【課題】 制御回路部から主回路部へ少ない数のケーブルを用いて、波形をずらすことなくゲート信号を正確に伝送し、電力変換器としての制御性能を劣化を防ぐ。
【解決手段】 実施形態に係る電力変換器制御装置は、複数の電力用半導体素子及び前記複数の電力用半導体素子を駆動するゲート駆動回路から構成される主回路部と、前記ゲート駆動回路に入力されるゲート信号を生成する制御回路部とを備えた電力変換器において、前記制御回路部は、ゲート信号の生成周期毎にゲート信号を符号化する手段と、前記制御回路部から前記主回路部へ、前記生成周期毎にクロック信号を伴わせずにゲート信号を符号伝送する手段とを具備し、前記ゲート駆動回路は、前記生成周期毎にゲート信号を復元し、復元されたゲート信号を前記複数の電力用半導体素子に供給する手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】制御ＩＣの有効利用を図る。
【解決手段】電源からの電圧を昇圧回路で昇圧して直列接続されたｎ個のＬＥＤに供給する電子回路における昇圧回路のトランジスターをスイッチング制御するためのパルス信号を出力する制御ＩＣ３０を使用し、直流電源２２とＬＥＤ２４とを接続する電力ライン２５にトランジスター（ＭＯＳＦＥＴ）４０を設け、制御ＩＣ３０のＤＲＶ端子とトランジスター４０のゲートとに積分回路５０を接続し、積分回路５０によりトランジスター４０をリニア素子として動作させる。これにより、制御ＩＣ３０を高電圧負荷駆動用のＩＣとして用いることができると共に低電圧負荷駆動用のＩＣとしても用いることができ、制御ＩＣ３０に汎用性を持たせることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子の動作状態の情報を外部装置へ伝送するにあたって、情報の数を減らすことなく絶縁素子の使用個数を低減し、装置の小型化と低コスト化、及び、故障率の低減を実現する。
【解決手段】異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子（１ａ、１ｂ）を２個以上直列接続して構成された半導体電力変換装置（１００）であって、それぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、外部装置へ伝送する情報伝送回路部（４ｂ）を備え、情報伝送回路部（４ｂ）は、検知した状態検知情報に応じて、異常検出要因および所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した二値論理信号を単一の絶縁素子（７ｂ）を介して外部装置へ伝送する。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子の過電圧を低減すると共にスイッチング素子の発熱も抑制できる電力変換装置等を提供する。
【解決手段】 電源及び多相電動機と接続され、当該電源から供給される電力を変換して多相電動機に供給する。この時、多相電動機の各相に接続された複数のスイッチング素子のうち、第１スイッチング素子の相電流が正から負となる転流期間（時刻ｔ３：Ｗ相，時刻ｔ４：Ｕ相）と、複数のスイッチング素子のうち、第２スイッチング素子の相電流が負から正となる転流期間（時刻ｔ３：Ｖ相、時刻ｔ４：Ｗ相）とを少なくとも一部で重複させる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、出力電圧の過渡的な変動の検出を抑え、安定して制御できるとともに、応答性が低下しない電力変換装置を提供する。
【解決手段】昇圧コンバータ装置は、デューティ指令を対称三角信号と比較することでＰＷＭ信号を生成している。そのため、対称三角波信号の山谷の頂点のタイミングは、電力変換回路をなす全てのＩＧＢＴがオン又はオフのいずれかの状態となるタイミングである。従って、このタイミングで電力変換回路の出力電圧を保持することで、全てのＩＧＢＴがオン又はオフのいずれかの状態であるときに出力電圧を検出することができる。これにより、ＩＧＢＴのオン、オフの状態が切替わることで発生する出力電圧の過渡的な変動の検出を抑えることができ、安定して制御できる。しかも、フィルタ回路を設ける必要もない。そのため、簡素な構成で電力変換回路の出力電圧を検出できる。また、フィルタ回路による遅れもないことから、応答性も低下しない。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣコントローラを用いた電源装置の軽負荷時における効率を大幅に向上させる。
【解決手段】ＰＦＣコントローラ１０には、電圧／電流変換部１７が設けられている。電圧／電流変換部１７は、出力電圧の電圧レベルを検出する誤差増幅器１１から出力された信号の電圧を任意の電流値に変換し、補正電流として出力する。電圧／電流変換部１７は、誤差増幅器１１が軽負荷時と検出した際に大きな電流値の補正電流を出力し、ＰＦＣコントローラ１０が出力電圧を下げる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】電力使用系に対する供給電力が小さい場合でも断線の発生を確実に認識することが可能な電力制御装置を提供する。
【解決手段】電力使用系３２への電力を制御する電力制御部３６と、電力検出部３８と、電力使用系の動作状態検出部５２と、指示値と動作状態検出部の出力とを比較して電力指示値を出力する偏差比較部５０と、電力検出部と偏差比較部からの出力を比較して比較信号を出力する電力比較部５６と、これより出力される比較信号に基づいて駆動信号を出力する駆動信号生成部５８とを有する電力制御装置において、電力制御部の点弧角がフルになる全点弧状態を検出する全点弧状態検出部７２と、電力使用系へ供給される電流が所定値以下であることを検出する低電流状態検出部７４と、全点弧状態検出部の検出結果と低電流状態検出部の検出結果とに基づいて電力使用系に断線が発生しているか否かを判断して断線判断信号を出力する断線判断部７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】逆阻止ダイオードを不要にし、ダイオード損失を低減すること、逆回復特性を低減すること、さらにはセルフターンオンを抑制する。
【解決手段】デッドタイムの初期時にはＨｉ−ＭＯＳＦＥＴ２とＬｏ−ＭＯＳＦＥＴ３のうちオフする側のゲート信号Ｖｇ１、Ｖｇ２を出力電圧Ｖｏｆｆ１とすることで、第１オフ状態にする。これにより、外付けダイオードＤ１、Ｄ２に電流が多く流れないようにでき、外付けダイオードＤ１、Ｄ２に電流が多く流れることによるダイオード損失を低減することが可能となる。次に、Ｈｉ−ＭＯＳＦＥＴ２とＬｏ−ＭＯＳＦＥＴ３の他方をオンさせる際には、それに先立ってＨｉ−ＭＯＳＦＥＴ２とＬｏ−ＭＯＳＦＥＴ３のうちオフした側のゲート信号Ｖｇ１、Ｖｇ２を出力電圧Ｖｏｆｆ２に切替え、第２オフ状態にする。これにより、外付けダイオードＤ１、Ｄ２に電流を多く流し、逆回復特性を改善することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダンプサージにも耐えられ、省エネが図れる、過電圧保護回路を実現する。
【解決手段】半導体スイッチ１６と、半導体スイッチを制御するＳＷコントローラ１８と、半導体スイッチから供給される電圧の変動を平滑化するリップルフィルタ１９と、入力電圧Ｖinの検出手段１７と、を備え、ＳＷコントローラ１８は、一定振幅の三角波電圧Ｖsigを出力する三角波電圧発生器３１と、入力電圧Ｖinと三角波電圧Ｖsigとの比較に基づいて、Ｖin＜Ｖsigの最小値のときはオン信号、Ｖin≧Ｖsigの最大値のときはオフ信号、Ｖsigの最小値≦Ｖin＜Ｖsigの最大値のときは、Ｖin＜Ｖsigであればオン信号、Ｖin≧Ｖsigであればオフ信号、を半導体スイッチ１６へ出力する電圧比較手段３２と、を備える。 （もっと読む）