【課題】アクティブマトリクス型液晶表示装置に対し出力デバイスとしての機能に加え入力デバイスとしての機能を付加することで、応用機器の一層の小型化を達成する。
【解決手段】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、走査線２Ｆ，２Ｇ，２Ｈの列と、信号線２Ｄ，２Ｅの列と、各走査線と各信号線が交差する部分にマトリクス状に配された画素１Ｂとを備えている。各画素１Ｂは、液晶素子と、薄膜トランジスタで構成された表示回路２Ａと、同じく薄膜トランジスタで構成された受光回路とを含む。表示回路２Ａは、走査線２Ｆにより選択された時信号線２Ｄから入力された映像信号に応じて液晶素子を駆動し、以ってマトリクス状の画素１Ｂに映像を表示する。受光回路は受光素子３Ｄを含み、表示回路２Ａが動作していないときに選択され、画素１Ｂに入射する光量に応じた受光信号を別の信号線２Ｅに出力する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池パネルによる発電量を増加可能とすること。
【解決手段】 外部機器（不図示）の電力入力コネクタ（不図示）を電力供給コネクタ９に挿したことが検出されたときに、コレステリック液晶パネル１４の外周部の画素を全て透明とし、中央部の画素にコンテンツを表示させるようにした。そのため、コレステリック液晶パネル１４を透過する光量を増やすことができ、太陽電池パネル１５に入射する光量を増加させ、その入射光量が増加することで太陽電池パネル１５による発電量を増加させることができ、外部機器（不図示）に大きな電力を安定供給することができる。 （もっと読む）

【課題】 接合基板上に例えば非単結晶シリコン半導体と単結晶シリコン半導体とを混在させると共に、ＣＯＧ技術によるディスプレイパネル製造よりも高い生産性を有し、接合工程を±１μｍ以内の高精度で行い、接合した単結晶シリコン基板から細い多数の配線に接続でき、高精度で高機能のディスプレイ半導体を効率的にかつ省スペースで製造し得る半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体構造の少なくとも一部が形成された１個以上の単結晶Ｓｉ基板１０を、表面にエッジ３２ａを有する位置決め用基板３０上に載置し、１個以上同時に位置決め用基板３０の表面に平行にエッジ３２ａまで移動させて位置決めした後、一時固定する。単結晶Ｓｉ基板１０を、多結晶Ｓｉガラス基板４０における、位置決め用基板３０のエッジ３２ａに対応させた設定位置に一括で接合する。 （もっと読む）

ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの開口率及び透過率を向上させることができる、指紋認識素子を内装した型液晶表示装置が開示される。指紋識別基板４００は、ＴＦＴ基板３００に取付けられる。該ＴＦＴ基板は、カラーフィルタ３３６と薄膜トランジスタがセルフアラインされるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有する。薄膜トランジスタ基板のカラーフィルタと薄膜トランジスタとのアライン不良を除去してミスアラインを減少させることができ、開口率を大きく向上させてディスプレイ特性を向上させることができる。また、ガラス基板数を減少させ、透過率が増加されることによって、指紋認識の感度を更に向上させることができる。
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【課題】 配線パターンの引き回しが容易になったり、基板の小型化を図ったりすることができる半導体素子の実装構造等を提供する。
【解決手段】 基板に対して、フェイスダウンボンディングするためのバンプ電極群を備えた半導体素子と、基板上の配線パターンと、を電気接続した半導体素子の実装構造等であって、バンプ電極群が、半導体素子の一辺に沿って配列された第１のバンプ電極列と、半導体素子の対向する一辺から所定距離だけ離して、実質的に直線状に面内配置された第２のバンプ電極列とを含み、基板上に、第１のバンプ電極列に対応した第１の配線パターンと、第２のバンプ電極列に対応した第２の配線パターンとがそれぞれ形成してあり、かつ、鉛直方向に眺めた場合に、第１の配線パターンが半導体素子の一辺と交差するように引き出して形成してあるとともに、第２の配線パターンが、半導体素子の一辺以外の複数辺と交差するように引き出して形成してある。 （もっと読む）

【課題】
アモルファスシリコンの光による抵抗変化によって、静電破壊保護素子が機能しなくなることを防止する。
【解決手段】
アレイ基板１１１とＦＰＣ１６との接続部において、各接続端子２１間を接続する静電破壊保護素子２３が形成されている。静電破壊保護素子２３はアモルファスシリコンで形成された配線であり、光によって抵抗値が変化する。静電破壊保護素子２３はＦＰＣの可撓性基板に覆われており、アモルファスシリコンへの光の照射量を低減することができる。また、静電破壊保護素子２３の抵抗値を適切な値に設定することによって、バックライトなどからの光によって抵抗値が低下しても、静電破壊保護素子として効果的に機能することができる。 （もっと読む）

【課題】 表示領域の周囲に設けられる額縁領域のさらなる狭額縁化を実現した表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、液晶パネル１０に設けられたドライバ回路７と、光出力部１及び受光部２を含む光電変換素子を備えている。光電変換素子の受光部２に発生した電圧がドライバ回路７に印加されることにより、ドライバ回路７の制御によって、液晶パネル１０上のバスライン５に信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 対向電極４６１と、対向電極４６１上に備えられた少なくとも発光層を含む中間層４８７と、中間層４８７上に備えられた画素電極４６２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と絶縁される第１電極４１２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と連結される第２電極４１３と、第１電極４１２及び第２電極４１３と接触するｎ型有機半導体層４８０と、ｎ型有機半導体層４８０の上部に備えられ、第１電極４１２と第２電極４１３及びｎ型有機半導体層４８０と絶縁された第１ゲート電極４１１と、を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタを備えた能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 対向電極４６１と、対向電極４６１上に備えられた少なくとも発光層を含む中間層４８７と、中間層４８７上に備えられた画素電極４６２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と絶縁される第１電極４１２と、画素電極４６２の上部に備えられ、画素電極４６２と連結される第２電極４１３と、第１電極４１２及び第２電極４１３と接触するｐ型有機半導体層４８０と、ｐ型有機半導体層４８０の上部に備えられ、第１電極４１２と第２電極４１３及びｐ型有機半導体層４８０と絶縁された第１ゲート電極４１１と、を含むことを特徴とする有機電界発光ディスプレイ装置である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 透過表示の場合の色純度を維持しつつ反射表示の場合の明度を改善したハイブリッド型の表示装置を提供する。
【解決手段】 ハイブリッド型の表示装置は、互いに対向配置された前後一対の基板１、２と、一方の基板１の内面に設けられた一方の電極１０と、他方の基板２の内面に設けられた他方の電極１１と、一方の電極１０と他方の電極１１とが互いに対向する画素ＰＸＬに整合して前側基板１に設けたカラーフィルタＣＦと、一対の基板１、２の間に配された液晶層３と、後側基板２に設けられた反射層８とを備えている。反射層８は画素ＰＸＬ毎に開口Ｈを有しており、各画素ＰＸＬを開口内の透過部Ｔと開口外の反射部Ｒとに平面分割している。カラーフィルタＣＦは着色層５０と透明層５１の積層からなる。着色層５０は透過部Ｔより反射部Ｒの方が薄く形成されており、透明層５１は透過部Ｔと反射部Ｒの間で生じた着色層５０の段差を埋めるように形成されている。 （もっと読む）