【課題】欠陥が発生している微小領域を好適に特定する。
【解決手段】検査装置（１）は、検査対象となる半導体素子（１０）に対して、当該半導体素子を駆動させるための駆動電流を供給する駆動手段（１３）と、半導体レーザチップの内部の複数の微小領域に対して、当該微小領域の電子の挙動状態を変化させるためのエネルギーを、微小領域毎に順に付与する付与手段（１１）と、付与手段によって各微小領域にエネルギーが付与される都度、半導体素子の誘電率を検出する検出手段（１４）とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層膜構造の化合物半導体基板の検査において、高精度に品質評価を行える検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、バッファ層及びＧａＮ層が順次積層された化合物半導体基板１０の検査方法であって、バッファ層及びＧａＮの積層方向における断面を露出させる工程（Ｓ１）と、露出した断面にレーザを照射して、その断面のバッファ層、ＧａＮ層、及びバッファ層とＧａＮ層との界面の３点の応力を評価する工程と（Ｓ２）、縦軸を応力値、横軸を測定位置とした座標面に、３点の応力の応力値を各々プロットし、そのプロットした３点の座標面における位置により、化合物半導体基板１０の良否を判断する工程（Ｓ３）とを行う。 （もっと読む）

【課題】 チップ分割時の不良発生率が低減され、歩留まりの向上が図られた半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】 ＧａＮ基板中の主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択する転位密度評価工程と、転位密度評価工程で選択されたＧａＮ基板上に機能素子部を積層した後、チップ状に分割する分割工程と、を有することを特徴とする。ＧａＮ基板上にエピタキシャル層や電極等を形成した後、チップ状に分割する際の欠け、バリ、ひび割れの発生が、ＧａＮ基板の欠陥密度、特に横方向の欠陥密度と深い関係がある。したがって、この横方向の欠陥密度に相当する主面と交差する断面の転位密度を測定し、当該転位密度が一定の数値以下であるＧａＮ基板を選択して用いることで、半導体デバイスの歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。また、前記バリア層の少なくとも一つは、組成が厚さ方向で連続的に変化した層であり、量子井戸層５１の歪を緩衝し、かつ量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層であってもよい。 （もっと読む）

本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
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【課題】 測定精度を維持しつつ、発光素子の内部の劣化の存在を確認できるようにする。
【解決手段】 入射励起光源１３にて生成されたレーザ光を測定試料１９に入射させ、測定試料１９から発生した光励起電流をＯＢＩＣ測定器２０にて測定することにより、測定試料１９の劣化解析を行うに際して、測定試料１９のフォトルミネッセンスピーク波長よりも長波長で、かつ波長差が最大でも１００ｎｍよりも小さい波長のレーザ光を入射励起光として用いる。 （もっと読む）

【課題】 表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）