【課題】光学部品との結合が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、モノリシックに形成された発光部２０と光制御部３０とを有する。ｎ型のＧａＡｓ基板１００には、ｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０６と、ｐ型の上部ＤＢＲとが積層される。光制御部３０は、発光部２０で発せられた光を基板の主面と略平行な方向に伝播させ、かつ伝播された光を吸収または増幅する。また、光制御部３０の表面には、反射部１２４が形成され、反射部１２４は、上部ＤＢＲ１０８からから入射された光を収束させ、一定方向へ反射させる。 （もっと読む）

【課題】水平の遠視野像と垂直の遠視野像が同じ高出力の光を出射することができる面発光レーザダイオードを得る。
【解決手段】ｎ型の半導体基板１上に、ｎ型クラッド層２、活性層３、及びｐ型クラッド層４が順に積層されている。ｐ型クラッド層４内に２次の回折格子６が設けられている。２次の回折格子６のパターンは、同心円状の円形である。ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４、及びｐ型コンタクト層５を含む活性領域７も円形である。 （もっと読む）

【課題】高い単一基本モード出力で偏光安定性をもち、等方性の高いビーム断面形状で、ビーム発散角の小さく、高い歩留で安定して製造することができる面発光レーザを提供する。
【解決手段】 面発光レーザアレイの各発光部は、ｚ軸方向からみたとき、射出領域が、中心部を含み相対的に反射率が高い第１半導体表面構造体領域１１６Ｂと、相対的に反射率の低い第２半導体表面構造体領域１１６Ａとを有している。そして、各発光部における電流狭窄領域１０８ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも短い形状である。また、各発光部における第１半導体表面構造体領域１１６Ｂの形状は、ｚ軸方向からみたとき、ｙ軸方向に平行で中心を通る長さが、ｘ軸方向に平行で中心を通る長さよりも長い形状である。 （もっと読む）

【課題】主としてＦＦＰに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層１０１と、窒化物半導体からなりＩｎを含む第１層１０２ａと窒化物半導体からなりＩｎを含まない第２層１０２ｂとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０７と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層１１１と、を順に備える。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の遠視野像を狭くすること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられたｎ型の下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２上に設けられ、複数の量子ドット３８が形成された量子ドット層３０と複数の量子ドットを覆うバリア層３２とが交互に複数積層された量子ドット活性層１４と、量子ドット活性層上に設けられたｐ型の上部クラッド層１６と、を備え、量子ドット活性層は、複数のバリア層のうち最も高い屈折率を有するバリア層よりも下部クラッド層側及び上部クラッド層側にあるバリア層の少なくとも一方で、バリア層の屈折率が、最も高い屈折率を有するバリア層から下部クラッド層又は上部クラッド層に最も近いバリア層に向かって低下する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】面内の基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造のフォトニック結晶を用いた構成のもとで、２次元的に対称な強度分布を有するレーザ発振が容易に可能となる２次元フォトニック結晶面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層と、該活性層の近傍に設けられた２次元的に周期的な屈折率分布を有する２次元フォトニック結晶と、を備えた２次元フォトニック結晶面発光レーザであって、
前記２次元フォトニック結晶は、面内の２つの基本並進ベクトルの長さが異なる格子構造を備え、
前記格子構造の単位格子に含まれる格子点を構成する部材の形状が、前記２つの基本並進ベクトルの方向に対して異方性を有し、
前記格子点を構成する部材の形状の異方性によって、前記格子点を構成する部材の形状が等方的である場合に比べて結合係数の差が小さくなる構成とされている。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲において、縦モードがマルチモード発振特性及び温度特性を安定に維持し且つ温度特性が良好な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１０１上に、第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成され、活性層１０４に電流を注入するためのリッジストライプ１１１を有する第２のクラッド層１０５と、リッジストライプ１１１の両側に形成され、電流がリッジストライプ１１１に狭窄されるようにするための電流狭窄層１０９とを有する発光部を備える。ここで、電流狭窄層１０９の下面から活性層１０４の上面までの距離ｄ１が所定の範囲の値である。また、電流は、リッジストライプ１１１を通過した後、活性層１０４に到達するまでにリッジストライプ１１１の幅以上に広がっている。 （もっと読む）

【課題】レンズ系を介して高強度のレーザ光を出力できる半導体レーザおよび半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】屈折率導波構造を有する導波路の出力端面側から出力したレーザ光を、レンズ系を介して出力する半導体レーザであって、前記導波路は、前記出力端面とは反対側の後端面側から順次、等幅に形成された第１狭幅部と、前記第１狭幅部よりも幅広の広幅部と、前記広幅部よりも幅狭の第２狭幅部と、前記第１狭幅部と前記広幅部との間に形成された、前記広幅部に向かって拡幅する第１テーパ部と、前記広幅部と前記第２狭幅部との間に形成された、前記第２狭幅部に向かって縮幅する第２テーパ部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ファーフィールドパターンのアスペクト比を調整可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】レーザダイオードＬＤでは、活性層６９の屈折率がブロック層７６のIII族構成元素それぞれのモル比によって規定される単結晶III族窒化物半導体の屈折率より大きい。レーザダイオードＬＤにおいて、活性層６９がｎ型III族窒化物半導体クラッド層６５と及びｐ型III族窒化物半導体クラッド層７３との間に配置されると共に活性層６９の第１の部分６９ａ及びブロック層７６が法線軸Ｎｘに交差する基準面に沿って配列されるので、２つのクラッド層６５、７３及びブロック層７６の利用により、活性層６９の上下左右に低屈折率の領域を配置できる。 （もっと読む）

【課題】安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ-ＩｎＰ基板１０と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３と、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａと、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８と、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂと、半導体レーザエピタキシャル膜からなるｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とを備え、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａにこのｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ中に回折格子のｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６を形成し、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をリッジに形成し、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８はｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率を高くした。 （もっと読む）

【課題】高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。
【解決手段】一電導型の第１の窒化物半導体層（１０７）と、前記一電導型とは逆の二電導型、もしくは高抵抗のＡｌＩｎＮにより形成された第２の窒化物半導体層（１０８）とが直接積層されていて、前記第２の窒化物半導体層（１０８）に、前記第１の窒化物半導体層（１０７）が露出するような開口部（１１２）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命の、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ｎ型ＧａＮ光導波層６、活性層７、アンドープＧａＮ光導波層１７、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９、ｐ型ＧａＮ光導波層１０、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１８およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させて半導体レーザを製造する場合、ｎ型ＧａＮ光導波層６からｐ型ＡｌＧａＮキャップ層９まではＮ₂ 雰囲気で成長を行い、ｐ型ＧａＮ光導波層１０からｐ型ＧａＮコンタクト層まではＮ₂ とＨ₂ との混合ガス雰囲気で成長を行う。 （もっと読む）

【課題】より真円に近い断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、第１領域１１２と、第２領域１１４と、を有する第１表面１１０を備える第１基板１００と、第１領域１１２に順次積層された第１クラッド層２０４、活性層２０６、第２クラッド層２０８を有する半導体層２００と、第１表面１１０と対向し、かつ、第３領域３１２と、第４領域３１４と、を有する第２表面３１０を備える第２基板３００と、を含み、第１領域１１２と第３領域３１２との間には、半導体層３００が配置され、活性層２０６は、第１側面２０５と、第１側面２０５と対向する第２側面２０７と、を有し、第１側面２０５および第２側面２０７の少なくとも一方には、出射端面２２２，２２４が設けられ、出射端面２２２，２２４から出射される光は、互いに対向する第２領域１１４と第４領域３１２との間の導波領域２０内を伝搬する。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて低閾値電流を実現し、かつ、発光効率が向上された半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザダイオードは、基板１と、この基板１上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造２とを含む。基板１は、ｍ面を主面としたＧａＮ単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造２は、ｐ型クラッド層１８およびｎ型クラッド層１４と、これらに挟まれたｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５と、これらに挟まれたＩｎを含む活性層１０とを備えた半導体レーザダイオード構造を有している。ｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５は、それぞれ、活性層１０に近づくほどＩｎ組成が大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。
【解決手段】クラッド層にリッジストライプ１１を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ１１のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域１４を形成する。高抵抗領域１４は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域１４が形成された部分のリッジストライプ１１ではこの高抵抗領域１４の間の部分が電流注入領域となる。 （もっと読む）

【課題】横方向に光閉じ込め増加により、発振閾値電流が小さい、放射光のアスベクト比は低い半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】第１導電型半導体基板上に形成された第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の上に量子井戸構造を含む活性層と、前記活性層の上にストライプ溝を有する第２導電型半導体層とを備え、前記ストライプ溝部下の活性層の一部を無秩序化させて、前記無秩序化される領域とリッジ部間の第２導電型半導体層の中に活性層まで領域の一部が不純物を熱拡散法によって第1導電型半導体に変更されるものを持つことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リッジ側壁部の絶縁膜の剥離を防止し、ファーフィールドパターンを改善した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体基板１０と、ＧａＮ系半導体基板１０上に配置されたｎ型半導体層（１２、１４、１６）と、ｎ型半導体層（１２、１４、１６）上に配置されたＩｎを含むＩｎＧａＮ活性層１８と、ＩｎＧａＮ活性層１８上に配置されたｐ型ＧａＮガイド層２２と、ｐ型ＧａＮガイド層２２上に配置され、リッジ形状を含むｐ型超格子クラッド層２６と、ｐ型超格子クラッド層２６のリッジ形状の側壁上に配置され、金属層または元素半導体層からなる密着層２３と、密着層２３上に配置された絶縁膜２４とを備える窒化物半導体素子１およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】光やキャリアの閉じ込め効率が高く、遠視野像がガウシアン形状で単峰である窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２本の溝と、前記２本の溝に挟まれたストライプ状の凸部と、を有するチップ基本単位が複数配列されたウエハを準備するウエハ準備ステップと、前記ウエハ上に、第一導電型クラッド層と、活性層と、第二導電型クラッド層と、を含む窒化物半導体層を結晶成長させる結晶成長ステップと、前記ウエハを前記チップ基本単位に分割するチップ分割ステップと、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光のスポットの対称性が高い２次元フォトニック結晶レーザを提供する。
【解決手段】 板状部材１５１内に該板状部材１５１とは屈折率が異なる同一形状の異屈折率領域（空孔）１５２Ａ〜１５２Ｄが周期的に多数配置された２次元フォトニック結晶１５と、該２次元フォトニック結晶の一方の側に設けた活性層と、を備え、前記異屈折率領域が少なくとも２方向に同じ周期を有する格子の格子点に設けられており、前記異屈折率領域が、前記格子が有する２つの基本逆格子ベクトルの方向についてフィードバック強度が異なる形状を有し、を含むスーパーセル１５４を単位とする周期構造を有し、スーパーセル１５４内の全ての異屈折率領域１５２Ａ〜１５２Ｄによるフィードバック強度の和が前記２つの基本逆格子ベクトルの各方向において等しくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有し、かつ、従来に比べて真円形状に近いレーザ光の形状を得ることが可能な半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】この半導体レーザ素子は、ｎ側クラッド層２上に形成された活性層３と、活性層３上に形成され、凸部と凸部以外の平坦部４ａおよび４ｂとを有するｐ側クラッド層４とを備えている。そして、ｐ側クラッド層４の平坦部４ａおよび４ｂは、光出射側の共振器端面１０ａ近傍の領域Ａ１に位置する平坦部４ａと、領域Ａ１以外の素子の中心領域を含む領域Ｂ１に位置する平坦部４ｂとを含み、平坦部４ａの厚みｔＡ１は、平坦部４ｂの厚みｔＢ１よりも小さい。 （もっと読む）