【課題】電圧均一回路を用いることなく、半導体素子の必要個数を減らし、装置の小型化及びコスト低減ができるマルチレベル電力変換器を提供する。
【解決手段】直流電源Ｖ_DCと、該Ｖ_DCの正、負極端間に順次直列接続されたリアクトルＬ，スイッチング素子Ｓ９，Ｓ１０，コンデンサＣ１，Ｃ２，スイッチング素子Ｓ１１，Ｓ１２と、前記Ｃ１，Ｃ２の直列体の両端間に各々接続されたＳ１〜Ｓ４とＳ５〜Ｓ８と、前記Ｓ１，Ｓ２の共通接続点とＳ３，Ｓ４の共通接続点との間に直列接続されたダイオードＤ１，Ｄ２と、前記Ｓ５，Ｓ６の共通接続点とＳ７，Ｓ８の共通接続点との間に直列接続されたダイオードＤ３，Ｄ４と、前記Ｓ１〜Ｓ８のオン、オフ制御によってマルチレベル電圧を切り換える制御手段とを備え、前記Ｄ１、Ｄ２間、Ｄ３、Ｄ４間、Ｃ１、Ｃ２間を共通に接続し、前記Ｓ２、Ｓ３間と、Ｓ６、Ｓ７間を交流出力端子Ａ，Ｂとする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の半導体素子群の発熱ばらつきを活かして、冷却器の冷却性能を向上し、かつ回路のインダクタンスを最小限にして、冷却器の小型化を図る。
【解決手段】ユニット構成する半導体素子群は、冷却器受熱部１に設置され自冷あるいは風冷により放熱するようにし、第１、第４の半導体素子Ｑ１，Ｑ４を冷却器受熱部の下側に配置し、第２、第３の半導体素子Ｑ２，Ｑ３を中央に配置し、第１のダイオードＤ５と第２のダイオードＤ６を上側に配置し、第１、第２の半導体素子Ｑ１，Ｑ２、第３、第４の半導体素子Ｑ３，Ｑ４はそれぞれ冷却器の上下方向の中心線に対し、左右方向で互いに反対側の位置に配置し、第１のダイオードＤ５は、第２の半導体素子Ｑ２と前記中心線に対し左右方向で同じ側に配置し、第２のダイオードＤ６は、第３の半導体素子Ｑ３と前記中心線に対し左右方向で同じ側に配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造が容易な構成の電力変換装置を提供する。
【解決手段】本発明は、３レベルインバータ１０ａ，１０ｂを、２^ｎ個直列に接続してある直列３レベルインバータ群と、直列３レベルインバータ群のうちの２個の前記３レベルインバータの出力を選択する少なくとも１個のスイッチ回路１１とを備える電力変換装置１０である。スイッチ回路１１は、前記直列３レベルインバータ群の隣合う２個の３レベルインバータ１０ａ，１０ｂの出力のうち、いずれか一方を選択することが可能なように２^ｎ−１個接続し、スイッチ回路が２個以上の場合、前段に接続された２個のスイッチ回路の出力のうち、いずれか一方を選択することが可能なように次段のスイッチ回路を順に接続して１つの出力を得る。 （もっと読む）

【課題】４レベル以上のダイオードクランプ形マルチレベルインバータであっても、ＤＣリンクコンデンサの電圧均一性を確保することのできるマルチレベルインバータ回路を提供する。
【解決手段】本発明に係るマルチレベルインバータ回路は、共振形スイッチトキャパシターコンバータを用い手いることを特徴のひとつとする。また、マルチレベルインバータ回路は、マルチレベルインバータ部と、マルチレベルインバータ部とＤＣリンクコンデンサ部を介して接続されるＲＳＣＣ部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチレベルインバータ回路において、スイッチング素子のスイッチング回数を減少させることができ、かつ、中間の電位を制御することができるインバータ装置を提供する。
【解決手段】マルチレベルインバータ回路と制御回路とを備えるインバータ装置において、制御回路が、第１の信号と第２の信号とを組み合わせた第１の指令値信号と、前記第１の信号に対して位相が２π／３だけ遅れた信号と前記第２の信号に対して位相が２π／３だけ遅れた信号とを組み合わせた第２の指令値信号と、前記第１の信号に対して位相が４π／３だけ遅れた信号と前記第２の信号に対して位相が４π／３だけ遅れた信号とを組み合わせた第３の指令値信号とに基づいてＰＷＭ信号を生成するようにした。第１の信号と第２の信号との組み合わせ方により、マルチレベルインバータ回路の中間の電位の変化の振幅および中心電位が変化する。 （もっと読む）

【課題】同期PWM制御を有するマルチレベル電力変換装置あるいは直列多重型電力変換装置において、三角波キャリアの周波数fcの設定の自由度を増すことにより制御系の安定性を向上する。
【解決手段】交流電源電圧を直流電圧に変換し変換された直流電圧を交流電圧に変換する電力変換器を複数備え、該複数の電力変換器の交流出力を組み合わせて多レベルの交流電圧を出力する電力変換装置において、前記電力変換装置は三角波のキャリア信号と正弦波の相電圧指令を比較して前記直流電圧を交流電圧に変換する電力変換器をＰＷＭ制御するＰＷＭ変調器を備え、前記ＰＷＭ変調器に入力する三角波のキャリア信号の周波数と前記相電圧指令の周波数の比は、３の奇数倍の外に、３の偶数倍、３の奇数倍および偶数倍を除く整数倍を含む。 （もっと読む）

【課題】電力供給時の電力消費を小さくすると共に、電源遮断時には当該平滑コンデンサに蓄積された電荷を速やかに放電させることが可能であり、放電を制御するスイッチの耐圧が低く抑えられた放電制御回路を提供する。
【解決手段】第１抵抗器１と第２抵抗器２とが直列接続されて構成されていると共に、平滑コンデンサ９に対して並列に接続されている抵抗直列部３と、第１抵抗器１と並列に接続されると共に、主電源２０と電気回路３０との接続が維持されている際には非導通状態に制御され、主電源２０と電気回路３０との接続が切断された際には導通状態に制御されて第１抵抗器１の両端を短絡させるスイッチ４とを備え、電気回路３０へ直流電力を供給する主電源２０と電気回路３０との間に介在された平滑コンデンサ９に蓄積された電荷を、主電源２０と電気回路３０接続が切断された際に放電させる。 （もっと読む）

【課題】非常時に迅速且つ確実に停止できる共振型電力変換装置。
【解決手段】共振コンデンサ6a〜6dが並列に接続されたノーマリオフ型のスイッチQ1〜Q4を複数個用いて単相又は三相ブリッジ接続した第1スイッチ回路、直流電源1及び第1スイッチ回路に接続され第1スイッチ回路の各共振コンデンサと共振回路を形成する共振リアクトル5及び共振用スイッチQ7を有し、第1スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチをゼロ電圧スイッチングさせる第2スイッチ回路を備え、直流電源の直流電力を第1スイッチ回路で交流電力に変換して出力する装置で、第2スイッチ回路の共振用スイッチはノーマリオン型のスイッチであり、第1スイッチ回路の各ノーマリオフ型のスイッチ及び第2スイッチ回路のノーマリオン型のスイッチはそれぞれ、制御端子と一方の主端子との間を短絡する短絡手段12a〜12fが接続され短絡手段は常時に動作しないよう制御され非常時に動作するよう制御される。 （もっと読む）

【課題】２００Ｖ系電源に接続される倍電圧整流回路とインバータ回路を備えた２００Ｖ系電源用の電力変換装置を提供する。
【解決手段】２００Ｖ系の交流電源（1）に接続され、該交流電源（1）からの電流を倍電圧整流するように構成されたコンバータ回路（20）と、６つのスイッチング素子（31）を有してコンバータ回路（20）により倍電圧整流された直流を交流に変換するインバータ回路（30）を備えている。スイッチング素子（31）は、ワイドバンドギャップ半導体が用いられたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETからなっている。 （もっと読む）

【課題】正、負直流電源の発電能力が異なっている場合でも、正、負直流電源それぞれの最大発電能力を引き出すことを可能にして、システム発電効率の向上を図ることにある。
【解決手段】直流電力を交流に変換するインバータとして中性点クランプ方式インバータ５（ＮＰＣインバータ）を用い、このＮＰＣインバータ５の中性点と直列接続した正側直流電源１Ｐと負側直流電源１Ｎの中性点とを接続する構成とし、その上で、ＮＰＣインバータ５で直流回路の正負電力の分担比率を制御する。 （もっと読む）

【課題】駅から発車するときや駅へ停車するときなどの低速での電動機による耳障りな電
磁音を低減するとともに、トルクショックを防止して乗り心地が悪化することを防止する
ことが可能な鉄道車両駆動制御装置を提供することを目的とする
【解決手段】
車両を駆動する交流電動機と、直流電圧を任意の電圧と任意の周波数の交流電圧に変換し
て前記の交流電動機に交流電力を供給する電力変換手段と、前記電力変換手段が内蔵する
スイッチング素子を各々ＯＮ（導通）・ＯＦＦ（阻止）するためのスイッチング信号を出
力する制御手段を有し、前記制御手段において、スイッチング信号として出力する波形を
、非同期パルス波形から同期パルス波形へ、または同期パルス波形から非同期パルス波形
へ切替える場合に、前記出力周波数と前記搬送波周波数に基づき切替えることを特徴とす
る鉄道車両駆動制御装置。 （もっと読む）

【課題】複数の３レベルインバータ回路を１つのユニットに収納する場合の装置の小形化及び低コスト化に有効な３レベルインバータ回路を提供する。
【解決手段】３レベルインバータ回路３０の各素子パッケージは、取付板１５の平面上に第１の結合ダイオード５、第１のＩＧＢＴ１〜第４のＩＧＢＴ４、第２の結合ダイオード６の順に直線上に配置される。第１及び第２の結合ダイオード５及び６が第１〜第４のＩＧＢＴ１〜４の外側に配置されているので、第１及び第２の結合ダイオード５及び６の絶縁バリア１６及び１７との干渉を避ける必要がある積層接続板９の上部導体板１０を１つの接続導体板で構成することができ、スナバ回路を必要とせずターンオフサージ電圧を抑制することができる３レベルインバータ回路を簡素な形状で構成できる。３相分を１ユニットに収容する場合は、３本のＡＣ引出配線を通すように第２のＩＧＢＴ２と第３のＩＧＢＴ３間の間隙を広げる。 （もっと読む）

【課題】２倍のスイッチング電圧を回避し且つ低次の高調波を低減した電圧を得る。
【解決手段】三相インバータ２のスイッチング動作をPWM制御する制御部４を備えた低次高調波消去PWM制御方式の電力変換装置において、制御部４は、インバータ２の変調率mを演算する変調率演算手段５と、インバータ出力電圧の特定の高調波を低減し且つ三相出力電圧の線間電圧が最大値と３番目に大きい値とを遷移する期間thmを所定の時間だけ確保したスイッチングパターンth1、th2、th3を変調率の大きさ毎に記憶している記憶手段６と、スイッチングパターンと出力電圧指令の位相thとから、インバータのスイッチング素子をオンオフするゲート信号を発生するゲート信号発生手段７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの放電回路において、複数のコンデンサの充電電圧の残留を防止した上で、回路を小型化し、コストを低減する。
【解決手段】スイッチ１２を開放した上で第１のＩＧＢＴ３４ａのゲートに制御信号を入力してオン状態とすると、第１のコンデンサ１３の電圧が第１の放電用抵抗１５、第１のＩＧＢＴ３４ａのルートで放電し、第２のＩＧＢＴ３４ｂのゲートに制御信号を入力してオン状態とすると、第２のコンデンサ１４の電圧が第２のＩＧＢＴ３４ｂ、第２の放電用抵抗１７のルートで放電する。これによりコンデンサ１３，１４の電圧がともに０ボルトまで放電する。これら第１のＩＧＢＴ３４ａと第２のＩＧＢＴ３４ｂのゲートを介在した制御を行なうことで、放電スイッチおよびチョッパスイッチの機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成で歪みの小さい交流電流を発生する交流電流発生回路を提供することを課題とする。
【解決手段】グランド１１ａと直流電源１０との間に直列に接続された第１〜第４のキャパシタ１２ａ〜１２ｄと、一端が各キャパシタの直流電源側の一端に接続された第１〜第４のスイッチ素子１３ａ〜１３ｄと、一端が第１〜第４のスイッチ素子１３ａ〜１３ｄの他端に接続され、他端がグランド１１ｂに接続された第０のスイッチ素子１３ｚと、一端が第１〜第４のスイッチ素子１３ａ〜１３ｄの他端と第０のスイッチ素子１３ｚの一端とに接続され、他端が第２のキャパシタ１２ｂと第３のキャパシタ１２ｃとの間に接続されたインダクタ１４と、第０のスイッチ素子及び第１〜第４のスイッチ素子を、第０，第１，第２，第３，第４の正順序でそれぞれ所定時間づつオンに制御し、次にそれと逆順序でそれぞれ所定時間づつオンに制御する制御回路１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】多レベルの出力が可能な電力変換回路で使用する素子数を最小限にして小型化，低コスト化を可能とする。
【解決手段】例えば、１８ｉｎ１モジュール２Ａと、従来の２レベルインバータ回路に使用されている６ｉｎ１モジュール２Ｂの２台を隣り合わせに設置し、モジュール２Ａでは出力端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３とコンデンサまたは電池１Ａ〜１Ｄの中間電位端子Ａ，Ｂ，Ｃとを結線する一方、出力端子Ｔ４，Ｔ５，Ｔ６と、モジュール２Ｂの出力端子Ｔ７，Ｔ８，Ｔ９とを結線し、負荷（モータ）４に結線して構成する。これにより、Ｖｐ，Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｎの５レベルの電圧出力を可能とする。 （もっと読む）

【課題】３レベルインバータ回路を従来の半導体モジュールを用いて構成すると配線インダクタンスが大きくなり、半導体素子に過大な電圧が印加される。
【解決手段】直流電源のＰＮ間に接続されるＩＧＢＴの直列接続回路と、この直列接続回路の直列接続点と直流電源の中性点との間に接続する交流スイッチ素子を一つのパッケージに内蔵することにより、配線インダクタンスの低減と装置の低価格化を実現する。 （もっと読む）

【課題】短絡故障が生じたとき、直流コンデンサが過電圧となるのを防止し、且つ装置の稼働率を悪化させないようにした３レベルインバータ装置を提供する。
【解決手段】出力側に正及び負の分圧コンデンサ１Ｐ、１Ｎを備え、３レベルの電位を有する直流電源１と、この直流電源１に並列に接続された３組のスイッチングレグ２Ｕ、２Ｖ及び２Ｗと、直流電源１と各々のスイッチングレグ２Ｕ、２Ｖ及び２Ｗの中点間に設けられた遮断器５によって構成する。各々のスイッチングレグ２Ｕ、２Ｖ及び２Ｗの正側アームには正側ヒューズＦ１が、また負側アームには負側ヒューズＦ２が、夫々直列に接続されたスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３及びＱ４と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子にワイドバンドギャップ半導体を用いても装置全体のコストアップを抑えられるような電力変換装置を得る。
【解決手段】主スイッチング素子（13）をＳｉＣ半導体からなるチップによって構成する。そして、そのチップサイズは、オン電圧降下が従来のＳｉ半導体からなるチップと同等以上になるようなサイズにする。これにより、チップの小型化を図ることができ、装置全体の小型化及びコストの低減を実現することができる。 （もっと読む）