【課題】偏光角を小さくできると共に、偏光比を大きくすることができて、製造の自由度が高い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上には、半導体層で構成されて赤外発振波長を有する第１半導体レーザ構造３と、半導体層で構成されて赤色振波長を有する第２半導体レーザ構造とを成長させている。この第１，第２半導体レーザ構造３，４は、活性層６，１１と、この活性層６，１１を下地結晶として活性層６，１１上に成長させたクラッド層７，１２とを有している。この活性層６，１１とクラッド層７，１２との格子不整合度が０.０１１１９〜０.０２６１１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ＰＤＧが小さい光増幅器をえる。
【解決手段】入射光の入力及び出射光の出力を行う入出力部と、入出力部から入力された入射光の偏光成分を分岐して、第１の偏光を有する第１偏光モード光、及び、第１の偏光と異なる第２の偏光を有する第２偏光モード光を出力する偏光分離部と、第１偏光モード光が入力され、第１の偏光を第２の偏光に変換して、第１偏光変換光を出力する偏光変換部と、導波路の一方の端部に入力された第１偏光変換光が増幅されて他方の端部から出力され、他方の端部に入力された第２偏光モード光が増幅されて一方の端部から出力される、光増幅部と、を備え、光増幅部に入力される光の、単位強度当たりの利得の変化の絶対値が、０．１６ｄＢ／ｄＢｍ以下である半導体光増幅器を用いることにより、ＰＤＧ０．５ｄＢ以下の光増幅装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基本横モード光の高出力化および偏光制御を可能にする面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板１００上に形成された下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、上部ＤＢＲ１０６と、基板上に形成されたメサＭとを含む。メサＭの頂部において、光出射部を覆う異方形状の出射保護膜１１２が形成され、さらにメサＭの側壁および少なくとも周縁を覆う層間絶縁膜１１４が形成される。層間絶縁膜１１４は、出射保護膜１１２の長軸側の両端部を覆う周縁被覆部１１４Ａと、出射保護膜１１２上に形成された基本横モード発振を制御するモード制御部１１４Ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制し、かつレーザ光を基準面に対して略直交する方向に射出することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 各発光部は、基板、バッファ層、下部半導体ＤＢＲ、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、上部電極１１３、下部電極、配線部材、及び誘電体層１１６などを有している。基板は、ｘ軸方向を傾斜軸方向とする傾斜基板である。そして、誘電体層１１６は、ｚ軸方向からみたとき、内径の中心が射出領域の中心に対して＋ｙ方向に０．２μｍシフトしている。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面２７、２９は、ｃ面、ｍ面又はａ面等のへき開面とは異なる。半導体領域１９は、導波路ベクトルＬＧＶの方向に延在する第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄを含む。絶縁膜３１の開口３１ａは半導体領域１９の第３領域１９ｄのリッジ構造上に位置する。電極１５では、パッド電極１８の第１〜第３電極部１８ｂ〜１８ｄは、半導体領域１９の第１〜第３領域１９ｂ〜１９ｄ上にそれぞれ設けられている。第１電極部１８ｂは、割断面２７の縁に到達するアーム部１８ｂ＿ＡＲＭ１を有する。 （もっと読む）

【課題】主としてＦＦＰに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層１０１と、窒化物半導体からなりＩｎを含む第１層１０２ａと窒化物半導体からなりＩｎを含まない第２層１０２ｂとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０７と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層１１１と、を順に備える。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に赤色レーザと赤外レーザが集積化された半導体レーザ素子において、高温特性及び偏光特性を改善をしながら、小型化を実現する。
【解決手段】基板１０上に、赤色レーザ１と赤外レーザ２とが集積化された半導体レーザ素子５０において、赤色レーザ１及び赤外レーザ２は、リッジ部１０１、２０１の両側方に第１の電極３２で覆われた赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂと、第２の電極３４で覆われた赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂを有している。赤色側ウイング領域１０３ａ、１０３ｂには、第１のダミーリッジ部１２０ａ、１２０ｂと、複数の第１のウイング溝１０２とが形成され、赤外側ウイング領域２０３ａ、２０３ｂには、第２のダミーリッジ部１２２ａ、１２２ｂと、複数の第２のウイング溝２０２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】所望の方向に偏波したレーザ光を射出できること。
【解決手段】面発光レーザ素子３００は、基板１上に下部ＤＢＲミラー２と、活性層４を含む複数の半導体層が積層され円柱状に形成されたメサポスト１５と、メサポスト１５上に形成された上部ＤＢＲミラー１３とを有し、上部ＤＢＲミラー１３の上面部に設けられたアパーチャ１３ａからレーザ光を射出する。上部ＤＢＲミラー１３の少なくとも上面部に、レーザ光に対する光透過性を有する誘電体で形成した保護膜１４を備える。保護膜１４を、全体として積層面方向の断面が円形のメサポスト１５に対し、アパーチャ１３ａを含む所定範囲内で一体に長円状に成膜されて積層し、長軸方向の端部がＰ電極８の上面部からメサポスト１５の側面部を介し、Ｎクラッド層３の上面部まで成膜する。保護膜１４は、応力付加膜として活性層４に対し長軸方向に応力を加える。 （もっと読む）

【課題】発光面積に依らず横モードがシングルモードで発振でき、出射ビームの偏光を１次元的に揃わせる面発光レーザを提供する。
【解決手段】２次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザであって、共振モードは、基本並進ベクトルａ₁、ａ₂が伸びる方向の共振モードを有し、長さ｜ａ₁｜は、ａ₁方向の共振モードにおける共振波長λ₁と、ａ₁方向の共振モードによって決まる実効屈折率ｎ_eff1と、２以上の整数ｐによる関係式｜ａ₁｜＝ｐ×（λ₁／２ｎ_eff1）を満足させ、長さ｜ａ₂｜は、ａ₂方向の共振モードにおける共振波長λ₂と、ａ₂方向の共振モードによって決まる実効屈折率ｎ_eff2による関係式｜ａ₂｜＝λ₂／２ｎ_eff2を満足させ、共振波長λ₁とλ₂は、実効屈折率ｎ_eff2と面発光レーザの外側の外部媒質の屈折率ｎ_outによって記述される関係式λ₂≦２×（ｎ_eff2／（ｎ_out＋ｎ_eff2））×λ₁を満足させる。 （もっと読む）

【課題】高速変調可能でありレーザ光の偏光方向の制御が安定した面発光型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の上方に形成された下部ミラー層と、この下部ミラー層の上方に形成された活性層と、この活性層の上方に形成された酸化層を含む上部ミラー層と、が積層され、高さ方向における所定の位置から上面にかけて一部がメサ型に形成された共振器と、上記共振器のメサ型箇所の側面と、当該共振器の非メサ型箇所の上面と、を覆う絶縁層と、上記上部ミラー層の上面と、上記半導体基板の下面と、にそれぞれ配線された各電極と、を備える。そして、上記共振器の上記メサ型箇所の側面に形成された上記絶縁層の一部の厚みが、当該メサ型箇所の高さ方向に沿って一様に、他の箇所よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１では、レーザ導波路ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。導波路ベクトルＬＧＶと投影成分ＶＣＰとの成すズレ角ＡＶは、−０．５度以上＋０．５度以下の範囲にあることができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９が、ｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。レーザ構造体１３では、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】単一横モードで、偏光方向が安定している、高出力面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板１１１上に下部ＤＢＲ層１１２と活性層１１４と上部ＤＢＲ層１１５を形成し、前記活性層及び前記上部ＤＢＲ層に形成したメサ１３０と、中央部分に開口部を有する上部電極１１８と、前記基板の裏面に形成された下部電極１１９とを有する面発光レーザにおいて、前記開口部内における光強度プロファイルのうち、基本横モード光のプロファイルの高い強度を示す領域である光出力中心部を含む第１の領域１５１と、前記開口部内における前記第１の領域以外の領域となる第２の領域１５２と、を有し、前記第１の領域は、前記光出力中心部と、前記光出力中心部から外側に突出する３つ以上の凸部１５１ｂを有し、前記第１の領域の反射率よりも前記第２の領域の反射率が高くなるように、前記第１の領域または前記第２の領域の少なくともいずれか一方に誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一基本横モード動作をさせつつ、偏光方向を安定化させることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 射出領域内に、屈折率１．４５のＳｉＯ_２からなる誘電体層の上に、屈折率１．８７のＳｉＮからなる誘電体層がそれぞれλ／４の光学的厚さで積層され、反射率を高くする高反射率領域１１６を有し、該高反射率領域１１６は、射出領域の中心部を含んで設けられ、射出領域に平行な面内の互いに直交する２方向において、形状異方性を有している。また、射出領域内には、ＳｉＮからなる誘電体層がλ／４の光学的厚さで、高反射率領域１１６を取り囲むように形成され、反射率を低くする低反射率領域１１５を有している。 （もっと読む）

本発明の種々の実施の形態はモノリシックＶＣＳＥＬアレイを対象とし、モノリシックＶＣＳＥＬアレイにおいて、各ＶＣＳＥＬは、異なる波長においてレーザ光を放射するように構成することができる。一実施の形態では、モノリシック面発光レーザアレイは、反射層と、発光層１０２と、２つ以上の非周期的なサブ波長回折格子を用いて構成される回折格子層１１２とを備える。各回折格子は反射体とともに空洞共振器を形成するように構成されており、各回折格子は、１つ以上の内部共振器モードを実現し、かつ回折格子を通って放射される１つ以上の外部横モードを実現する回折格子パターンを用いて構成される。 （もっと読む）

本発明の種々の実施形態は、少なくとも１つの単層の非周期的サブ波長回折格子を含む共振器を備える面発光レーザを対象とし、一実施形態において、面発光レーザは、非周期的サブ波長回折格子１２２を用いて構成される回折格子層１１２、反射層、及び回折格子層と反射体との間の配置される発光層１０２を備える。非周期的サブ波長回折格子は、１つ又は複数の内部共振器モードの形状を制御し、かつ面発光レーザから放射される１つ又は複数の外部横モードの形状を制御する回折格子パターンを有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、長期信頼性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、及びコンタクト層１０９などが積層されている。そして、レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出方向からみたときに、ｐ側電極１１３の一部がモードフィルタ１１５の一部を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜（１１５Ａ、１１５Ｂ）を有し、Ｚ軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域１０８ｂが位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】基本横モードを維持しつつ偏光制御を安定化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成された下部メサＭ２と、下部メサＭ２上に形成された上部メサＭ１とを含む。上部メサＭ１には、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６、ｐ型の酸化制御層１２０、活性層１０４が含まれ、下部メサＭ２には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２、ｎ型の酸化制御層１３０が含まれている。酸化制御層１３０は、酸化制御層１２０よりも活性層１０４に近く、酸化制御層１３０の酸化領域１３０Ａの面積は、酸化制御層１２０の酸化領域１２０Ａの面積よりも大きい。 （もっと読む）