜Ｄ（４０）の値を取得する（ステップＳ５２７）。そして、面発光レーザアレイ１００を量産する際に、設計データ取得処理で得られたＤ（１）〜Ｄ（４０）の値を用いて配線部材を形成する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザアレイ１０は、基板上に、複数の素子を形成するための素子形成領域２０と、電極配線５０および電極パッド６０を形成するための配線形成領域３０とを含む。素子形成領域２０には、複数のメサＭ１、Ｍ２、Ｍ３が形成され、メサＭ１、Ｍ２、Ｍ３に隣接して金属配線７０が形成される。金属配線７０は、各々のメサＭ１、Ｍ２、Ｍ３の配列方向と平行に延在し、メサＭ１、Ｍ２、Ｍ３の活性領域に同一の方向の異方性歪みを付加する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａ内に形成された異方形状の第１の誘電体膜１１２と、第１の誘電体膜１１２と直交する方向に形成された異方形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。第１および第２の誘電体膜１１２、１１８は、互いに反対の応力を活性領域１０４に付加し、かつ、第１および第２の誘電体膜の重複領域の反射率は、重複しない領域の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域１０８ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第１半導体表面構造体領域１１６Ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする長寿命の面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭと、メサＭ内に形成され、選択的に酸化された酸化領域１０８Ａによって囲まれた導電領域１０８Ｂを有する電流狭窄層１０８と、メサＭの頂部に形成され、光出射口１１０Ａを規定する環状のｐ側電極１１０と、第１の屈折率を有し光出射口１１０Ａを覆う第１の誘電体膜１１２と、第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率を有し、第１の誘電体膜１１２上に形成された楕円形状の第２の誘電体膜１１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】光共振器のための半導体積層の端面の向きを制御可能なIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】複合基板１７は、へき開性を有する支持基体１６と窒化ガリウム系半導体膜１８との張り合わせ構造を含む。レーザ共振器となる端面２７がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を含む半導体領域１９を有する。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。端面２７は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。端面２７には、支持基体１６のへき開面と半導体領域１９の端面１９ｃを含む。端面２７は、ドライエッチングにより形成されず、半導体領域１９の端面１９ｃはｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】実装時における偏光角の回転を抑制し、偏光特性の安定したマルチビーム半導体レーザ装置を実現する。
【解決手段】レーザチップ１１の表面電極（アノード電極）１０を、２個のリッジ部８ａ、８ｂで共通化する。一方、レーザチップ１１の裏面電極（カソード電極）１４（１４ａ、１４ｂ）は、基板２を貫通する分離溝１２によって互いに分離された２つの領域（基板２ａ、２ｂ）ごとに形成されている。これにより、表面電極１０をサブマウント２０に対向させてレーザチップ１１をサブマウント２０にジャンクションダウン実装する際に、レーザチップ１１とサブマウント２０の位置ずれが生じても、偏光角の回転が生じない構造を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】開口数が１／√２以下の集光レンズで集光した際、円周偏光環状のビームの集光スポットを単峰形状とすることが可能な光学素子等を提供する。
【解決手段】ビームの入射平面７にビームが入射する際の入射ベクトル８の方向と平行する第一の分割平面５と、入射ベクトルと平行し且つ前記第一の分割平面と直交する第二の分割平面６とで分割された領域を備え、入射ベクトル方向に進行し、入射ベクトル方向と直交するビームの入射面と第一及び第二の分割平面との交線における第一の分割平面と平行な方向に直線偏光したビームが入射平面に入射する際に、第一の分割平面で分割される領域間でπ異なる位相回転角をビームに与え、交線における第二の分割平面と平行な交線の方向に直線偏光したビームが、入射面に入射する際に、第二の分割平面で分割される領域間でπ異なる位相回転角をビームに与える。 （もっと読む）

【課題】高速光通信で所望される、１．３μｍ帯用で狭い帯域を増幅することができる光増幅器を実現する。
【解決手段】Ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、Ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層２、量子ドット活性層３、Ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層４、Ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５の順で構成される量子ドット構造を設け、前記活性層３を均一な量子ドットで構成することにより、波長１．３μｍ帯用の半値幅３０ｎｍ以下の狭帯域用半導体光増幅器を提供する。注入電流により、利得波長以外の波長を減衰させることができ、また偏向状態をスイッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】戻り光による光量変動が極めて少ない面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板形成された前記基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザと、前記基板を設置するための凹部が設けられているパッケージと、前記凹部とともに前記基板を囲むように、前記面発光レーザの光の出射側において、前記パッケージと接続される透明基板と、を有する面発光レーザモジュールにおいて、前記面発光レーザのメサ上部に形成された電極に囲まれた領域内に、前記光における反射率の高い領域と反射率の低い領域とが形成されており、前記反射率の高い領域と前記反射率の低い領域により定まる前記光の偏光方向において、前記透明基板が、前記基板面に対し傾斜していることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】光ピックアップやレーザ加工装置等の光源に適した偏光を有するレーザ光を出射することができる２次元フォトニック結晶面発光レーザ光源を提供する。
【解決手段】活性層と、前記活性層の一方の側に設けた２次元フォトニック結晶４３と、２次元フォトニック結晶４３の周囲の少なくとも一部に設けた反射部であって、該反射部により光が反射されることにより生じる該光の位相変化が-0.5πよりも大きく0.5πよりも小さくなるように形成された反射部６１とを備える。これにより、中心部に強度を持たない環状の断面形状を有し、その中心から外側に向かう方向に偏光した径偏光環状レーザビームが得られる。径偏光環状レーザビームを集光することにより、ビーム径が回折限界値よりも小さいレーザビームを得ることができるため、このビームは光ピックアップやレーザ加工装置等の光源に好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、深さの異なる溝を高精度に形成し、レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】コンタクト層１７に第１溝５１を設けたのち、平面形状において一部が第１溝５１に重なる第２溝５２を形成する。第２溝５２の第１溝５１に重ならない部分５２Ｂのエッチング深さを、積層方向において上部酸化可能層を含む上部第２ＤＢＲミラー層を貫通すると共に、下部酸化可能層を含む下部第２ＤＢＲミラー層に達しない深さとする。このとき、第２溝５２の第１溝５１に重なる部分５２Ａのエッチング深さは、第１溝５１の深さ分だけ、第１溝５１に重ならない部分５２Ｂよりも大きくなり、積層方向において下部酸化可能層のうち少なくとも１層を貫通する深さとすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】偏光制御された基本横モード発振を得ることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００と、基板１００上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６内に形成されたｐ型の電流狭窄層１０８と、上部ＤＢＲ１０６と電気的に接続されたｐ側電極１１２と、ｎ側電極１２０とを有する。電流狭窄層１０８には、長軸と短軸を有する楕円形状の導電領域１０８Ｂが形成され、ｐ側電極１１２には、光出射口を規定する開口１１２Ａが形成される。開口１１２Ａの前記長軸方向の径は、導電領域１０８Ｂの長軸の長さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】偏光方向を安定させるとともに、高次横モードの抑制効果を維持することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域と第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする誘電体膜であるモードフィルタ１１５Ａ及びモードフィルタ１１５Ｂがλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、各モードフィルタは、高次横モードに対する反射率が、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向のほうが相対的に大きくなるように配置され、電流通過領域は、Ｘ軸方向に関する幅が、Ｙ軸方向に関する幅よりも大きくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向を安定させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、Ｘ軸方向とＹ軸方向で形状異方性を有し、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜であるモードフィルタがλ／４の光学的厚さで形成されている。このモードフィルタの形状は、射出領域の中心部を取り囲む円環状において、射出領域の中心の＋Ｙ側及び−Ｙ側となる部分に、切除部がそれぞれ設けられている形状である。そして、各切除部は、いずれも、射出領域の中心部に近い側が遠い側に比べて小さくなるように設定されている。 （もっと読む）