【課題】 光干渉素子の干渉特性の調整を行うことなく、光干渉素子に入力される入力光の特性を精度よく測定することができる、光干渉素子の入力光の特性測定方法を提供する。
【解決手段】 光干渉素子の入力光の特性測定方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子の入力光の特性測定方法であって、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光の特性を測定する第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層の発光状態を観察することが可能な半導体レーザ素子を提供し、この半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、活性層１８を含む半導体積層と、半導体積層を搭載する主面及び裏面１１ｂを有する基板１１と、裏面１１ｂの上に設けられた電極層２１とを備える。電極層２１は、第１の開口２２、第２の開口２３、第１の側面２１ｃ及び第２の側面２１ｅを有する。第１の開口２２は第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向に第１の側面２１ｃから延在する。第１の開口２２は第２の側面２１ｅから離間する。第１の開口２２と第２の開口２３とは、電極層２１の第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向と直交する方向に電極層２１の一部を挟んでいる。活性層１８は第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスが破損されることなくエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を観察できるエレクトロルミネッセンスの観察方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイス１の第２の電極３２の一部及び基板１０の一部を研磨して、半導体発光デバイス１に研磨面１１を形成する。研磨面１１を形成した後に、第１の電極３１が接触面４０ａに接するように、半導体発光デバイス１ａを支持体４０の上に載置する。プローブ４３を第２の電極３２ａに押し付け、プローブ４３と変形した支持体４０とにより半導体発光デバイス１ａを挟んで、半導体発光デバイス１ａを保持する。第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。研磨面１１を介して該エレクトロルミネッセンスを観察する。 （もっと読む）

【課題】リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体層３、ｐ型半導体層７及びリッジ部１７を有するリッジ型の半導体レーザ１ａの活性層５は第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃからなり、第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃはｎ型半導体層３の表面に沿って順に配置され、リッジ部１７とｐ型半導体層７とは第２の領域５ｂの上において接続されており、第２の領域５ｂはリッジ部１７に沿って延びており、半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂはリッジ部１７に接続しており、スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは第１の領域５ａの上において接続されており、スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは第３の領域５ｃの上において接続されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストに光フェルールと光電変換素子の接合強度を検査可能な光電気変換モジュールの検査方法及び検査装置、該検査を容易に実施可能な光電気変換モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】
光電変換素子７と、光電変換素子７を一端面に装備し、受光部又は発光部１０に対応する位置に光ファイバの片方の端部を位置決めする光ファイバ保持穴４を貫通形成した光フェルール２とを備える光電気変換モジュール１００において、光ファイバ３の片方の端部を光ファイバ保持穴４に挿入して光電変換素子７に突き当てる光ファイバ挿入工程と、光ファイバ３をさらに挿入し、光ファイバ３の挿入力Ｆ１により光電変換素子７を押圧する光電変換素子押圧工程と、押圧後における、光電変換素子７と光フェルール２の接合状態に基づいて、該接合状態の良否を判定する接合状態判定工程と、を少なくとも実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光素子部分を簡便、かつ、短時間で評価できる光モジュール用評価装置。
【解決手段】評価用光モジュール１００と、それに対し電気信号を外部から入力又は外部へ出力する複数の端子１１２を有し、評価用光モジュール１００が装着されるソケット１１０と、を備える光モジュール用評価装置。評価用光モジュール１００は、ベース基板１０１と、ベース基板１０１上に実装された光素子１０２と、ベース基板１０１の端部近傍から互いに略平行に光素子１０２まで延設され、光素子１０２に電気的に接続された複数の電気信号配線１０３、１０４と、を備え、各複数の電気信号配線と、ソケットの各複数の端子１１２とが、当接するように、複数の電気信号配線１０４の形成領域が、ベース基板１０１の端部において広がっている。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの検査のためのＥＬ測定において、この測定のために半導体光デバイスに行われる加工による影響を低減できる半導体光デバイスの検査方法を提供すること。
【解決手段】基板、基板上において所定の軸方向に延在する半導体メサ、及び半導体メサを埋め込む埋込層を含む半導体積層体と、半導体積層体の表面上の絶縁膜と、絶縁膜及び半導体メサの主面上に設けられた第一電極と、基板に設けられた第二電極と、を含む半導体光デバイスを準備する工程（Ｓ１）と、絶縁膜上の第一電極に、エレクトロルミネッセンスを観察するための開口を形成する工程（Ｓ２）と、開口を形成した後に、第一電極と第二電極とを電源に接続する工程（Ｓ３）と、半導体光デバイスに電流を印加してエレクトロルミネッセンス発生させる工程（Ｓ４）と、開口を介したエレクトロルミネッセンスのパターンを検査する工程（Ｓ６）とを備える半導体光デバイスの検査方法。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善可能な半導体レーザを作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子を作製する方法は以下の工程を含む。工程Ｓ１０３では、第１〜第ｎのパターン部を含むパターンの配列を有する第１のマスクを用いて半導体領域をエッチングして、第１〜第ｎのパターン部にそれぞれ対応する回折格子用の第１〜第ｎの周期構造を半導体領域の各素子区画に形成する。工程Ｓ１０４では、第１のマスクを除去した後に、半導体領域の第１〜第ｎの周期構造上に活性層を成長する。工程Ｓ１０５では、活性層の利得ピークを見積もるための評価を行う。この評価の結果に基づいて、工程Ｓ１０６では、第１〜第ｎの周期構造から所望の周期構造を決定する。工程Ｓ１０７でマスクを形成した後に、工程Ｓ１０８では、このマスクを用いて所望の周期構造の位置に合わせて電流閉じ込め構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】回折格子の結合係数の変化によって素子特性の変動を低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光法又はナノインプリンティング法を用いてマスク３１を半導体領域１３上に形成する。マスク３１の第１のパターンは、素子サイズに対応したサイズ値ＬＸで周期的に半導体領域１３の第１のエリア上に設けられる。マスク３１の第２のパターンは、半導体領域１３の第２のエリア上に設けられる。マスク３１を用いて半導体領域１３をエッチングして、第１のパターンに対応する回折格子用の周期構造４２ａ〜４２ｇと第２のパターンに対応するモニタ構造物４４とを形成する。該周期構造４２ａ〜４２ｇの形状のモニタ用のモニタ構造物４４を測定すると共に、測定の結果に基づき周期構造４２ａ〜４２ｇから所望の周期構造を選択して、所望の周期構造を含むストライプメサを形成する。 （もっと読む）

【課題】
プロセス後の光半導体装置の偏波特性の予測を可能とする、半導体積層構造の非破壊的な評価方法及び光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体基板の上に形成された、活性層となる第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された、クラッド層となる第２の半導体層とを備えた半導体積層構造に、ｓ偏光した第１の光を異なった第１の入射角から順次入射させて第１の発光波長を測定し、更に、前記半導体積層構造に、ｐ偏光した第２の光を異なった第２の入射角から順次入射させて第２の発光波長を測定する第１の工程と、前記第１の入射角に対する前記第１の波長の関係と、前記第２の入射角に対する前記第２の波長の関係に基づいて、前記第１の半導体層を活性層として形成される光半導体装置の偏波依存性を予測する第２の工程とを具備すること。 （もっと読む）

【課題】簡易で迅速なアレイ型発光素子の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】電気信号を光信号に変換する発光素子が一次元又は二次元のアレイ状に複数形成されているアレイ型発光素子の検査を行うためのアレイ型発光素子の検査装置であって、相互に異なる複数の周波数の信号を発生させる信号発生器と、前記相互に異なる複数の周波数の信号に対応して、前記アレイ型発光素子における発光素子を各々発光させるための駆動ドライバと、前記アレイ型発光素子より発光した光を受光し電気信号に変換する受光素子と、前記受光素子における信号を前記周波数ごとに出力解析するスペクトル分析装置と、を有することを特徴とするアレイ型発光素子の検査装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バーンイン試験や故障判定を行うことができる光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】光伝送モジュール１０は、レーザ光を出射するＶＣＳＥＬ１８と、変調用電流供給手段４０、バーンイン用電流供給手段４２、スイッチ手段４４および故障判定手段４６を含むＩＣチップ１６とを備える。スイッチ手段４４は、リード端子２２ｂからの制御信号Ｃに応答して、通常モードのとき、変調用電流供給手段４０からの駆動電流をＶＣＳＥＬ１８へ供給し、試験モードのときバーン引用電流供給手段４２からのバーンイン用駆動電流をＶＣＳＥＬ１８に供給し、故障判定モードのとき故障判定手段４６からの測定用信号をＶＣＳＥＬ１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】保護筐体から分離した状態でのレーザモジュールの使用を禁止して、より安全性を向上させることが可能なレーザモジュールを提供する。
【解決手段】レーザモジュール４は、制御部５０が接続用素子２４，２５を介して保護筐体１とレーザモジュール４とが分離したことを検知すると、レーザモジュール４内のリチウムイオン電池１１が設置された回路を短絡させるように、制御部５０がスイッチ素子２７に対して指令を送る。そして、レーザダイオード８に対して、リチウムイオンを用いた電池１１からレーザダイオード８の駆動電圧とは逆向きの３Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】各発光素子からの出射光に影響されずにバーンインできる発光素子ウェハを提供する。
【解決手段】基板（１１）と、基板に形成された複数の発光素子（１２）および共通端子（１３）と、を有する発光素子ウェハ（１）において、複数の発光素子は、少なくとも発光層（１７）を具備し、複数の発光素子は、少なくとも発光層の長軸方向に配列され、かつ、互いに溝（２０）により区画されており、溝の長軸方向の長さが、発光素子からの出射光によって隣接する発光素子に影響を及ぼさない所定値（Ｌ）以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された活性層を含むコア層の偏光特性を高感度に測定する。
【解決手段】半導体基板１の上面に形成された活性層を含むコア層７へ励起光１２を照射し、出射するフォトルミネッセンス光２０のＴＥモードとＴＭモードの強度比を測定して活性層の偏光特性を分析する活性層の評価方法において、コア層７上にコア層７と屈折率が異なる半導体層８を形成して、半導体基板１、コア層７及び半導体層８からなるスラブ型光導波路を構成する。フォトルミネッセンス光がコア層に閉じ込められて光導波路を構成するので、長い励起領域で光増幅がなされる結果、各モードの光強度差が拡大され、光強度差が高感度に測定される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でチップ毎に共振器長のずれが許容範囲内であるか否かを判別可能な半導体レーザ装置の製造方法およびその製造工程における半導体レーザバーの検査方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１導電型のクラッド層、活性層、第２導電型の第１クラッド層、および第２導電型の第２クラッド層を順次結晶成長させ、第２導電型の第２クラッド層を加工して、ストライブ状の複数のリッジ構造部５を形成し、リッジ構造部５の長手方向に対し直交する方向にへき開させて、レーザバー１を形成する。リッジ構造部５の長手方向に所定の間隔を開けて、リッジ構造部５が配列された列を、複数配列し、列は、リッジ構造部５の端部と隣接するリッジ構造部５の他の端部とが、リッジ構造部の長手方向に対して重なり合うように、隣接する列とリッジ構造部の長手方向にずらし、リッジ構造部５の端部が隣接するリッジ構造部５の端部と重なる領域をへき開させる。 （もっと読む）

【課題】発光出力及び応答特性が良く、かつ発光に必要な順方向電圧の上昇を抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。また、前記バリア層の少なくとも一つは、組成が厚さ方向で連続的に変化した層であり、量子井戸層５１の歪を緩衝し、かつ量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】光素子を基板に実装した状態で光素子及び光導波路の検査が可能な光電子回路基板を提案する。
【解決手段】第１の光導波路１３Ａには、合流光導波路１４が設けられ、第２の光導波路１３Ｂには、分岐光導波路１５が設けられている。導入用開口１４０から第１の検査用光信号２０を合流光導波路１４に導入し、合流光導波路１４から第１の光導波路１３Ａを伝播する第１の検査用光信号２０を第１の光モジュール１２Ａが、受信したか否かによって光電子回路基板１の検査を行うことができる。また、第１の光モジュール１２Ａから送信された光信号２が、第２の光導波路１３Ｂを伝播し、その光信号２の一部が、分岐光導波路１５に伝播する。分岐光導波路１５から取出用開口１５０を介してその光信号２の一部を、第２の検査用光信号２１として、受光装置４が受信したか否かによって光電子回路基板１の検査を行うことができる。 （もっと読む）