【課題】高周波化にも対応可能であり、簡易な回路構成にて簡易な制御を可能とするゲート駆動回路を絶縁型の回路として構成すること。
【解決手段】一次側回路２５は、スイッチング素子Ｓ１，Ｓ２をオンすることにより、直流電源Ｅ１からのエネルギーをトランスＴ１を介して二次側回路３０に生じさせ、二次側回路３０は、トランスＴ１を介し一次側回路２５から得たエネルギーを利用して被駆動素子２を充電すると共に、スイッチング素子Ｓ３をオンすることにより、被駆動素子２に蓄積されたエネルギーを放電し、トランスＴ１を介して一次側回路２５に生じさせ、一次側回路２５は、二次側回路３０から得たエネルギーを直流電源Ｅ１に返還する。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体素子の損失の温度依存性を低減する駆動回路を提供すること。
【解決手段】本発明の電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路は、パワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子を基準として、該スイッチング素子のゲート端子に駆動信号を与える駆動回路と、該スイッチング素子の温度を検出する手段を有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路において、前記パワー半導体スイッチング素子の温度を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させる。 （もっと読む）