【課題】発光素子の点灯状態と消灯状態との切り替え速度をさらに向上する技術を提供する
【解決手段】入力信号に同期して発光素子の点灯状態と消灯状態とを切り替える駆動回路が提供される。この駆動回路は、制御端子を有し、制御端子の電位に依存して値が変化する駆動電流を発光素子へ供給する駆動電流供給部と、入力信号に同期して制御端子の電位を変化させることによって、発光素子の点灯状態と消灯状態とを切り替える制御部と、制御端子の電位の変化を促進する補助電流を制御端子へ供給する補助電流供給部とを備える。補助電流供給部はキャパシタを有し、入力信号に同期してキャパシタに印加される電圧が変化し、キャパシタの電圧変化によって補助電流が生成される。 （もっと読む）

【課題】バイアスティーのような外付けの部品を用いずとも低電圧で高速動作ができる半導体レーザー駆動回路を提供する。
【解決手段】 入力端子から入力される入力信号に基づき、出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、バイアス電流、及び前記入力信号の第１周波数以下の周波数成分を有する第１供給信号を供給する第１供給部と、前記入力信号の第２周波数より大きい周波数成分を有する第２供給信号を供給する第２供給部と、を備える半導体レーザー駆動回路。 （もっと読む）

【課題】 バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＭＦの既存光通信システムにおける波長資源創出の際に、経済的に新規波長帯を加えることができ、且つ送信側から離れていても当該波長帯の光信号を受信できる光アクセスシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】光アクセスシステム３０１は、シングルモードファイバ５１と、所望の波長域においてパルス圧縮効果が得られるようにシングルモードファイバ５１の波長分散特性に応じた周波数チャープ特性の光パルスを出力する直接変調型レーザ１１を有する光送信器１００と、シングルモードファイバ５１を介して直接変調型レーザ１１からの光パルスを受信する光受信器２００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と、自励発振半導体レーザ１の発振期間においては、所定の周期で変動する負のバイアス電圧を自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部に印加して、発振光の発振周波数を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置１１０を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用いて記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】温度調整点の数を少なくして設定作業の手間を軽減しつつ、安定した光出力の制御を可能にする。
【解決手段】ＬＤに供給するバイアス電流Ｉｂｉａｓ及び変調電流Ｉｍｏｄを調整するＬＤの駆動方法であって、常温、高温、および低温の三温度の環境下で、所定の光出力強度を得るためのバイアス電流ＩｂｉａｓをＬＤに供給するとともに、三温度の環境下で所定の消光比を与える変調電流Ｉｍｏｄの値を予め取得する第１ステップと、所定の光出力強度を得るようにＬＤに供給するバイアス電流ＩｂｉａｓをＡＰＣ動作によって制御する第２ステップと、三温度以外の温度の環境下では、第１ステップで取得された三温度における変調電流の値を用いて、当該温度における変調電流Ｉｍｏｄの値を指数関数によって近似することによって算出し、算出値を基にＬＤに変調電流Ｉｍｏｄを供給する第３ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
キャリア応答速度より高速の伝送信号で変調する場合の光信号波形のなまりを改善する。
【解決手段】
ＨＰＦ（１２）は、伝送信号のパルスエッジ成分を抽出する。整流回路（１４Ａ，１４Ｂ）はそれぞれ、抽出されたパルスエッジ成分の、正方向成分と負方向成分を抽出し、増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）が整流回路（１４Ａ，１４Ｂ）の出力を増幅する。加算器（１８，２２）は、伝送信号に増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）の出力及びバイアス電流を加算し、半導体光デバイス（２４）を駆動する。品質測定装置（３０）は、半導体光デバイス（２４）の出力光の信号品質を測定する。制御装置（３２）は、測定された信号品質が向上するように、ＨＰＦ（１２）のカットオフ周波数及び増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）の利得を制御する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成でインピーダンス整合をとりつつ、終端電位の変動を抑制することができる半導体レーザー駆動回路を提供する。
【解決手段】 半導体レーザー駆動回路は、出力端子に接続された半導体レーザーダイオードに駆動電流を供給することで前記半導体レーザーダイオードを制御する半導体レーザー駆動回路であって、一端が第１電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子に電流を供給する定電流源と、一端が前記出力端子に接続され、他端が第２電源端子に接続されたプル型電流回路と、一端が前記第１電源端子に接続され、他端が前記出力端子に接続され、前記出力端子又は前記プル型電流回路の一方に所定の電流を供給するプッシュ型電流回路と、一端が前記プル型電流回路の他端及び前記プッシュ型電流回路の一端に接続され、他端が第２電源端子に接続され、抵抗成分が前記半導体レーザーダイオードの抵抗成分と等しい終端抵抗と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の立ち上がり時間を短縮するための技術を提供する。
【解決手段】駆動信号に応答して発光素子を発光させる駆動回路が提供される。駆動回路は、駆動信号に応答して発光素子への駆動電流の供給を開始する第１電流供給回路と、駆動信号に応答して発光素子への補助電流の供給を開始する第２電流供給回路とを備える。第２電流供給回路は、発光素子に印加されている電圧が閾値電圧に到達したことを検知して補助電流の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】通信品質を向上させること。
【解決手段】光送信器は、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータ。光送信器は、半導体レーザチップと、光アイソレータと、光ファイバスタブと、を備えている。半導体レーザチップは、低温になるほど光の出射パワーが増加する。光アイソレータは、半導体レーザチップから出射された光を通過させる光アイソレータであって、低温になるほど挿入損失が増加する。光ファイバスタブは、光アイソレータを通過した光を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザに印加する電流を、画像形成装置の画素クロックや、半導体レーザ光量の条件ごとに最適な補正を簡単な構成で行うことにより、半導体レーザの発振遅延を補い、且つ、鈍りを抑制した出力波形が得られる半導体レーザ駆動装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ駆動装置では、画素クロックに基づいてレーザ光を発光させる半導体レーザと、前記半導体レーザを発光させるための駆動電流を生成する駆動電流生成部と、前記駆動電流生成部が生成する前記駆動電流の立ち上がり期間に、前記駆動電流を補助する駆動補助電流を生成する駆動補助電流生成部と、前記画素クロックの周波数と前記半導体レーザの光量に対応して、前記駆動補助電流量の値を、ルックアップテーブルとして保持するメモリ部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、回路構成を簡素化しつつ、マルチビームの半導体レーザに対して電流−光量特性の非線形性を補正することができる光学走査装置を提供する。
【解決手段】光学走査装置２は、ＰＤユニット１４により検出される光強度を制御して半導体レーザ１１の光量が所定光量となるようにするレーザ制御装置１２を備える。レーザ制御装置１２は、定電流生成回路４６にて生成される複数の定電流により半導体レーザ１１のＬＤ１〜ＬＤ４の内、所定のレーザビームを発光させて得られる光量値に基づいて電流−光量特性のｎ次近似式（ｎ≧２）を算出し、該ｎ次近似式から半導体レーザ１１の発光開始電流を算出する近似式算出回路４８と、所定のレーザビーム以外の光量制御から得られる電流値と近似式算出回路４８から得られるｎ次近似式からバイアス電流を生成するバイアス電流算出回路ａ５５〜ｄ８５を有する。 （もっと読む）

【課題】時分割多重方式を採用する通信システムにおいて、スループットの向上を図る。
【解決手段】駆動回路６８は、光信号を送信するための発光素子ＬＤに供給すべきバイアス電流を生成するためのバイアス電流源８３と、バイアス電流源８３によって生成されるバイアス電流を発光素子ＬＤに供給するためのバイアス電流供給回路８２と、バイアス電流供給回路８２によるバイアス電流の供給に遅延時間を与えるための遅延回路７１とを備える。バイアス電流供給回路８２は、バイアス電流の生成が開始されてから上記遅延時間が経過すると、バイアス電流を発光素子ＬＤに供給する。 （もっと読む）

【課題】調整が容易でコスト削減を図ることのできる光送信器の調整方法を得る。
【解決手段】プリバイアス信号とバーストゲート信号と連続モード信号の組合せにより、レーザダイオードのハイレベルとローレベルの光出力を行う。この光出力の光レベルを測定し、その測定値に基づいて、レーザダイオードの光出力パワーと消光比特性が予め定められた規格の範囲に入るように調整する（ステップＳＴ２〜ＳＴ４）。調整された変調電流とバイアス電流の値を変調電流駆動回路とバイアス電流源の設定値とする（ステップＳＴ５）。 （もっと読む）

【課題】 一様な光出力レベルの高速光パルス列を生成し得るレーザダイオード駆動回路、並びに、レーザダイオードの温度依存性による光出力レベルのバラツキを抑制して高精度測定を可能とした光時間領域反射測定器を提供する。
【解決手段】 レーザダイオード１８の駆動電流をオンオフ制御するスイッチング素子（ＦＥＴ１７）と、増幅器１２で増幅されたパルス信号を積分してスイッチング素子の制御電極（ＦＥＴ１７のゲート電極）に供給する積分回路１０と、を備え、レーザダイオード１８の温度依存性による光出力レベルの低下分を積分回路１０の積分動作によって相殺する。 （もっと読む）

【課題】光源としての半導体レーザに供給されるバイアス電流の調整によって光出力の自動的な制御が行われる構成において、黒レベルが変化することを抑制し、良好で安定した画質を得る。
【解決手段】光源としての半導体レーザに供給されるバイアス電流及び変調電流を制御する電流制御部は、走査部によるレーザ光の走査位置が、走査部によるレーザ光の全走査領域のうち表示画像を形成する有効走査領域外である無効走査領域にある状態で、半導体レーザの電流−発光量特性に基づき、光検出部により検出された光量の最小値（黒レベル）が、あらかじめ設定された第１の目標値となるように、変調電流の変調幅を調整した後（Ｓ３１〜Ｓ３３）、光検出部により検出された光量の最大値（白レベル）が、あらかじめ設定された第２の目標値となるように、バイアス電流を調整する電流制御を行う（Ｓ３４〜Ｓ３６）。 （もっと読む）

【課題】高いスイッチング周波数でレーザ光源を駆動する場合において、レーザ光源の立ち上がりの遅れに起因する画質の劣化を未然に防止することができる画像形成装置を提供する。
【解決手段】ビデオ信号Ｖｏに応答して発光部１０７を点灯させる際には、スイッチング素子１０６がオン動作し、電流制御回路１０３は、電圧源１０１から出力された電圧Ｖ１に応じて生じた電流を、駆動電流Ｉｄとして発光部１０７に供給する。そして、電流制御回路１０３は、応答制御信号Ｓ８に基づいて、目標電流に対してオーバーシュートした駆動電流Ｉｄを目標電流に収束させる。 （もっと読む）