【課題】周波数特性及び組立性の向上を図る。
【解決手段】入力基板２は、グランド面の一部がビアホール１１を介して表面に導出され、導出されたグランド面の一部と伝送ライン２ａとの間が膜抵抗１２により接続される。２組の出力基板３，４は、伝送ライン３ａ，４ａから所定距離隔てた位置に電極１３，１５が形成され、電極１３と伝送ライン３ａとの間が膜抵抗１４により接続され、電極１５と伝送ライン４ａとの間が膜抵抗１６により接続される。２組のコンデンサ５，６は、２組の出力基板３，４のそれぞれの電極１３，１５に電気的に接続されるとともにバイアス端子に接続される。ピンダイオードスイッチ７は、バイアス端子への正負電圧の印加により、入力基板２と２組の出力基板３，４との間の伝送路を選択的に切り替える。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内に半導体スイッチと終端抵抗器とを一体的に収納したマイクロ波パッケージを得ること。
【解決手段】半導体スイッチ７が終端側ＯＮ状態である場合に、半導体スイッチ７の入力端７ａに入力されたマイクロ波信号は終端出力端７ｃから、マイクロストリップ線路３、擬似同軸線路４を通して擬似導波管５に導かれる。擬似導波管５に導かれたマイクロ波信号は、下面を構成する金属パターンに配置された膜抵抗器１にて熱へ変換され終端される。膜抵抗器１は、放熱面である金属板に近い位置に配置されている、横幅を擬似導波管５の横幅と同じにできるので、耐電力性が高められる。 （もっと読む）

【課題】回路全体の大型化を抑えつつ、周波数分割複信の通信システムと時分割複信の通信システムが混在する複数の通信システムの送受信の切り換えが可能な高周波回路等を提供する。
【解決手段】時分割複信の第１の通信システムおよび周波数分割複信の第２および第３の通信システムが少なくとも含まれ、共通端子と少なくとも三つの切り換え端子を有する第１のＦＥＴスイッチの前記共通端子は第１のアンテナ端子に接続されるとともに、前記三つの切り換え端子には、それぞれ前記第１の通信システムの第１の送信経路、、受信経路および前記第２の通信システムの第１の送受信経路が接続され、第２のアンテナ端子には前記第３の通信システムの第１の送受信経路が接続される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタチップの対接地容量を低減し、広帯域に亘って通過損を低減する電子回路を提供する。
【解決手段】電子回路は、接地導体面と、接地導体面上に設けられた誘電体基板と、誘電体基板上に設けられた第１の配線及び第２の配線と、誘電体基板上に設けられトランジスタを搭載した第１のチップとを含み、第１の配線にトランジスタのソースが接続され第２の配線にトランジスタのドレインが接続される。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】直列に複数個接続されたそれぞれのＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１〜Ｑ_Ｎ５のソース領域とドレイン領域の間に、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に正電圧を印加する場合と、ソース領域の電位を基準としてドレイン領域に負電圧を印加する場合のいずれの状態においても、ソース領域の電位とドレイン電極の電位が同電位の状態よりも容量が減少する電圧依存性を持つ歪補償用容量回路ＣＡＰＣ２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】可変減衰器及び高周波スイッチの機能を単独回路で構成した高周波回路を得る。
【解決手段】一対の入出力端子１ａ，１ｂ間に２つ以上の伝送線路２ａ，２ｂが直列に接続され、前記入出力端子１ａ，１ｂと前記伝送線路２ａ，２ｂの接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が抵抗４ａ，４ｂを介して接地された少なくとも１つのスイッチング素子を含む第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃと、前記伝送線路２ａ，２ｂ間の接続点にそれぞれ設けられた、一端が該接続点に接続され他端が接地または高周波信号接地部が設けられた少なくとも１つのスイッチング素子を含む第２のスイッチング素子部３ｂと、各前記第１のスイッチング素子部３ａ，３ｃの電流、電圧制御を行う第１の制御回路８ａ，７ａ，７ｃ，５ｅと、各前記第２のスイッチング素子部３ｂの電流、電圧制御を行う第２の制御回路８ｂ，７ｂ，５ｆと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に形成された絶縁層の上にストリップ導体を設けた信号線路における信号のリークを低減させることのできる信号線路の構造と当該信号線路を用いたスイッチを提供する。
【解決手段】ベース２２の上に下絶縁層２３、半導体層２４及び上絶縁層２５を積層し、さらに上絶縁層２５の上面にストリップ導体２６を配線する。この信号線路２１はアイランド化されており、半導体層２４及び上絶縁層２５は、ストリップ導体２６とほぼ等しい幅を有している。 （もっと読む）

【課題】小型化されても、必要十分な端子間のアイソレーションが得られる高周波モジュールを実現する。
【解決手段】積層基板の表層である第１層には、スイッチＩＣのＲＦ用端子電極が実装されるＲＦ端子用ランド１０１〜１０７が一直線上に配列形成されている。これらＲＦ端子用ランド１０１〜１０７はそれぞれビアホールＶＨを介して、第２層の引き回し電極２０１〜２０７の一方端に導通している。引き回し電極２０１，２０３，２０５，２０７は、各ランドを始点としてスイッチＩＣの側壁から外方へ延びるように形成される。一方、引き回し電極２０２，２０４，２０６は、各ランドを始点としてスイッチＩＣの内側へ延びるように、すなわち、引き回し電極２０１，２０３，２０５，２０７と正反対の方向へ延びるように形成される。 （もっと読む）

マイクロ波スイッチアレイは、複数のマイクロ波スロットラインを含む。各スロットラインは、前記スロットラインで分離された一次P型電極及び一次N型電極で形成された第１PIN接合を含む半導体スイッチで制御される。前記スイッチは、前記第１PIN接合に適用される電位に応じてプラズマを前記スロットラインへ注入する。各スイッチは、前記一次P型電極及び二次N型電極間の第２PIN接合、及び、前記一次N型電極及び二次P型電極間の第３PIN接合を含む。金属コンタクトは前記一次P型電極及び前記二次N型電極を第２PIN接合間で接続し、前記一次N型電極及び前記二次P型電極を第３PIN接合間で接続する。前記二次電極は、前記第１PIN接合から拡散するプラズマを取り出し、これによりプラズマ拡散の性能劣化効果を最小化する。
（もっと読む）

【課題】スイッチＭＭＩＣのスイッチング素子を構成するＦＥＴに櫛状パターンのゲート電極を採用した場合、線形性には優れるが、高調波歪み特性が良好でなく、特にハイパワー用途に適用するには限界があった。またＤＰＤＴでは信号経路が変わった場合に櫛状パターンの櫛歯部の先端から高周波信号が伝播することとなり、高周波信号の漏れが大きくなる問題があった。
【解決手段】櫛状パターンのゲート電極を有する第１ＦＥＴと、曲折パターンのゲート電極を有する第２ＦＥＴを組み合わせて多段接続し、スイッチング素子を構成する。またスイッチング素子の両端を櫛状パターンのゲート電極のＦＥＴ（第１ＦＥＴ）とし、ゲート電極を対向させて配置する。ゲート電極の配線部によってパッドから伝播する高周波信号を遮断できる。これにより線形性と高調波歪み特性がいずれも良好なスイッチＭＭＩＣを提供できる。 （もっと読む）

【課題】複数の出力端子間での損失差を抑制した高周波多分岐スイッチを得る。
【解決手段】ＲＦ信号が入力される入力端子１０と、ＲＦ信号を出力する３つ以上の複数の出力端子１１ａ〜１１ｄと、入力端子１０に一端が接続された主線路２０と、主線路２０の他端に接続された分岐点２１と、分岐点２１に一端が接続された複数の分岐線路３０ａ〜３０ｄと、複数の分岐線路３０ａ〜３０ｄの各他端に各一端が接続された複数のスイッチング素子５０ａ〜５０ｄと、複数のスイッチング素子５０ａ〜５０ｄの他端に接続されたグランドＧＮＤと、複数の分岐線路３０ａ〜３０ｄと複数のスイッチング素子５０ａ〜５０ｄとの各接続点に各一端が接続され、かつ各他端が複数の出力端子１１ａ〜１１ｄの各々に接続された複数の高周波線路４０ａ〜４０ｄとを備え、複数の分岐線路３０ａ〜３０ｄのうちの少なくとも１つは、他の分岐線路とは異なる線路長に設定されている。 （もっと読む）

【課題】順列出力が可能で、かつ、各信号経路間、ポート間の特性の均一性が得られる４×４スイッチを提供する。
【解決手段】２×２スイッチを５個用い、信号入力端子１_１〜１_４を接続する第１、第２の２×２スイッチ１２_１，１２_２と後段に配置する第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４との間を第１〜第４の伝送線路５_２１〜５_２４で接続し、第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４それぞれの一方の出力端子を第５の２×２スイッチ１２_５に、他方の出力端子を抵抗４_２５，４_２６を介して第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の一端に接続する。第３、第４の２×２スイッチ１２_３，１２_４の他方の出力端子および第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の他端を、信号出力端子２_１〜２_４に接続する。さらに、第５、第６の伝送線路５_２５，５_２６の他端と第１、第４の信号出力端子２_１，２_４との接続点に第１、第２のオープンスタブ５_３１，５_３２を接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の周波数帯の信号を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールを小型化するのに好適で、電力消費が小さい高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】複数の異なる送受信系の送信回路TX及び受信回路RXとアンテナ端子10との接続を切り替える高周波スイッチ回路であって、アンテナ端子10と送信回路TXとの間に設けられた第１のスイッチ素子を有する第１の高周波スイッチSW1と、アンテナ端子10と受信回路RXとの間に配置され、複数の送受信系の受信信号を分波する分波回路とを具備し、分波回路は通過帯域の異なる帯域通過フィルタ５，６と、各帯域通過フィルタ５，６に接続された位相器３，４とからなり、送信時に第１のスイッチ素子をON状態とし、受信時に第１のスイッチ素子をOFF状態とすることを特徴とする高周波スイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】主にカプラ回路の電極パターンの配置構成を見直し、アンテナスイッチ回路、ローパスフィルタ回路、カプラ回路及び高周波増幅器回路を積層基板内に一体モジュール化した、小型の高周波モジュールを得る。
【解決手段】複数の誘電体層を積層してなる積層基板内に電極パターンにより構成した回路素子と前記積層基板に搭載した回路素子とを用いて、アンテナスイッチ回路、ローパスフィルタ回路、カプラ回路及び高周波増幅器回路を一体化した高周波モジュールにおいて、前記カプラ回路の主線路と副線路は前記積層基板内に電極パターンにより構成され、前記主線路用の電極パターンと前記副線路用の電極パターンとは前記積層体内の異なる誘電体層に設けられ、且つ前記主線路用の電極パターンと前記副線路用の電極パターンとは積層方向の上下方向に分かれて配置されている。 （もっと読む）

【課題】帯域幅を大きく変更可能にする。
【解決手段】誘電体基板（５）上に設けられた、共振周波数における１波長もしくはその整数倍である周長の環状導体線路（２）と、２つ以上の回路開閉器（３_１，３_２）とを備えて、各回路開閉器（３_１，３_２）は、その一端（３１）が環状導体線路（２）に電気的に接続され、その他端（３２）が誘電体基板（５）上に形成された接地導体（４）に電気的に接続され、接地導体（４）と環状導体線路（２）との電気的接続／非接続を切り替え可能であり、各回路開閉器（３_１，３_２）の一端（３１）が環状導体線路（２）に接続する部位は、それぞれ異なるものとした可変共振器とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のゲート幅を大きくすることなく、受信時に低損失、送信時に高耐電力な高周波特性が得られる高周波スイッチを得る。
【解決手段】入力端子１と第１の出力端子２ａとの間に接続された第１の高周波線路３ａと、一端が第１の出力端子に接続された第２の高周波線路３ｂと、入力端子１と第２の出力端子２ｂとの間に接続された第３の高周波線路３ｃと、第２の高周波線路３ｂの他端と第１のグランド端子５ａとの間に接続された第１のスイッチング素子４ａと、第２の出力端子２ｂと第２のグランド端子５ｂとの間に接続された第２のスイッチング素子４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳの通信信号を単一のアンテナで送受信するための高周波モジュールを比較的小型で、安価に構成する。
【解決手段】高周波モジュールには、アンテナに接続するアンテナ入出力端子ＡＮＴにＲＦ１端子〜ＲＦ４端子のいずれかを選択して接続するＧａＡｓＳＷが備えられている。ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子にはローパスフィルタＬＰＦ１を介してＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２が接続され、ＲＦ２端子にはローパスフィルタＬＰＦ２を介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４が接続されている。ＲＦ３端子にはダイプレクサＤｉＰＸ１０を介してＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１とＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４とが接続され、ＲＦ４端子にはダイプレクサＤｉＰＸ２０を介してＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２とＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３が接続されている。 （もっと読む）

【課題】電波暗室の機能を有する室内への目的とする周波数あるいは周波数帯の電波の侵入を制御できる電波シャッターを実現する。
【解決手段】目的とする電波に共振するダイポールアンテナの２つの導電体の間に可変リアクタを挟んで縦列に接続した基本単位を複数を用いたもので、それらを上記可変リアクタのリアクタンスよりも大きなインピーダンスの抵抗体で連結して配列したもの。それぞれの可変リアクタは、上記の抵抗体を介して第１電気的条件、第２電気的条件が印加された場合に、目的電波に対してそれぞれ第１と第１より小さい第２インピーダンスを有するようにすることで、第１、第２電気的条件が印加された場合に、目的電波に対して、それぞれ第１と第１より小さい第２透過率を示すようにする。 （もっと読む）

【課題】高周波複合部品単体で所望のインピーダンスを容易に設定できてＬＮＡとのマッチング調整が不要で、部品点数の低減、小型化が可能な高周波複合部品を得る。
【解決手段】アンテナ端子ＡＮＴから送受信する信号をＧＳＭ系信号経路とＤＣＳ系信号経路とにダイプレクサ２０で選択的に切り換える高周波複合部品。ＧＳＭ系及びＤＣＳ系には高周波スイッチ１１Ｇ，１１Ｄで切り換えられる送信側入力端子Ｔｘｇ，Ｔｘｄと受信側バランス出力端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄを備えている。端子Ｒｘｇ，Ｒｘｄと弾性表面波フィルタＳＡＷｇ，ＳＡＷｄの出力側との間にインダクタＬｇ，ＬｄとコンデンサＣ１ｇ，Ｃ２ｇ，Ｃ１ｄ，Ｃ２ｄからなる整合素子が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の通過損失を低減し、オン／オフ比を改善する。
【解決手段】高周波信号を伝達する入力端子１１から出力端子１２までの主伝送線路上の一点と接地との間に、上記主伝送線路側から、第３伝送線路２３、高周波トランジスタ２４がこの順番に設けられた高周波回路２０を具備し、制御信号に基づいて高周波トランジスタ２４のオン／オフの動作状態を切り替えることによって、上記高周波信号の振幅を変化させるＡＳＫ変調回路１０であって、上記主伝送線路と高周波回路２０とが接続される接続点１６に、先端開放伝送線路１５を備える。 （もっと読む）