【課題】本発明は、酸化物超電導層の成膜時には制御し難い人工ピンを酸化物超電導層の形成後に導入することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材の上方に中間層と酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体において前記酸化物超電導層に人工ピンを導入する方法であって、成膜後の酸化物超電導層に加熱急冷処理を施した後、該酸化物超電導層上に人工ピン材料の薄膜を形成し、次いで加熱処理することにより前記薄膜中の人工ピン材料を前記酸化物超電導層に拡散させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と高い配向性及び高い臨界電流を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 ０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、複数のＲＥ１２３に対応する組成の仮焼成膜の間に、少なくとも１つのＲＥ’１２３に対応する組成の仮焼成膜が介在した多層構造からなる仮焼成膜を経由することにより、大きい膜厚、高い配向性及び１ｃｍ幅あたり２００Ａを超える高い臨界電流をもつ、多数の積層欠陥を含む超電導膜が製造され、さらに、塗布熱分解法における仮焼成工程の一部を特定の波長と強度を持った紫外エキシマランプ光の照射処理で置き換えることにより、全工程を熱エネルギーで行った場合より大きい膜厚で高い配向性および高い臨界電流が得られる。 （もっと読む）

【課題】 バルク体全体の臨界電流密度の向上および制御により疑似永久磁石等の性能を大幅に改善でき、また、現存の加速器により実施可能で、しかも、複数のバルク体の臨界電流密度のばらつきを抑制してアンジュレータの性能向上も図れるバルク超伝導体の臨界電流密度制御方法、及びアンジュレータ用バルク超伝導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 バルク状の第二種超伝導体に対し、エネルギーが前記バルク体を透過可能な大きさで、かつ、柱状欠損の生成閾値よりも低い粒子ビームを照射して臨界電流密度の制御を行った。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸素富化過程を含む酸化物超電導バルク材料の製造方法において、十分に高い超電導特性を得ることのできる酸化物超電導バルク材料の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶状のＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（ＲＥはＹ又は希土類元素から選ばれる１種又は２種以上の元素、−０．１≦ｘ≦０．１、６.８≦ｙ≦７．２）中にＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅が微細分散した酸化物超電導バルク材料の製造方法であって、溶融状態から徐冷中に結晶成長させた酸化物超電導バルク材料の酸素量を酸素富化過程において富化する前に、１０００Ｋ以上、１２５０Ｋ以下の温度で前記結晶成長させた酸化物超電導バルク材料を熱処理する酸素富化前熱処理過程を有することを特徴とする酸化物超電導バルク材料の製造方法である。 （もっと読む）