【課題】組立性が良く、３０ＧＨｚを超えるミリ波帯の高周波信号を低損失で伝播することのできるミリ波伝送モジュールを提供すること。
【解決手段】ケース２に、マイクロストリップ基板１０を収容する第１凹部３ａと、該第１凹部３ａの開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも第１凹部３ａにおける幅方向の寸法よりも大きく開口した第２凹部３ｂと、を有する段付き凹部３を形成し、第１蓋部材４を第１凹部３ａと第２凹部３ｂとの連続部分である段差部３ｃに設けて第１凹部内３ａを覆閉することで、マイクロストリップ基板１０から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域を構成する。 （もっと読む）

【課題】壁面共振による伝送特性のディップ状（Ｓ２１）損失を除去することが可能であり、しかも、さらなる小型化が可能で、また製造コストを低く抑えることが可能な高周波電気信号用伝送路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波電気信号用伝送路１は、誘電体基板２の表面２ａに形成された高周波の電気信号を伝送するための信号ライン３と、信号ライン３の外側かつ表面２ａの端部近傍に形成されたＧＮＤ電極４と、誘電体基板２の裏面２ｂ全体に形成されビア５を介してＧＮＤ電極４と電気的に接続されるＧＮＤ電極６と、ＧＮＤ電極４の外側かつ表面２ａの端部に形成されＧＮＤ電極４と電気的に接続される帯状の抵抗体７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波伝送線路の遮断周波数を従来構造のものより高くして、広帯域に亘って挿入損失を低減した高周波伝送線路およびアンテナ装置を構成する。
【解決手段】高周波伝送線路１０１の第１端ＦＰにアンテナが接続され、第２端ＳＰにコネクタが接続される。マイクロストリップラインＭＳＬの特性インピーダンスＺｂ１はストリップラインＳＬ１，ＳＬ２の特性インピーダンスより高く、コプレーナラインＣＰＬの特性インピーダンスＺｂ２はストリップラインＳＬ２の特性インピーダンスより高いので、或る周波数でマイクロストリップラインＭＳＬの位置およびコプレーナラインＣＰＬの位置が電圧最大（電圧強度分布の腹）となるような定在波が生じる。すなわち、３／４波長共振が基本波（最低次の高調波）モードとなる。したがって、高周波伝送線路の遮断周波数が高く、広帯域に亘って信号の挿入損失は低く抑えられる。 （もっと読む）

【課題】幅方向の占有面積を拡大することなく、高い遅波効果を得ることができる高周波伝送線路を得ることを目的とする。
【解決手段】接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ番目の接地導体４とを短絡させる柱状導体５や、接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ＋１番目の接地導体４とを短絡させる柱状導体７などを設ける。 （もっと読む）

【課題】容易に湾曲させることができると共に、高周波信号に発生する損失を低減できる信号線路を提供する。
【解決手段】本体１２は、可撓性材料からなる複数の絶縁シート２２が積層されてなる。グランド導体３０ａ，３０ｂは、本体１２において信号線３２よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。グランド導体３０ａ，３０ｂには、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっているスリットＳが形成されている。グランド導体３４は、本体１２において信号線３２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっている。グランド導体３０ａ，３０ｂ，３４及び信号線３２は、ストリップライン構造を構成している。グランド導体３０ａ，３０ｂと信号線３２との間隔Ｌ１は、グランド導体３４と信号線３２との間隔Ｌ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高周波信号損失を低減する高周波回路用パッケージを提供する。
【解決手段】誘電体基板１０上に形成される信号線３１と、信号線３１の両側に形成される第１、第２接地導体層３３，３４と、信号線３１、第１、第２接地導体層３３，３４に重なる枠状誘電体層１６と、枠状誘電体層１６上に形成される第３接地導体層３５と、枠状誘電体層１６において第１、第２接地導体層３３，３４及び信号線３１上に形成される凹部２９と、凹部２９において第１、第２接地導体層３３，３４のそれぞれの上で信号線３１長手方向に対して横方向斜めに形成された第１、第２側面２９ｂ，２９ｃと、凹部２９の第１側面２９ｂ上に形成され、第１接地導体層３３と第３接地導体層３５を電気的接続する第１接地配線３８ａと、凹部２９の第２側面２９ｃ上に形成され、第２接地導体層３４と第３接地導体層３５を電気的接続する第２接地配線３８ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】多層基板の上下層にずれがある場合においても、上下層の線路を用いて構成される結合線路部分の特性の悪化を抑制すること。
【解決手段】３層目配線層３に形成されたトリプレート線路８と、４層目配線層４に形成されたトリプレート線路９にて、入力信号波長λｇの１／４の長さの結合線路１１１を構成し、３層目配線層３と４層目配線層４とのずれ量をＡ１とすると、各トリプレート線路８、９の幅Ｗ１、Ｗ２をＷ１−Ｗ２≧Ａ１という関係を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路を得ること。
【解決手段】第１の誘電体基板２は、表面に信号導体パターン２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが形成され、信号導体パターン２１の一部領域の直下に、表面側層を残して裏面までの間を削除して空洞５が形成されている。信号導体パターン２１の一部領域の直上において、第１の誘電体基板２の帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと第２の誘電体基板４の裏面グランド導体パターン２６とがバンプ導体３により接続されている。帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと内層グランド導体パターン２３はスルーホール２５により裏面グランド導体パターン２４に接続されている。 （もっと読む）

マイクロストリップ線路と矩形導波管という異なる技術を結合して、例えばセラミック上に、プリント回路基板（２）の中に集積化された線路（１）と導波管（３１−３２１−３２２）との間のモード変換器（４）を備える遷移装置を実現する。回路基板（２）には、１つの大側壁（３１ｓ）が線路のストリップ（１１）と共面かつ共軸であり、別の大側壁（３１ｉ）が筐体の底部で回路基板の金属層（２３）に固定されている導波管を含む筐体（２６）が備えられる。リンク用金属要素（６）が変換器と、線路と導波管の内の１つとの間の機械的公差の空隙（５）を橋渡しする。変換器は、回路基板の中またはマイクロ波部品（３）内の導波管の中へ集積化することができる。
（もっと読む）

【課題】構成簡易化、低コスト化、高性能化を実現可能なマイクロ波・ミリ波帯の極短パルス発生装置を提供する。
【解決手段】一対の軸対称な等傾斜角の先鋭部を具備する第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの各先鋭部を近接させ、高速変化信号発生部１を直に電気的接続して高速に変化する電圧を印加することで、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂが放射パルス形成回路と放射アンテナとを兼ねて機能させ、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの両側方に対称軸と平行に配置した第１，第２導体壁３ａ，３ｂの間隔ａを、不要信号の波長λａの１／２未満に、第１，第２導体パッチ２ａ，２ｂの各端部から第１，第２導体壁３ａ，３ｂの各端部までの距離Ｌw1，Ｌw2および誘電体基板４の導体パッチ面から第１，第２導体壁３ａ，３ｂの突出端部までの距離Ｌw3を全てλａ／２以上にすることで、不要信号抑制手段を構成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインの小型化を容易にかつ低コストで実現することが可能な高周波回路、低雑音ダウンコンバータおよびアンテナ装置を提供する。
【解決手段】高周波回路１０１は、誘電体基板１３の第２主表面Ｓ２に設けれらた第１のアースパターン１６と、誘電体基板１３の第１主表面Ｓ１に設けられ、誘電体基板１３および第１のアースパターン１６とともにマイクロストリップラインを構成する信号パターン１１と、第１主表面Ｓ１に設けられ、信号パターン１１と間隔を隔てて設けられた第２のアースパターン１５と、第２のアースパターン１５と電気的に接続され、信号パターン１１と隙間を設けて対向する金属部材１２と、第１のアースパターン１６および第２のアースパターン１５と電気的に接続され、誘電体基板１３、マイクロストリップラインおよび金属部材１２を収容する金属筐体とを備える。 （もっと読む）

【課題】使用周波数によるキャビティ寸法の制約なく２倍波の漏洩を抑圧できる高周波パッケージを得ること。
【解決手段】出力整合回路４と高周波パッケージ１の出力端子２との間に、使用周波数の２倍波に対する１／４波長型吸収体を配置し、出力整合回路４の出力端と出力端子２との間を２倍波のカットオフブロックで覆ったマイクロトリップ線路で接続し、１／４波長型吸収体を構成する抵抗膜６に、マイクロストリップ線路７を覆う２倍波カットオフブロック８の外周が密着した状態で貫通する貫通穴を設けてある。 （もっと読む）

【課題】容易にＵ字状に曲げることができ、不要輻射を低減でき、かつ、高周波特性に優れた信号線路及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】グランド導体３０は、本体１２内において信号線３２よりもｚ軸方向に正方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっている。グランド導体３４は、本体１２内において信号線３２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっている。グランド導体３０，３４には、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２からはみ出すことなく重なり、かつ、信号線３２に沿って延在しているスリットＳ１，Ｓ２が設けられている。グランド導体３０，３４間のｚ軸方向における間隔は、信号線３２のｙ軸方向の中央に近づくにしたがって、大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ抑圧特性及びアイソレーション特性を良好にすることができる通信モジュールを実現する。
【解決手段】パッケージ基板における弾性波フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、パッケージ基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、モジュール基板におけるパッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、モジュール基板に含まれる少なくとも１つの他の絶縁層の厚さよりも薄い通信モジュールである。 （もっと読む）

【課題】埋込グランド配線１５同士の間隔が信号配線１０を伝送する高周波の波長の１／４となる時に発生する共振現象を抑制する。
【解決手段】伝送線路は、対向する表面及び裏面を有する誘電体基板２１と、この表面上に配置され且つ高周波を伝送する信号配線１０と、表面上に配置され且つ信号配線１０から絶縁された表面グランド電極１１と、誘電体基板２１の表裏面を貫通し且つ信号配線１０に接続された貫通信号配線１２と、基板裏面上に配置された裏面グランド電極１４と、誘電体基板２１に埋め込まれ且つ貫通信号配線１２の周囲に円弧状且つ等間隔に配置された複数の埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇとを有する。各埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇが、表面グランド電極１１及び裏面グランド電極１４の少なくともいずれか一方に接続され、複数の埋込グランド配線１５ａ〜１５ｇが、前記した高周波の波長の１／４未満の間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】電磁信号のための低位相速度を与えるミリメートル波伝送線構造を含む半導体構造、このための設計構造、およびこれを動作させるための方法を提供する。
【解決手段】接地面および伝送線は、誘電材料層の積層において提供される。伝送線において、第１の幅を有する第１の伝送線部分は、第２の幅を有する第２の伝送線部分と交互に交差（インターレース）されている。第２の幅は第１の幅より大きいので、固定幅を有する伝送線に比べて、伝送線のインダクタンスが増大する。誘電材料層の積層において、接地面と伝送線部分との間に金属フィンを設けることも可能である。金属フィンを接地面に接地して、伝送線と接地面との間の静電容量を増大させることも可能である。伝送線と接地面との間のインダクタンスおよび単位長当たりの静電容量の増大を有利に用いて、伝送線を介して伝送される電磁信号のための低い位相速度を与える。伝送線構造の設計構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】信号線の近傍にＧＮＤビア列を伴う伝送線路構造において、高周波特性が良く、高密度実装可能な伝送線路を得る。
【解決手段】誘電体基板１と、誘電体基板１内部に設けられた信号線２と、誘電体基板の上面及び下面に設けられた接地導体３ａ，３ｂと、誘電体基板を貫通するように設けられ、接地導体間を電気的に接続するＧＮＤビア４とを備え、ＧＮＤビア４は、信号線と等距離の位置に当該信号線の長手方向に沿って複数配置され、ＧＮＤビア間距離が、信号線とＧＮＤビアとの結合によって生じる各反射波が伝送される信号の第一の周波数で打ち消し合うように調整されてなる。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡って信号を伝達することができる伝送線路基板を得る。
【解決手段】誘電体基板１０の上面に、信号線路１２、第１の接地導体１４及び第２の接地導体１６が形成されている。第１，第２の接地導体１４，１６は、信号線路１２と電界結合している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６は互いに電位が異なる。重なった第１の接地導体１４の一部と第２の接地導体１６の一部との間に誘電体膜１８が形成されている。この重なった第１の接地導体１４の一部、誘電体膜１８、及び第２の接地導体１６の一部は、ＭＩＭキャパシタを構成している。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、誘電体膜１８とは並列にチップコンデンサ２０が接続されている。第１の接地導体１４と第２の接地導体１６の間に、チップコンデンサ２０と直列に抵抗２２が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＶＳＷＲを改善したストリップ線路とマイクロストリップ線路との接続構造を有する高周波多層基板を提供する。
【解決手段】中心導体１０とマイクロストリップ線路２０とを電気的に接続するスルーホールに連結し、内部に導体層を有しない絶縁孔を備える。中心導体１０から絶縁孔４０，４１，４２までの導体層の長さは、中心導体１０から第２の接地導体１２までの長さの１／２よりも小さくする。絶縁孔４０，４１，４２は切削によって設けることができる。 （もっと読む）

【課題】限られた基板サイズの中に所定のアイソレーションを確保しつつ複数の伝送線路を形成することのできる高周波回路基板を提供する。
【解決手段】コプレーナ線路１０の接地導体１１，１２の上に誘電体膜２１，３１を介してストリップ導体２２，３２を積層する。そして、コプレーナ線路１０の表面接地導体と、マイクロストリップ線路２０，３０の裏面接地導体とを共通させる。 （もっと読む）