【課題】タッチパネルに用いた際のペン入力耐久性を改良することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】透明なプラスチックフィルム１１の片面に、クッション層１２／透明樹脂層１３／硬化性高分子硬化層１４／透明導電性薄膜１５の順に積層してなる透明導電性フィルム１の製造方法であって、クッション層は、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン系樹脂から選択される樹脂と架橋剤から構成され、硬化性高分子硬化層は、硬化性高分子を硬化剤により形成された架橋構造を有するアクリル系硬化層またはポリエステル系硬化層であり、かつ硬化性高分子硬化層の透明導電性薄膜側を、サンドプラストやエンボス加工、グローまたはコロナ放電の照射、酸性水溶液またはアルカリ性水溶液による処理のいずれかを用いて表面処理することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 廉価な低純度のジエチル亜鉛原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として利用し、製膜コストを低減する。
【解決手段】 低純度（９９．９９〜９８％又は９９．９９〜９０％）のジエチル亜鉛を原材料として用い、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法によりＺｎＯ系透明導電膜を作製する。酸化剤としての水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）と前記原料中に不純物として含有するトリエチルアルミニウム添加剤として転用し、（更に、添加剤としてジボランを添加し、）前記ジエチル亜鉛と、前記水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）と、トリエチルアルミニウムと、（ジボランと）を気相反応させてＺｎＯ系透明導電膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 透明導電板の電気抵抗を引き下げつつ、その光透過性を向上させうる新規な構
成を提供する。また、この透明導電板の製造方法、および当該透明導電板を備えた光電変
換素子を提供する。
【解決手段】 光透過性基板１４と、その第１主面上に設けられた集光曲面１３と、その
第２主面上に設けられた、集電体１１および光透過性導電膜１５と、を含み、第２主面が
、集電体１１が形成された第１領域と集電体１１が形成されていない第２領域とを有し、
第１主面側から当該主面に垂直な方向に沿って第１領域へと入射する光の少なくとも一部
を第２領域に導くように、集光曲面１３が形成されている透明導電板１０とする。この透
明導電板は、例えば感光性レジストを用いて製造できる。 （もっと読む）

本発明は、適切な強度およびパルス幅のマイクロ波パルスがプラズマを発生するためにマイクロ波注入デバイスを介して注入される反応器のプラズマ室内で、導電性透明被膜またはＴＣＯ被膜を基板に付着するプラズマ・インパルスＣＶＤ方法（ＰＩＣＶＤ方法）に関する。マイクロ波注入デバイス上での導電性被膜の形成は、保護デバイスによって特に抑制されるが、これは、そうしないと、マイクロ波透過率の減衰によってプラズマ強度が低減され、それによって結局プラズマ形成が妨げられるからである。層形成を抑制するために使用される保護デバイスは、たとえば、プラズマ室とマイクロ波注入デバイスの間のマイクロ波透過性被膜、マスキングまたは分離デバイス、たとえば、一定の間隔で、任意選択で清浄化されるかあるいは取り替えられるフィルムまたは接着テープでもよい。そのような基板はまた、被膜デバイスまたは分離デバイスとして使用されることもできる。層の所望しない形成はまた、プラズマ室内のガス組成を制御することによって効果的に抑制されることもできる。マイクロ波注入デバイスおよび／または保護デバイスは、マイクロ波透過を実質的に妨げず非導電性または弱導電性である被膜が堆積される温度レベルまで冷却できる。本発明はまた、本発明の方法を実施するＰＩＣＶＤ反応器にも関する。 （もっと読む）

成膜装置は、２２０ｃｍ²以上の面積を有する下地（１）上にＣＶＤによって透明導電膜を堆積するための成膜室（３）と、有機金属蒸気を含む第１のガスを輸送する第１のガス管と、酸化剤蒸気を含む第２のガスを輸送する第２のガス管と、第１と第２のガス管を結合させて第１と第２のガスを混合するためのガス混合空間（１２）と、そのガス混合空間おいて混合された反応ガスを成膜室内へ導入するガス導入手段（１０）と、成膜室から排ガスを排出するための排気装置（６）とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄い膜厚でも高い表面凹凸を有する透明導電膜を有する透明基体を提供する。本発明の製造方法は、透明基体上に金属化合物、酸化原料および塩化水素を含有する原料ガスを供給し、熱分解酸化法によって透明基体上に結晶性金属酸化物を主成分とする透明導電膜を形成する工程を含み、上記工程が、原料ガスにおける金属化合物に対する塩化水素のモル比が０．５〜５である第１工程と、上記モル比が２〜１０であって第１工程における上記モル比より大きい第２工程とを、この順に含む。本発明によれば、透明導電膜の厚さが３００ｎｍ〜７５０ｎｍで、ヘイズ率が１５％以上である透明導電膜付き透明基体を提供できる。
（もっと読む）