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Fターム[5G323BB03]の内容

電線ケーブルの製造 (4,138) | 導電層の形成 (1,338) | CVD法 (86)

Fターム[5G323BB03]に分類される特許

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【課題】薄くて傷の無い透明導電膜を耐熱性の低い基材に形成し、低抵抗で導電性に優れた導電基材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電基材10は、第一基材11と、この第一基材11の一面11aに、接着層12、補強層13および透明導電膜14が順に重ねて配されてなる。第一基材11は、例えば樹脂製の基板から構成されれば良い。補強層13は、例えば、導電性高分子膜または金属膜から構成されれば良い。 (もっと読む)


【課題】透明であり、導電性に優れる導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性積層体10は、透明基材11と、透明基材11の少なくとも片面に形成された金属系電極層12と、金属系電極層12の表面に形成された導電性高分子層13とを有し、導電性高分子層13が、π共役系導電性高分子と酸からなるドーパントと水とを含有する導電性高分子混合液に中和処理を施したpH4〜10の導電性高分子溶液から形成された層である。本発明の導電性積層体の製造方法は、透明基材11上に金属系電極層12を形成する工程と、金属系電極層12上に導電性高分子溶液を塗布して導電性高分子層13を形成する工程とを有し、導電性高分子溶液として、π共役系導電性高分子と酸からなるドーパントと水とを含有する導電性高分子混合液に中和処理を施したpH4〜10の溶液を用いる。 (もっと読む)


【課題】フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積(APCVD)によって高堆積速度でガリウムまたはアルミニウムドープ酸化亜鉛膜を作り、比較的安価な前駆体物質を利用し、望ましい低抵抗率特性を有する被覆ガラス物品を生産する。
【解決手段】コーティングがその上に堆積されることになる基材表面を有し、その表面が少なくとも400℃の温度にあるような高温ガラス基材を提供することによって、低抵抗率のドープされた酸化亜鉛被覆ガラス物品が形成される。基材表面に、亜鉛含有化合物、酸素含有化合物及びアルミニウムまたはガリウム含有化合物が方向付けられる。亜鉛含有化合物と、酸素含有化合物と、アルミニウムまたはガリウム含有化合物とが、アルミニウムドープ酸化亜鉛コーティングまたはガリウムドープ酸化亜鉛コーティングが5nm/秒超の堆積速度で基材表面上に形成されるのに十分な時間の間、混合される。 (もっと読む)


【課題】ZnO系透明導電膜のエッチング速度を、パターニングに適した速度に制御することを課題とする。
【解決手段】 基板上にZnOにMgが添加された透明導電膜を形成する工程と、HClを含むエッチング液を用いて上記透明導電膜をパターンニングする工程とを含む透明電極の形成方法により解決される。上記透明導電膜には、さらにAl、B、Gaから選定された1種又は2種以上が添加されている。本発明によれば、ZnO系透明電極のエッチング速度を遅くすることが可能になり、それによりパターニングの際の制御性の向上が図れるという効果がある。 (もっと読む)


本発明による起伏のある透明導電層は、光電装置用の基板に堆積され、隆起部と窪み部との繰り返しによって形成された表面形態を有する。この導電層は、前記窪み部が、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有すること、この窪み部が実質的に平滑であり、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であること、及びその側面が前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°であることによって特徴付けられている。 (もっと読む)


【課題】 メンテナンス周期が長く、安価な透明導電膜付基板の製造方法、またその製膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも2枚以上の製膜面を対向して設置された基板上に化学気相蒸着法(以下CVD法)を用いて酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜の製膜を実施するにあたり、各基板の製膜面を結んで構成される1つ以上の製膜空間外にガス供給体を設置し、該ガス供給体を通して、該製膜空間へと基板と平行に1方向に原料ガスを供給することを特徴とする、透明導電膜付基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を製膜可能な透明電極膜の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)SnClとHOとをO/Sn第1比で含む第1原料ガスを、不活性ガスで第1希釈率で希釈して供給し、基板の上方に第1透明導電膜を形成する工程と;(b)SnClとHOとをO/Sn第2比で含む第2原料ガスを、不活性ガスで第2希釈率で希釈して供給し、第1透明導電膜上に第2透明導電膜を形成する工程と;(c)SnClとHOとをO/Sn第3比で含む第3原料ガスを、不活性ガスで第3希釈率で希釈して供給し、第2透明導電膜上に第3透明導電膜を形成する工程とを具備する透明電極膜の製膜方法を用いる。ただし、O/Sn第1比は、O/Sn第2比及びO/Sn第3比よりも大きい。第1希釈率は、第2希釈率及び第3希釈率よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】シート抵抗値が200〜1000Ω/□であって、かつ、均一性に優れたITO膜を成膜する方法を提供すること。
【解決手段】スパッター法又はパイロゾル法により膜中のスズ含有量がインジウムに対して10〜40重量%、かつ膜厚が150Å以上となるように成膜して、膜のシート抵抗が200〜1000Ω/□、シート抵抗の均一性が6.1%以内かつ比抵抗が5×10−4以上となるようにすることを特徴とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。成膜後、酸素を含む雰囲気中で200℃以上の温度で加熱処理することにより、より高抵抗の膜を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルムおよびこのフィルムを用いたタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム11/クッション層12/透明樹脂層13/透明導電性薄膜層14の順に形成された積層体を含む透明導電性フィルム102の製造方法であって、クッション層12が、共重合ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリウレタン樹脂及びシリコン系樹脂から選択される樹脂と架橋剤から構成され、ダイナミック硬度が0.005〜2であり、透明樹脂層13が、共重合ポリエステル樹脂又はポリアミドイミド樹脂からなる、ことを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】減圧雰囲気を必要とせず、結晶配向性を任意に制御した高品位の透明導電膜を低温で安定的に形成することができる透明導電膜の製造装置及び製造方法並びに透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造装置は、原料を含む反応ガスを導入するガス導入管と、プラズマ発生用上部電極及び下部電極と、上部電極と下部電極との間にプラズマ発生用の電圧を印加するプラズマ発生用電源とを備え、上部電極3には、原料を含む反応ガスを通過させるための開口端が円形状の孔12が縦横に所定の間隔をおいて形成され、これらの孔12の開口端の総面積は、上部電極3の表面3aの面積の1%以上かつ70%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低いエネルギーのレーザ光の照射であってもアブレーション現象が起こり、問題なくパターニングできる酸化錫薄膜が付いた透明基板の製造方法の提供。
【解決手段】透明基板上にキャリア濃度が5×1019/cm以上である透明導電膜を有する薄膜付き透明基板に、波長が1064nmのレーザ光を照射して前記透明基板上に回路パターンを形成する、回路パターン付き透明基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 生産性に優れ、基材の表面温度が300℃以下で形成でき、低キャリア密度、高キャリア移動度及び低抵抗率の透明導電膜及びその形成方法を提供することである。
【解決手段】 大気圧または大気圧近傍の圧力下で、反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上にキャリア密度が1×1014〜1×1019/cm3、キャリア移動度が1〜100cm2/V・secである透明導電膜を形成する透明導電膜の形成方法において、前記反応性ガスが少なくとも酸化性ガス及び還元性ガスを含有し、その比(酸化性ガス/還元性ガス)が0.1〜50体積%であり、かつ放電空間外に導入するガス中の酸素濃度が0.001〜3体積%であることを特徴とする透明導電膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性の劣る基材上に結晶性が高く低抵抗な透明導電膜を設ける際に、優れた均一性を有する透明導電膜を低コストで形成可能な、透明導電膜付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る透明導電膜付き基板の製造方法は、第一基材の一面に透明導電膜を配してなる透明導電膜付き基板の製造方法であって、前記第一基材より耐熱性の高い第二基材を用い、該第二基材の一面に前記透明導電膜を形成する工程Aと、前記第一基材の一面に対し、接着手段を介して前記透明導電膜を貼付する工程Bと、前記第二基材のみ取り除く除去手段を用い、前記第一基材、前記接着手段及び前記透明導電膜からなる積層体を残存させる工程Cと、を少なくとも順に具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
低電圧で駆動させることができ、かつ長期間に亙って安定な導電特性を維持できる透明導電性基板、及びこの透明導電性基板を用いる有機EL素子等の光学的素子を提供する。
【解決手段】
基板と、該基板表面に形成された透明導電膜と、及び該透明導電膜上に、式(1):R−Si−X4−n(式中、Rは置換基を有していてもよいC1〜20の炭化水素基等を表し、nは1〜3の整数を表す。)で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜の層を有することを特徴とする透明導電性基板、並びに、互いに対向する2つの電極間に発光層を必須の層として設けた光学的素子において、前記電極の少なくとも一方が、前記透明導電性基板からなることを特徴とする光学的素子。 (もっと読む)


【課題】 化学的に安定で、毒性がなく、導電性・透明性共に良好であり、容易かつ安価に膜形成が可能な透明導電性成形物を提供する。
【解決手段】 SiOx(Xは0.5以上2.0未満)と酸化ビスマス(Bi23)を含有し、体積固有抵抗が0.01Ωcm未満である透明導電性成形物。 (もっと読む)


【課題】 少量の添加にて、マトリックスの特性を損なわずに、電気的特性を制御性良く改善し、かつ良好な透明性を発揮してなる透明導電膜および透明導電膜用コーティング組成物を提供する。
【解決手段】 樹脂マトリックス中に炭素繊維構造体を分散させてなる透明導電膜であって、前記炭素繊維構造体は、外径15〜100nmの炭素繊維から構成される炭素繊維構造体であって、前記炭素繊維構造体は、前記炭素繊維が複数延出する態様で、当該炭素繊維を互いに結合する粒状部を有しており、かつ当該粒状部は前記炭素繊維の成長過程において形成されてなるものであることを特徴とする透明導電膜である。ガラス基板上に膜厚0.1〜5μmに形成された場合おいて、表面抵抗値1.0×1012Ω/□以下、全光線透過率が30%以上である特性を有する。当該透明導電膜を形成するコーティング組成物は、平均粒子径0.05〜1.5mmのビーズを用いたメディアミルで、炭素繊維構造体を分散させて調製されることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】
基材のカールおよび変形防止、透明導電膜の剥離防止および低抵抗化を可能にした透明導電膜積層体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
基材の少なくとも片面に透明導電膜が形成されており、透明導電膜は少なくとも1層以上の積層構成であり、透明導電膜は1層ごとに紫外線照射によるアニール処理がなされており、透明導電膜は、膜内部のどの部分においてもアモルファスの混在しない結晶に起因するX線回折ピークが観察される透明導電膜積層体とする。 (もっと読む)


【課題】
熱や曲げなどの機械的負荷が加わっても、導電性を維持できるフレキシビリティ性を有する透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
可とう性の透明基板へ透明導電膜を形成した後に、該透明導電膜の表面へ、好ましくはレーザーが連続発振タイプであり、レーザー光の波長が400〜1200nmである可視域から赤外域の波長を有するレーザー光を照射して表面処理を施し、160℃のオーブンで1時間保持した後に常温に戻す操作を3回繰返す熱サイクル試験においても、透明導電膜にクラックが発生しないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、エッチング性に優れ、低抵抗値、高い透過率、良好な表面平滑性を併せ持つ透明電極及び透明電極の製造方法を提供することである。
【解決手段】 透明基材上に透明高屈折率層と金属粒子とを交互に積層し、総膜厚が30nm以上、100nm以下であって、かつ表面抵抗値が1Ω/□以上、13Ω/□以下であることを特徴とする透明電極。 (もっと読む)


【課題】MOCVD(有機金属化学的気相成長)法により、透明導電膜を多層構造で連続的に製膜するための製膜装置及び製膜方法に於いて、原料を節約し、均一で高品質な膜質を保持しつつ製膜速度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】多層透明導電膜連続製膜装置は、基板装着部2と、真空排気を行う仕込み部3と、有機金属化合物(ジエチル亜鉛)とジボランと水を気相で反応させMOCVD法により透明導電膜を基板上に形成する製膜処理部41〜4nを複数有する多層製膜処理部と、基板取り出し部5と、基板取外し部5と、基板セッターを基板装着部へ戻させるセッターリターン部7とからなり、前記各部を順次移動しながら基板に多層透明導電膜を連続的に製膜する。各製膜処理部は、有機金属化合物とジボラン、水の夫々を噴射するノズルを設け、これらを冷却する冷却機構を設ける。 (もっと読む)


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