【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１のゲイン部３に注入するゲイン電流を制御する制御部３８または、過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 漏れ光の入射を低減しつつ、反射戻り光を発生しにくい構成のフォトニック結晶面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】 レーザ発振を起こす複数の第１のフォトニック結晶領域と、面外方向への光回折を起こす第２のフォトニック結晶領域と、第２のフォトニック結晶領域の上に設けられている波長λの光を吸収する光吸収体を有する。第１のフォトニック結晶領域の放射係数は、第２のフォトニック結晶領域の放射係数より小さい。 （もっと読む）

【課題】戻り光による光量変動が極めて少ない面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板形成された前記基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザと、前記基板を設置するための凹部が設けられているパッケージと、前記凹部とともに前記基板を囲むように、前記面発光レーザの光の出射側において、前記パッケージと接続される透明基板と、を有する面発光レーザモジュールにおいて、前記面発光レーザのメサ上部に形成された電極に囲まれた領域内に、前記光における反射率の高い領域と反射率の低い領域とが形成されており、前記反射率の高い領域と前記反射率の低い領域により定まる前記光の偏光方向において、前記透明基板が、前記基板面に対し傾斜していることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に光半導体素子が並列に複数個配置されてチップ幅が広くなった場合においても、光出射端面での反射を防止しつつ、レンズなどの光学部品を最適に配置することが可能となる構成の半導体光集積素子を提供する。
【解決手段】半導体光集積素子１１の構成を、光を出射するための光出力導波路１６が、光出射端面１１ｂに対して斜めに形成され、チップ幅W（ｍｍ）が、光出力導波路１６の角度θ₁（deg）として、W ＞ 5.5／θ₁を満たしている半導体光集積素子であって、光出力導波路１６の光出射位置が、光出力導波路１６が傾斜している側の半導体光集積素子１１の辺１１ｃから前記光出射位置までの距離をΔY（μｍ）、光出力導波路１６の屈折率をｎ₁、光出力導波路１６の角度をθ₁（deg）としたとき、150μm ＞ ΔY×n₁×sinθ₁を満たすように配置されていることを特徴とする構成とする。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

傾斜歪像ファイバレンズ（２８）を利用することにより光ファイバ（１４）に光学的に結合された半導体利得素子（１２）を有し、波長選択式前面反射器（２６）を含む、レーザ装置。そのレーザ装置は、出力特性が向上しており、例えば、増幅部が高利得量を生成する際でも、レーザ発光が高い線形性で出力される。そのようなレーザ源は、ファイバ増幅器又は周波数２倍システム用の励起レーザ等の、様々な用途にも利用することができる。半導体利得素子（１２）は、内部共振器端面（１８）を備えた曲がった導波路と実質的に平行な傾斜ファイバレンズ先端（３０）とを有し、外部共振器ＬＤの波長及び強度の不安定性を防止する。
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【課題】六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、戻り光による撹乱の低減を可能にするレーザ共振器を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ共振器となる第１及び第２の割断面２７、２９がｍ−ｎ面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子１１は、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用するために、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。第１及び第２の割断面２７、２９は、第１の面１３ａのエッジ１３ｃから第２の面１３ｂのエッジ１３ｄまで延在する。割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。角度αは角度βと異なり、角度αと角度βとの差が０．１度以上である。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑制するとともに、光量変動の少ない光を射出することができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 レーザチップ１００は、面発光レーザアレイであり、各発光部は、基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ、コンタクト層１０９が積層されている。そして、レーザ光の射出領域内に、該射出領域の中心部を挟むように設けられ、反射率を中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜（１１５Ａ、１１５Ｂ）を有し、Ｚ軸方向からみたときに、誘電体膜によって挟まれる領域の内側に、電流通過領域１０８ｂが位置するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】パッケージに収容された発光素子アレイの各発光素子から出射された光ビームの戻り光が、近隣の発光素子に入射して及ぼす影響を低減できる発光装置を提供する。
【解決手段】同一平面に配列するように設けられ、各々が平面の一方の側に光ビームを出射する複数の発光素子を有する発光素子アレイ２４５と、一方の面に形成された、発光素子アレイ２４５を固定するための固定部２４６ａ−１を備え、発光素子アレイ２４５が固定部２４６ａ−１に固定されたパッケージ２４６−１と、発光素子アレイ２４５の出射面２４５ａ側に設けられ、発光素子アレイ２４５を保護する透明なカバー部材４１０とを有する。カバー部材４１０は、一の発光素子から出射された光ビームがカバー部材４１０に反射された反射光が、一の発光素子に隣接する発光素子に入射する方向と、平面に垂直な方向との角度が所定の角度以上になるように設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振器の長手方向に対して交差する分割線によって電気的に２領域以上に分離されている窒化物半導体レーザ素子において、自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性とを両立する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｐ側電極とｎ側電極と共振器とを含み、該ｐ側電極および該ｎ側電極のうち少なくとも一方は、該共振器の長手方向に対して交差する分割領域によって電気的に２領域以上に分離されており、前記分割領域によって分離された少なくとも１領域の可飽和吸収領域の非励起状態のキャリア密度が、他の少なくとも１領域である利得領域の活性層の非励起状態のキャリア密度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン注入の困難な半導体による材料系においても、屈折率に分布をつけずに導電性分布を形成することが可能となる半導体素子の製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、
ドーパントを含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層を一部除去することによって、前記半導体層上に凹凸構造を形成する工程と、
前記凹凸構造が形成された半導体層を、該半導体層を構成する材料がマストランスポートを起こす温度で熱処理し、
前記凹凸構造の凹部の空孔を前記半導体層を構成する材料で埋設することにより、前記半導体層中に前記凹凸構造を反映した導電性分布を形成する工程と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子において、可飽和吸収領域のキャリア寿命を短くし、以って良好な自励発振特性を得ること（すなわち容易に自励発振すること）を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともｎ型窒化物半導体層と活性層とｐ型窒化物半導体層とｐ側電極とｎ側電極と共振器とを含み、該ｐ側電極および該ｎ側電極のうち少なくとも一方は、該共振器の長手方向に対して交差する分割領域によって電気的に２領域以上に分離されており、該活性層の少なくとも一部は、ｐ型の導電型であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作帯域幅の拡大が期待できる光注入レーザにおいて、注入レーザからの光を主レーザに効率的に吸収させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】主レーザ１０と、主レーザ１０に光を注入する注入レーザ１２とが同一基板１４上に集積化されている。注入レーザ１２の共振器方向は主レーザ１０の共振器方向と異なる。注入レーザ１２は単一モードレーザである。注入レーザ１２の発振波長は、主レーザ１０の吸収波長のピークである。これにより、注入レーザ１２からの光を主レーザ１０に効率的に吸収させることができる。また、注入レーザ１２が複数のレーザからなり、その複数のレーザの注入光の強度は、主レーザ１０の共振器方向の電界分布が一様となるように、それぞれ主レーザ１０の共振器方向で異なることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】広い光出力範囲及び広い温度範囲に亘って安定的な自励発振を維持することができる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ１００は、半導体基板１０１の上に形成された下部クラッド層１０３と、下部クラッド層１０３の上に形成された活性層１０５と、活性層１０５の上に形成された第１上部クラッド層１０７と、第１上部クラッド層１０７の上に形成され、メサ構造を有する第２上部クラッド層１０９と、第２上部クラッド層の両側面上及び第２上部クラッド層の両側面から第２上部クラッド層の両側の領域の少なくとも一部の上に連続して延在し、活性層のバンドギャップ以下のバンドギャップを有する高次モードフィルタ層１１１と、高次モードフィルタ層１１１上を含む第２上部クラッド層の両側の領域上に、活性層のバンドギャップよりもバンドギャップが大きい層１１２を含むブロック層ＢＬＫと、を備える。 （もっと読む）

【課題】広帯域な波長帯域を有し且つ短波長側の光の再吸収損失を抑制することができる半導体光増幅器及び波長可変光源装置を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器３０のＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層１６は、２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂ、入力された光を光導波路１６Ａ、１６Ｂに分波する分波部１６Ｃ、光導波路１６Ａ、１６Ｂからの光を合波する合波部１６Ｄを含む。２つの光導波路１６Ａ、１６Ｂは、一方の光導波路が、短波側の予め定めた第１の中心波長に対して利得を有するように形成され、他方の光導波路が第１の中心波長と異なる長波側の予め定めた第２の中心波長に対して利得を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】分離溝での光の反射を低減して、安定に動作することができる光半導体装置を得る。
【解決手段】光半導体装置は、光導波路コア層１４を含む光半導体素子１０と、光半導体素子１０の上面において光導波路コア層１４の延在方向に沿って並べて設けられた第１及び第２のアノード電極２０，２２とを備える。光半導体素子１０の上面には、第１のアノード電極２０と第２のアノード電極２２の間において、第１のアノード電極２０と第２のアノード電極２２のアイソレーション抵抗を高くするために分離溝２６が設けられている。分離溝２６は、第１のアノード電極２０側にある第１の壁面３２と、第２のアノード電極２２側にある第２の壁面３４とを有する。第１及び第２の壁面３２，３４の法線Ｎと光導波路コア層１４の延在方向との角度は６度以上９０度未満である。 （もっと読む）

【課題】広い波長帯域にわたって低反射率を有する反射膜を備えた半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子は、活性層と、前記活性層を挟む２枚のクラッド層とからなる導波層を含む積層構造体と、前記積層構造体の一対の相対する端面部のうち少なくとも一方の端面部に形成された多層反射膜とを備え、前記多層反射膜は、それぞれの膜の屈折率ｎ_ｉと膜厚ｄ_ｉとの積ｎ_ｉｄ_ｉの総和Σｎ_ｉｄ_ｉが、前記導波層を導波する光の波長λについて、Σｎ_ｉｄ_ｉ＞λ／４の関係を満足すると共に、前記多層反射膜は、反射率が前記波長λの場合の反射率Ｒ（λ）を基準として−１％から＋２．０％の範囲内となる前記波長λを含む連続する波長帯域幅Δλを、前記波長λで割った値Δλ／λが０．０６２以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、光導波路の終端部での端面残留反射に起因した内部反射を低減可能な光機能デバイスを提供することにある。
【解決手段】本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。そして、前記半導体界面が前記基板端面に対して平行ではなく、所定の角度をもって形成する。 （もっと読む）