通信モジュール
【課題】小型で、かつ抑圧特性及びアイソレーション特性を良好にすることができる通信モジュールを実現する。
【解決手段】パッケージ基板における弾性波フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、モジュール基板におけるパッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い通信モジュールである。
【解決手段】パッケージ基板における弾性波フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、モジュール基板におけるパッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い通信モジュールである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願の開示は、通信モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話端末に代表される無線通信機器のマルチバンド/システム化が進み、1台の電話機に複数の無線装置が搭載されるようになっている。しかしながら、携帯電話機自体は小型化及び薄型化が継続して要求されており、その中に搭載される部品の小型化及び薄型化が強く要望されている状況である。また、無線通信機器の低コスト化に対する要求も強く、いくつかの搭載部品を1モジュール化することで、小型化とともに実装コストを低減させることが多くなっている。
【0003】
無線通信機器の搭載部品のうち、弾性波フィルタやそれを用いた分波器は、他の半導体部品に集積することが困難であるため、半導体部品とは別に実装されてきた。近年は、マルチバンド化によって1台の携帯電話端末に搭載されるフィルタや分波器の数が急速に増加したため、これらフィルタや分波器をそれぞれ1つにまとめてモジュール化する要求が増加している。さらには、これらのモジュールのさらなる小型化及び薄型化も要求されている。
【0004】
このような背景の中、弾性波フィルタやそれを用いた分波器を複数搭載したモジュール開発が活発となっている。
【0005】
ここで、小型なモジュールを開発するためには、個々のフィルタや分波器をできるだけ近接配置してモジュール基板に搭載することが好ましい。また、モジュール基板内の配線同士も近接して配置することが好ましい。さらには、当然、弾性波フィルタや、分波器自体も小型化することが好ましいため、弾性波フィルタ素子を格納するためのパッケージ内の配線同士も近接して配置することが好ましい。また、特許文献1は、多層基板にフィルタ素子を実装して小型化を図る弾性波フィルタを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2008−271421号公報公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
弾性波フィルタ内の配線同士を近接配置すると、配線間において不要な電磁結合が発生しやすくなる。また、モジュール基板内の配線同士を近接配置すると、配線間において不要な電磁結合が発生しやすくなる。配線間において不要な電磁結合が発生すると、フィルタの抑圧や分波器のアイソレーションが劣化しやすくなる。
【0008】
本発明の目的は、小型で、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を有する通信モジュール実現することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本願に開示する通信モジュールは、フィルタ素子と、前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄いものである。
【発明の効果】
【0010】
本願の開示によれば、小型で、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1A】配線同士が大きく離間した基板の断面図
【図1B】配線同士が近接した基板の断面図
【図2A】パッケージの平面図
【図2B】図2AにおけるZ−Z部の断面図
【図3A】モジュール基板の平面図
【図3B】図3AにおけるZ−Z部の断面図
【図4】配線から放射される電界の発生概念を説明するための基板の断面図
【図5A】多数の絶縁層が積層された多層基板の断面図
【図5B】表層絶縁層が他の絶縁層よりも薄い多層基板の断面図
【図6A】本実施の形態にかかるモジュール基板の斜視図
【図6B】図6AにおけるZ−Z部の断面図
【図7】実施例1にかかるモジュール基板の断面図
【図8】比較例にかかるモジュール基板の断面図
【図9】実施例1及び比較例にかかる分波器の周波数特性を示す特性図
【図10】実施例2にかかるモジュール基板の断面図
【図11】実施例1及び2にかかる分波器の周波数特性を示す特性図
【発明を実施するための形態】
【0012】
通信モジュールは、前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている構成とすることが好ましい。このような構成とすることにより、表層絶縁層に配された配線の近傍に発生する電界を、優先的にグランドに落とすことができるので、不要な電磁界結合を低減することができる。よって、抑圧特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0013】
通信モジュールは、前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている構成とすることが好ましい。このような構成とすることにより、表層絶縁層に配された配線の近傍に発生する電界を、優先的にグランドに落とすことができるので、不要な電磁界結合を低減することができる。よって、抑圧特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0014】
通信モジュールにおいて、前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、パッケージ内の表層配線とグランドが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0015】
通信モジュールにおいて、前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、パッケージ内の表層配線とグランドが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0016】
(実施の形態)
〔1.通信モジュールの基本構成〕
本願の開示は、携帯電話に代表される移動通信機器や無線機器に使用される通信モジュールに関する。特に、弾性波フィルタ素子を用いたフィルタバンクや、分波器モジュールに関する。
【0017】
弾性波フィルタ素子または分波器を搭載した小型モジュールの抑圧特性やアイソレーション性能を劣化させる要因として、弾性波フィルタ素子を搭載するパッケージ内において近接配置された配線同士の電磁結合と、モジュール基板内において近接配置された配線同士の電磁結合とがある。従って、小型モジュールにおいて抑圧特性やアイソレーション性能を向上させるには、上記近接配置された配線間の電磁結合を低減させることがポイントとなる。
【0018】
図1A及び図1Bは、表面にマイクロストリップ線路からなる配線101a及び101bを備えた絶縁基板の断面図である。絶縁基板102の裏面には、グランド層103が配されている。図中の矢印は、配線101a及び101bから発生する電界を示している。まず、図1Aに示すように、配線101aと配線101bとの間隔が十分大きな場合、各々の配線間にはほとんど電界は発生せず、配線101a及び101bとグランド層103との間に電界が集中する。これに対して、図1Bに示すように、配線101aと配線101bとが近接配置している場合、配線101a及び101bとグランド層103との間に電界が発生するとともに、配線101aと配線101bとの間にも電界が発生する(破線枠104)。配線101aと配線101bとの間に発生した電界が電磁的に結合することで、図1Bに示すようなマイクロストリップ線路を備えた弾性波フィルタ素子の抑圧特性や分波器のアイソレーション特性が低下する。
【0019】
図2Aは、弾性波フィルタ素子が実装されたパッケージ基板の平面図である。図2Bは、図2AにおけるZ−Z部の断面図である。パッケージ基板12は、多層の絶縁基板が積層されて形成されている。配線11a及び11bは、パッケージ基板12を貫通して配され、一方の端部がパッケージ基板12の表面に露出し(接続端子11c及び11e)、他方の端部がパッケージ基板12の裏面に露出している(グランド端子11d及び11f)。弾性波フィルタ素子13は、接続端子11c及び11eに、フリップチップボンディングにより接続されている。弾性波フィルタ素子13は、キャップ14により封止されている。ここで、配線11aと配線11bとが最も近接する可能性が高いのは、弾性波フィルタ素子13の実装面の配線層、つまり最表層配線層11gである。なぜなら、図2Aに示すように弾性波フィルタ素子13がキャップ14で封止されているため、最表層配線層11gにおいては、キャップ14の壁厚み分D1だけ配線可能領域D2が狭くなってしまうからである。最表層配線層11gにおいて、配線同士の距離が狭まると、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなり、抑圧が低下したり、アイソレーションが低下したりすることがある。なお、配線11a及び11bにおける最表層配線層11g以外の配線層では、キャップ14の壁厚みによる制限は受けない。また、本明細書における「実装」とは、弾性波フィルタ素子などの各種素子が基板に対して半田等で電気的に接続および機械的に接合されている状態に限らず、接着剤等で機械的に接合されている状態も含む。
【0020】
なお、キャップ14は、パッケージ用基板12をキャビティ化し、キャップ14の側壁14aに相当する部分をパッケージ基板12に一体形成してもよい。さらに、樹脂封止技術等を用いて曲線的なキャップ構造としてもよい。このような構造を採用したとしても、結果的に最表層配線層11gにおける配線可能領域D2は狭くなり、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなる。
【0021】
図3Aは、弾性波フィルタ素子を搭載した通信モジュールの平面図である。図3Bは、図3AにおけるZ−Z部の断面図である。配線21a,21b,21c,21dは、パッケージ基板22の表面(部品搭載面)に配されている。パッケージ基板22は、複数の絶縁基板が積層されており、各絶縁基板間には配線21eが配されている。パッケージ基板22の裏面には、グランド端子21fが配されている。図示は省略するが、配線21a,21b,21c,21d,21e、グランド端子21fは、パッケージ基板22を貫通する配線(不図示)により電気的に接続されている。弾性波フィルタ素子23a,23b,23cは、パッケージ基板22に表面に実装され、それぞれ配線21a〜21dに電気的に接続されている。配線21a〜21dには、それぞれチップ部品24a〜24dが電気的に接続されている。チップ部品24a〜24dは、コイルやコンデンサ等である。図3Aに示すように、最表層配線層(パッケージ基板22における部品搭載面に形成された配線21a〜21d等)は、パッケージ基板22の表面(部品搭載面)において搭載部品の面積だけ配線可能領域が小さくなる。従って、他の配線層と比べると、配線同士の近接配置が圧倒的に発生しやすく、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなる。よって、弾性波フィルタ素子において抑圧が低下したり、分波器においてアイソレーションが低下したりすることがある。
【0022】
このように、弾性波フィルタ素子を備えた通信モジュールにおいては、パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層において最も配線間隔が狭くなり、不要な電磁結合が生じやすい。つまり、パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層における配線間結合を抑制することが、小型でかつ抑圧特性及びアイソレーション性能が良好なモジュールを実現するために重要である。
【0023】
パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層における配線間結合を抑制する手法を説明する。図1で示した近接配線間の結合の原理を考えると、結合を抑制するには配線間に発生する電界を減らすこと、つまり、各々の配線と下面にあるグランドとの間に電界を集中させることである。各々の配線とグランドとの間に電界を集中させるための原理を図4に示す。図4は、表面にマイクロストリップ線路からなる配線41a及び41b(最表層配線層)を備えた絶縁基板42の断面図である。基板42の裏面には、グランド層43が配されている。絶縁基板42(表層絶縁層)は、配線41a及び41bとグランド層43とに挟まれている。図4に示す構成において、絶縁基板42の厚さT1を薄くすることにより、配線41a及び41bとグランド層43との距離を近づけることができる。これにより、図4における矢印に示すように、配線41a及び41bにおいて発生する電界を優先的にグランドに落とすことができ、配線41aと配線41bとの間に電界を発生しにくくすることができる。したがって、配線41aと配線41bとの不要な結合を低減することができ、弾性波フィルタ素子の抑圧および分波器のアイソレーションを良好にすることができる。なお、図4においては、絶縁基板43の裏面にグランド層43を備えたが、少なくとも配線41a及び41bとグランド層43との間に電位差を生じさせることができる構造であればよい。
【0024】
〔2.通信モジュールの具体構成〕
図4に示す原理をもとに、小型でかつ良好な抑圧特性、アイソレーション性能を有するモジュールの実現について説明する。弾性波フィルタ素子または分波器を搭載するモジュールには、薄型化が求められている。従って、弾性波フィルタ用パッケージ、およびモジュール基板の薄型化も求められるが、パッケージ自体およびモジュール基板自体の強度の観点から、ある程度の厚みが必要となっている。このことを考えると、パッケージおよびモジュール基板は、図4に示す単一の絶縁層からなる基板ではなく、複数の絶縁層を有する多層基板とすることが好ましい。
【0025】
図5Aは、表層絶縁層52a(厚さT11)に加えて、それと同じ厚さの絶縁層52b〜52e(厚さT12〜T15)を積層した多層基板の断面図である。図5Bは、厚さT21の表層絶縁層52fに、厚さT21よりも厚い絶縁層52g及び52h(厚さT22、T23)を積層した多層基板の断面図である。図5Aに示す多層基板の全体の厚さ(T11〜T15の和)と、図5Bに示す多層基板の全体の厚さ(T21〜T23の和)とは同等である。表層絶縁層52a及び52fの表面には、配線51a及び51bが配されている。絶縁層52e及び52hの裏面には、フットパッド層53a及び53bが配されている。配線51aとフットパッド層53aとは、内部配線54aによって電気的に接続されている。配線51bとフットパッド層53bとは、内部配線54bによって電気的に接続されている。表層絶縁層52aと絶縁層52bとの間には、グランド層53cが配されている。表層絶縁層52fと絶縁層52gとの間には、グランド層53cが配されている。
【0026】
まず、図5Aに示す多層基板は、絶縁層の層数が多いため、製造時の積層工程が多く、コスト増加が生じる。さらに、製造過程において薄い絶縁層をハンドリングすることは、厚い絶縁層をハンドリングするよりも難しくなるため、積層ずれが生じやすくなる。一方、図5Bに示す多層基板は、絶縁層の層数が少ないため製造時の積層工程が少なく、図5Aに示す多層基板よりもコストを低減することができる。さらに、図5Bに示す多層基板は、絶縁層52g及び52hの厚さが絶縁層52fの厚さよりも厚いため、製造過程においてハンドリングが容易となり、積層ずれを生じにくくすることができる。従って、図5Bに示す多層基板の方が、図5Aに示す多層基板よりも安価でかつ製造性に優れている。
【0027】
図6Aは、複数の弾性表面波フィルタ素子を含む分波器を1つのモジュール基板に搭載した通信モジュールの斜視図である。図6Bは、図6AにおけるZ−Z部の断面図である。図6Aに示す通信モジュールは、モジュール基板62の表面に複数の分波器61を備えている。分波器61は、パッケージ基板61c上に複数の弾性表面波フィルタ素子61a及び61bを備えている。弾性表面波フィルタ素子61a及び61bは、メタルキャップ61fにより覆われている。パッケージ基板61cは、複数の絶縁層を積層して形成されている。パッケージ基板61cに含まれる表層絶縁層61dの厚さT31は、他の絶縁層61eの厚さT32よりも薄い。モジュール基板62は、複数の絶縁層を積層して形成されている。モジュール基板62に含まれる表層絶縁層62aの厚さT33は、他の絶縁層62b及び62cの厚さT34及びT35よりも薄い。図6Bに示すように、パッケージ基板61cは、表面に配線61gを備え、裏面にフットパッド層61hを備えている。配線61gとフットパッド層61hとは、内部配線61iで電気的に接続されている。配線61gには、弾性表面波フィルタ素子61aが電気的に接続されている。モジュール基板62は、表面に配線62dを備え、裏面にグランド層62eを備えている。配線62dとグランド層62eとは、内部配線62fで電気的に接続されている。配線62dは、パッケージ基板61cのグランド層61hが電気的に接続されている。表層絶縁層61dと絶縁層61eとの間には、グランド層61nが配されている。表層絶縁層62aと絶縁層62bとの間には、グランド層62jが配されている。インダクタンスL1は、パッケージ基板61c内の配線で形成されたインダクタンスである。インダクタンスL2は、モジュール基板62内の配線で形成されたインダクタンスである。
【0028】
図6A及び図6Bに示す通信モジュールによれば、パッケージ基板61cの表層絶縁層61dが他の絶縁層よりも薄いため、配線61gとグランド層61nとの距離を小さくすることができる。したがって、配線61gの周辺に発生する電界をグランド層61nに落とすことができ、弾性波フィルタの抑圧特性を良好にすることができるとともに、分波器のアイソレーション特性を良好にすることができる。また、モジュール基板62の表層絶縁層62aが他の絶縁層よりも薄いため、配線62dとグランド層62jとの距離を小さくすることができる。したがって、配線62dの周辺に発生する電界をグランド層62jに落とすことができ、弾性波フィルタの抑圧特性および分波器のアイソレーション特性を良好にできる通信モジュールを実現することができる。
【0029】
図6A及び図6Bに示す通信モジュールにおける任意の分波器61について、アイソレーションなどの特性シミュレーションを行った。なお、弾性表面波フィルタ素子61a及び61bの特性は、モード結合理論を用いて計算した。パッケージ基板61cおよびメタルキャップ61fさらにモジュール基板62を含めた全体の特性は、三次元の電磁界解析ソフトを用いて計算した。これらの計算方法は、本発明の効果を実証するには十分な精度を有するものである。
【0030】
〔2−1.実施例1〕
図7は、特性シミュレーションに用いた実施例1の弾性波分波器を示す断面図である。弾性波分波器として、W−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)方式携帯電話のBand1分波器(送信帯域:1920−1980MHz、受信帯域:2110−2170MHz)を設計した。弾性波フィルタ素子は、LiTaO3基板を用いて作製された弾性表面波フィルタとした。フィルタ搭載用のパッケージ基板61cは、アルミナセラミックスで形成し、メタルキャップ61fにより封止した。モジュール基板62は、樹脂材料としてFR4(FR:Flame Retardant)(比誘電率:4.8)を用いたビルドアップ基板とした。パッケージ基板61cは、アルミナセラミックスの絶縁体を3層積層し、表層絶縁層61jの厚さを50μm、中層絶縁層61kの厚さを50μm、最下層絶縁層61mの厚さを90μmとして、表層絶縁層61jを他の層よりも薄くした。また、モジュール基板62は、絶縁体を3層積層し、表層絶縁層62gの厚さを40μm、中層絶縁層62hの厚さを60μm、最下層絶縁層62iの厚さを40μmとした。
【0031】
なお、実施例1では、パッケージ基板61cにおける表層絶縁層61jの厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くする構成としたが、表層絶縁層61jの比誘電率を他の絶縁層の比誘電率以下とする構成としてもよい。このような構成とすることにより、表層絶縁層61j上に配されている配線と表層絶縁層61jの下に配されているグランド層とが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。また、モジュール基板62における表層絶縁層62gの厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くする構成としたが、表層絶縁層62gの比誘電率を他の絶縁層の比誘電率以下とする構成としてもよい。このような構成とすることにより、表層絶縁層62g上に配されている配線と表層絶縁層62gの下に配されているグランド層とが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。パッケージ基板61cの表層絶縁層61j及びモジュール基板62の表層絶縁層62gの材料としては、例えばフッ素樹脂基板(比誘電率:2.2)、ガラスフッ素樹脂基板(比誘電率:2.6)、ポリイミド基板(比誘電率:2.9〜3.0)、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂基板(比誘電率:3.3)などがある。表層絶縁層以外の絶縁層をFR4(比誘電率:4.8)で形成することにより、表層絶縁層の比誘電率を他の絶縁層の比誘電率よりも低くすることができる。なお、上記基板材料、比誘電率は一例であり、本発明がこれらの材料や比誘電率に限定されるものではない。また、上記基板材料、比誘電率は、実施例1におけるパッケージ基板及びモジュール基板について説明したが、他の実施例及び実施の形態に示すパッケージ基板及びモジュール基板にも適用可能である。
【0032】
図8は、弾性波分波器の比較例である。図8に示す弾性波分波器における基板構造は、例えば特許文献に開示している基板と同様の構造である。図8において、図7に示すパッケージ基板61c及びモジュール基板62以外の構成については同一構成であるため、符号の付与及び詳しい説明は省略する。パッケージ基板71は、アルミナセラミックスの絶縁体を2層積層し、表層絶縁層71a及び最下層絶縁層71bの厚さを同じ厚さ(それぞれ90μm)とした。モジュール基板72は、樹脂からなる絶縁体を3層積層し、表層絶縁層72aの厚さを40μm、中層絶縁層72bの厚さを60μm、最下層絶縁層72cの厚さを40μmとした。
【0033】
図9は、アイソレーション特性の計算結果を示す。図9において、実線特性は、図7に示す弾性波分波器(実施例1)におけるアイソレーション特性の計算結果であり、破線特性は、図8に示す弾性波分波器(比較例)におけるアイソレーション特性の計算結果である。図9に示すように、実施例1にかかる弾性波分波器によれば、最も重要である送信帯域のアイソレーションが比較例に比べて最大10dB以上改善することが確認できた。
【0034】
一方、図8に示す比較例の弾性波分波器は、モジュール基板72の表層絶縁層72aを他の絶縁層よりも薄くしているが、パッケージ基板71における表層絶縁層71aは他の絶縁層と同等の厚さであるため、アイソレーション特性は実施例1の弾性波分波器よりも大幅に悪化する。このように、モジュール基板だけでなく、モジュール基板とパッケージ基板の両方において表層絶縁層の厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くすることにより、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0035】
〔2−2.実施例2〕
図10は、特性シミュレーションに用いた実施例2の弾性波分波器を示す断面図である。図10において、図7に示す弾性波分波器と同様の構成については同一符号を付与して詳しい説明は省略する。図10に示す弾性波分波器において、図7に示す弾性波分波器と異なるのは、パッケージ基板61cにおける表層絶縁層61jの厚さを25μmとし、中層絶縁層61kの厚さを70μmとし、最下層絶縁層61mの厚さを70μmとした点である。モジュール基板62は、実施例1の弾性波分波器と同様、表層絶縁層62gの厚さを40μmとし、中層絶縁層62hの厚さを60μmとし、最下層絶縁層62iの厚さを40μmとした。実施例2の弾性波分波器は、パッケージ基板61cの表層絶縁層61jの厚さを、モジュール基板62の表層絶縁層62gの厚さよりも薄くしたことを特徴としている。
【0036】
図11は、図10に示す弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果を示す。なお、図11において、実線特性は実施例2にかかる弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果であり、破線特性は実施例1にかかる弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果である。図11に示すように、実施例2にかかる弾性波分波器によれば、最も重要である送信帯域のアイソレーションが最大5dB以上改善するのが確認できた。
【0037】
〔3.実施の形態の効果、他〕
本実施の形態によれば、弾性波フィルタ素子を搭載するパッケージ内における配線同士の不要な電磁結合、および、複数の弾性波フィルタや分波器を搭載するモジュール基板内における配線同士の不要な電磁結合を抑制することができる。したがって、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を有する通信モジュールを実現することができる。
【0038】
また、絶縁層を多層積層したパッケージ基板およびモジュール基板における表層絶縁層を他の絶縁層よりも薄くすることにより、各基板を薄くすることができる。したがって、通信モジュールを小型化することができる。
【0039】
また、本実施の形態によれば、基板における表層絶縁層のみを他の絶縁層よりも薄くしているため、絶縁層の層数を少なくすることができる。したがって、基板を製造する際の絶縁層積層工程を少なくすることができるので、コストを低減することができる。さらに、表層絶縁層以外の絶縁層の厚さが表層絶縁層の厚さよりも厚いため、製造過程においてハンドリングが容易となり、積層ずれを生じにくくすることができる。したがって、製造性に優れている。
【0040】
また、本実施の形態によれば、パッケージ基板の表層絶縁層の比誘電率を、パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることにより、パッケージ内の最表層配線とグランドとが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0041】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板の表層絶縁層の比誘電率を、モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることにより、パッケージ内の最表層配線とグランドとが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0042】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板上にコイルを搭載したことにより、パッケージおよびモジュール基板の表層絶縁層を薄くしたことによる浮遊容量増加分をコイルで補償でき、より良好な特性を得ることができる。
【0043】
また、本実施の形態によれば、弾性波フィルタ素子を格納するためのパッケージ内に、インダクタンスを形成するための配線を備えた構成としたことにより、モジュール基板上に搭載するコイルの数を低減でき、より小型な通信モジュールを実現できる。
【0044】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板内に、インダクタンスを形成するための配線を備えたことにより、モジュール基板上に搭載するコイルの数を低減でき、より小型な通信モジュールを実現できる。
【0045】
なお、本実施の形態における弾性表面波フィルタ素子61aは、本発明のフィルタ素子の一例である。本発明のフィルタ素子は、弾性表面波フィルタ素子に限らず、弾性境界波フィルタ素子など、様々なフィルタ素子に適用可能である。本実施の形態におけるパッケージ基板61cは、本発明のパッケージ基板の一例である。本実施の形態におけるモジュール基板62は、本発明のモジュール基板の一例である。本実施の形態における表層絶縁層61dは、本発明のパッケージ基板における表層絶縁層の一例である。本実施の形態における表層絶縁層62aは、本発明のモジュール基板における表層絶縁層の一例である。
【0046】
本願の開示は、携帯電話、PHS(Personal Handy-phone System)、無線LAN(Local Area Network)などの移動体通信、高周波無線通信で使用可能な通信モジュールに有用である。
【0047】
(付記1)
フィルタ素子と、
前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、
前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、
前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、
前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、
前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い、通信モジュール。
【0048】
(付記2)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板の表層絶縁層の厚さよりも薄い、付記1記載の通信モジュール。
【0049】
(付記3)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、付記1記載の通信モジュール。
【0050】
(付記4)
前記パッケージ基板の前記実装面には、前記フィルタ素子と接続する表面配線を有し、
前記グランドパターンは前記表面配線とオーバーラップする、付記3記載の通信モジュール。
【0051】
(付記5)
前記表面配線が信号線の場合に、前記信号線が他の表面配線と対向する部分が前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記4記載の通信モジュール。
【0052】
(付記6)
前記表面配線がグランド線の場合に、前記グランド線と前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記4記載の通信モジュール。
【0053】
(付記7)
前記グランドパターンは、前記フィルタ素子搭載領域に配置する表面配線の内側部分と、前記表面配線とオーバーラップする部分を有する、付記4記載の通信モジュール。
【0054】
(付記8)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、付記1記載の通信モジュール。
【0055】
(付記9)
前記モジュール基板の前記実装面には、前記パッケージ基板と接続する表面配線を有し、
前記グランドパターンは前記表面配線とオーバーラップする、付記8記載の通信モジュール。
【0056】
(付記10)
前記表面配線が信号線の場合に、前記信号線が他の表面配線と対向する部分が前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記9記載の通信モジュール。
【0057】
(付記11)
前記表面配線がグランド線の場合に、前記グランド線と前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記9記載の通信モジュール。
【0058】
(付記12)
前記グランドパターンは、前記パッケージ基板搭載領域に配置する表面配線の内側部分と、前記表面配線とオーバーラップする部分を有する、付記9記載の通信モジュール。
【0059】
(付記13)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる他のすべての絶縁層の厚さよりも薄いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0060】
(付記14)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる他のすべての絶縁層の厚さよりも薄いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0061】
(付記15)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0062】
(付記16)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0063】
(付記17)
前記モジュール基板上にコイルが搭載されている、付記1記載の通信モジュール。
【0064】
(付記18)
前記フィルタ素子を格納するためのパッケージ内に、インダクタンスを形成するための配線が含まれている、付記1に記載の通信モジュール。
【0065】
(付記19)
前記モジュール基板内に、インダクタンスを形成するための配線が含まれている、付記1に記載の通信モジュール。
【産業上の利用可能性】
【0066】
本願に開示する通信モジュールは、移動体通信機器あるいは無線通信機器に有用である。
【符号の説明】
【0067】
61 分波器
61c パッケージ基板
62 モジュール基板
【技術分野】
【0001】
本願の開示は、通信モジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、携帯電話端末に代表される無線通信機器のマルチバンド/システム化が進み、1台の電話機に複数の無線装置が搭載されるようになっている。しかしながら、携帯電話機自体は小型化及び薄型化が継続して要求されており、その中に搭載される部品の小型化及び薄型化が強く要望されている状況である。また、無線通信機器の低コスト化に対する要求も強く、いくつかの搭載部品を1モジュール化することで、小型化とともに実装コストを低減させることが多くなっている。
【0003】
無線通信機器の搭載部品のうち、弾性波フィルタやそれを用いた分波器は、他の半導体部品に集積することが困難であるため、半導体部品とは別に実装されてきた。近年は、マルチバンド化によって1台の携帯電話端末に搭載されるフィルタや分波器の数が急速に増加したため、これらフィルタや分波器をそれぞれ1つにまとめてモジュール化する要求が増加している。さらには、これらのモジュールのさらなる小型化及び薄型化も要求されている。
【0004】
このような背景の中、弾性波フィルタやそれを用いた分波器を複数搭載したモジュール開発が活発となっている。
【0005】
ここで、小型なモジュールを開発するためには、個々のフィルタや分波器をできるだけ近接配置してモジュール基板に搭載することが好ましい。また、モジュール基板内の配線同士も近接して配置することが好ましい。さらには、当然、弾性波フィルタや、分波器自体も小型化することが好ましいため、弾性波フィルタ素子を格納するためのパッケージ内の配線同士も近接して配置することが好ましい。また、特許文献1は、多層基板にフィルタ素子を実装して小型化を図る弾性波フィルタを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2008−271421号公報公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
弾性波フィルタ内の配線同士を近接配置すると、配線間において不要な電磁結合が発生しやすくなる。また、モジュール基板内の配線同士を近接配置すると、配線間において不要な電磁結合が発生しやすくなる。配線間において不要な電磁結合が発生すると、フィルタの抑圧や分波器のアイソレーションが劣化しやすくなる。
【0008】
本発明の目的は、小型で、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を有する通信モジュール実現することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本願に開示する通信モジュールは、フィルタ素子と、前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄いものである。
【発明の効果】
【0010】
本願の開示によれば、小型で、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1A】配線同士が大きく離間した基板の断面図
【図1B】配線同士が近接した基板の断面図
【図2A】パッケージの平面図
【図2B】図2AにおけるZ−Z部の断面図
【図3A】モジュール基板の平面図
【図3B】図3AにおけるZ−Z部の断面図
【図4】配線から放射される電界の発生概念を説明するための基板の断面図
【図5A】多数の絶縁層が積層された多層基板の断面図
【図5B】表層絶縁層が他の絶縁層よりも薄い多層基板の断面図
【図6A】本実施の形態にかかるモジュール基板の斜視図
【図6B】図6AにおけるZ−Z部の断面図
【図7】実施例1にかかるモジュール基板の断面図
【図8】比較例にかかるモジュール基板の断面図
【図9】実施例1及び比較例にかかる分波器の周波数特性を示す特性図
【図10】実施例2にかかるモジュール基板の断面図
【図11】実施例1及び2にかかる分波器の周波数特性を示す特性図
【発明を実施するための形態】
【0012】
通信モジュールは、前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている構成とすることが好ましい。このような構成とすることにより、表層絶縁層に配された配線の近傍に発生する電界を、優先的にグランドに落とすことができるので、不要な電磁界結合を低減することができる。よって、抑圧特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0013】
通信モジュールは、前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている構成とすることが好ましい。このような構成とすることにより、表層絶縁層に配された配線の近傍に発生する電界を、優先的にグランドに落とすことができるので、不要な電磁界結合を低減することができる。よって、抑圧特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0014】
通信モジュールにおいて、前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、パッケージ内の表層配線とグランドが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0015】
通信モジュールにおいて、前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることが好ましい。このような構成とすることで、パッケージ内の表層配線とグランドが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0016】
(実施の形態)
〔1.通信モジュールの基本構成〕
本願の開示は、携帯電話に代表される移動通信機器や無線機器に使用される通信モジュールに関する。特に、弾性波フィルタ素子を用いたフィルタバンクや、分波器モジュールに関する。
【0017】
弾性波フィルタ素子または分波器を搭載した小型モジュールの抑圧特性やアイソレーション性能を劣化させる要因として、弾性波フィルタ素子を搭載するパッケージ内において近接配置された配線同士の電磁結合と、モジュール基板内において近接配置された配線同士の電磁結合とがある。従って、小型モジュールにおいて抑圧特性やアイソレーション性能を向上させるには、上記近接配置された配線間の電磁結合を低減させることがポイントとなる。
【0018】
図1A及び図1Bは、表面にマイクロストリップ線路からなる配線101a及び101bを備えた絶縁基板の断面図である。絶縁基板102の裏面には、グランド層103が配されている。図中の矢印は、配線101a及び101bから発生する電界を示している。まず、図1Aに示すように、配線101aと配線101bとの間隔が十分大きな場合、各々の配線間にはほとんど電界は発生せず、配線101a及び101bとグランド層103との間に電界が集中する。これに対して、図1Bに示すように、配線101aと配線101bとが近接配置している場合、配線101a及び101bとグランド層103との間に電界が発生するとともに、配線101aと配線101bとの間にも電界が発生する(破線枠104)。配線101aと配線101bとの間に発生した電界が電磁的に結合することで、図1Bに示すようなマイクロストリップ線路を備えた弾性波フィルタ素子の抑圧特性や分波器のアイソレーション特性が低下する。
【0019】
図2Aは、弾性波フィルタ素子が実装されたパッケージ基板の平面図である。図2Bは、図2AにおけるZ−Z部の断面図である。パッケージ基板12は、多層の絶縁基板が積層されて形成されている。配線11a及び11bは、パッケージ基板12を貫通して配され、一方の端部がパッケージ基板12の表面に露出し(接続端子11c及び11e)、他方の端部がパッケージ基板12の裏面に露出している(グランド端子11d及び11f)。弾性波フィルタ素子13は、接続端子11c及び11eに、フリップチップボンディングにより接続されている。弾性波フィルタ素子13は、キャップ14により封止されている。ここで、配線11aと配線11bとが最も近接する可能性が高いのは、弾性波フィルタ素子13の実装面の配線層、つまり最表層配線層11gである。なぜなら、図2Aに示すように弾性波フィルタ素子13がキャップ14で封止されているため、最表層配線層11gにおいては、キャップ14の壁厚み分D1だけ配線可能領域D2が狭くなってしまうからである。最表層配線層11gにおいて、配線同士の距離が狭まると、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなり、抑圧が低下したり、アイソレーションが低下したりすることがある。なお、配線11a及び11bにおける最表層配線層11g以外の配線層では、キャップ14の壁厚みによる制限は受けない。また、本明細書における「実装」とは、弾性波フィルタ素子などの各種素子が基板に対して半田等で電気的に接続および機械的に接合されている状態に限らず、接着剤等で機械的に接合されている状態も含む。
【0020】
なお、キャップ14は、パッケージ用基板12をキャビティ化し、キャップ14の側壁14aに相当する部分をパッケージ基板12に一体形成してもよい。さらに、樹脂封止技術等を用いて曲線的なキャップ構造としてもよい。このような構造を採用したとしても、結果的に最表層配線層11gにおける配線可能領域D2は狭くなり、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなる。
【0021】
図3Aは、弾性波フィルタ素子を搭載した通信モジュールの平面図である。図3Bは、図3AにおけるZ−Z部の断面図である。配線21a,21b,21c,21dは、パッケージ基板22の表面(部品搭載面)に配されている。パッケージ基板22は、複数の絶縁基板が積層されており、各絶縁基板間には配線21eが配されている。パッケージ基板22の裏面には、グランド端子21fが配されている。図示は省略するが、配線21a,21b,21c,21d,21e、グランド端子21fは、パッケージ基板22を貫通する配線(不図示)により電気的に接続されている。弾性波フィルタ素子23a,23b,23cは、パッケージ基板22に表面に実装され、それぞれ配線21a〜21dに電気的に接続されている。配線21a〜21dには、それぞれチップ部品24a〜24dが電気的に接続されている。チップ部品24a〜24dは、コイルやコンデンサ等である。図3Aに示すように、最表層配線層(パッケージ基板22における部品搭載面に形成された配線21a〜21d等)は、パッケージ基板22の表面(部品搭載面)において搭載部品の面積だけ配線可能領域が小さくなる。従って、他の配線層と比べると、配線同士の近接配置が圧倒的に発生しやすく、配線11a及び11bにおいて発生する電界が不要結合する可能性が高くなる。よって、弾性波フィルタ素子において抑圧が低下したり、分波器においてアイソレーションが低下したりすることがある。
【0022】
このように、弾性波フィルタ素子を備えた通信モジュールにおいては、パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層において最も配線間隔が狭くなり、不要な電磁結合が生じやすい。つまり、パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層における配線間結合を抑制することが、小型でかつ抑圧特性及びアイソレーション性能が良好なモジュールを実現するために重要である。
【0023】
パッケージおよびモジュール基板の最表層配線層における配線間結合を抑制する手法を説明する。図1で示した近接配線間の結合の原理を考えると、結合を抑制するには配線間に発生する電界を減らすこと、つまり、各々の配線と下面にあるグランドとの間に電界を集中させることである。各々の配線とグランドとの間に電界を集中させるための原理を図4に示す。図4は、表面にマイクロストリップ線路からなる配線41a及び41b(最表層配線層)を備えた絶縁基板42の断面図である。基板42の裏面には、グランド層43が配されている。絶縁基板42(表層絶縁層)は、配線41a及び41bとグランド層43とに挟まれている。図4に示す構成において、絶縁基板42の厚さT1を薄くすることにより、配線41a及び41bとグランド層43との距離を近づけることができる。これにより、図4における矢印に示すように、配線41a及び41bにおいて発生する電界を優先的にグランドに落とすことができ、配線41aと配線41bとの間に電界を発生しにくくすることができる。したがって、配線41aと配線41bとの不要な結合を低減することができ、弾性波フィルタ素子の抑圧および分波器のアイソレーションを良好にすることができる。なお、図4においては、絶縁基板43の裏面にグランド層43を備えたが、少なくとも配線41a及び41bとグランド層43との間に電位差を生じさせることができる構造であればよい。
【0024】
〔2.通信モジュールの具体構成〕
図4に示す原理をもとに、小型でかつ良好な抑圧特性、アイソレーション性能を有するモジュールの実現について説明する。弾性波フィルタ素子または分波器を搭載するモジュールには、薄型化が求められている。従って、弾性波フィルタ用パッケージ、およびモジュール基板の薄型化も求められるが、パッケージ自体およびモジュール基板自体の強度の観点から、ある程度の厚みが必要となっている。このことを考えると、パッケージおよびモジュール基板は、図4に示す単一の絶縁層からなる基板ではなく、複数の絶縁層を有する多層基板とすることが好ましい。
【0025】
図5Aは、表層絶縁層52a(厚さT11)に加えて、それと同じ厚さの絶縁層52b〜52e(厚さT12〜T15)を積層した多層基板の断面図である。図5Bは、厚さT21の表層絶縁層52fに、厚さT21よりも厚い絶縁層52g及び52h(厚さT22、T23)を積層した多層基板の断面図である。図5Aに示す多層基板の全体の厚さ(T11〜T15の和)と、図5Bに示す多層基板の全体の厚さ(T21〜T23の和)とは同等である。表層絶縁層52a及び52fの表面には、配線51a及び51bが配されている。絶縁層52e及び52hの裏面には、フットパッド層53a及び53bが配されている。配線51aとフットパッド層53aとは、内部配線54aによって電気的に接続されている。配線51bとフットパッド層53bとは、内部配線54bによって電気的に接続されている。表層絶縁層52aと絶縁層52bとの間には、グランド層53cが配されている。表層絶縁層52fと絶縁層52gとの間には、グランド層53cが配されている。
【0026】
まず、図5Aに示す多層基板は、絶縁層の層数が多いため、製造時の積層工程が多く、コスト増加が生じる。さらに、製造過程において薄い絶縁層をハンドリングすることは、厚い絶縁層をハンドリングするよりも難しくなるため、積層ずれが生じやすくなる。一方、図5Bに示す多層基板は、絶縁層の層数が少ないため製造時の積層工程が少なく、図5Aに示す多層基板よりもコストを低減することができる。さらに、図5Bに示す多層基板は、絶縁層52g及び52hの厚さが絶縁層52fの厚さよりも厚いため、製造過程においてハンドリングが容易となり、積層ずれを生じにくくすることができる。従って、図5Bに示す多層基板の方が、図5Aに示す多層基板よりも安価でかつ製造性に優れている。
【0027】
図6Aは、複数の弾性表面波フィルタ素子を含む分波器を1つのモジュール基板に搭載した通信モジュールの斜視図である。図6Bは、図6AにおけるZ−Z部の断面図である。図6Aに示す通信モジュールは、モジュール基板62の表面に複数の分波器61を備えている。分波器61は、パッケージ基板61c上に複数の弾性表面波フィルタ素子61a及び61bを備えている。弾性表面波フィルタ素子61a及び61bは、メタルキャップ61fにより覆われている。パッケージ基板61cは、複数の絶縁層を積層して形成されている。パッケージ基板61cに含まれる表層絶縁層61dの厚さT31は、他の絶縁層61eの厚さT32よりも薄い。モジュール基板62は、複数の絶縁層を積層して形成されている。モジュール基板62に含まれる表層絶縁層62aの厚さT33は、他の絶縁層62b及び62cの厚さT34及びT35よりも薄い。図6Bに示すように、パッケージ基板61cは、表面に配線61gを備え、裏面にフットパッド層61hを備えている。配線61gとフットパッド層61hとは、内部配線61iで電気的に接続されている。配線61gには、弾性表面波フィルタ素子61aが電気的に接続されている。モジュール基板62は、表面に配線62dを備え、裏面にグランド層62eを備えている。配線62dとグランド層62eとは、内部配線62fで電気的に接続されている。配線62dは、パッケージ基板61cのグランド層61hが電気的に接続されている。表層絶縁層61dと絶縁層61eとの間には、グランド層61nが配されている。表層絶縁層62aと絶縁層62bとの間には、グランド層62jが配されている。インダクタンスL1は、パッケージ基板61c内の配線で形成されたインダクタンスである。インダクタンスL2は、モジュール基板62内の配線で形成されたインダクタンスである。
【0028】
図6A及び図6Bに示す通信モジュールによれば、パッケージ基板61cの表層絶縁層61dが他の絶縁層よりも薄いため、配線61gとグランド層61nとの距離を小さくすることができる。したがって、配線61gの周辺に発生する電界をグランド層61nに落とすことができ、弾性波フィルタの抑圧特性を良好にすることができるとともに、分波器のアイソレーション特性を良好にすることができる。また、モジュール基板62の表層絶縁層62aが他の絶縁層よりも薄いため、配線62dとグランド層62jとの距離を小さくすることができる。したがって、配線62dの周辺に発生する電界をグランド層62jに落とすことができ、弾性波フィルタの抑圧特性および分波器のアイソレーション特性を良好にできる通信モジュールを実現することができる。
【0029】
図6A及び図6Bに示す通信モジュールにおける任意の分波器61について、アイソレーションなどの特性シミュレーションを行った。なお、弾性表面波フィルタ素子61a及び61bの特性は、モード結合理論を用いて計算した。パッケージ基板61cおよびメタルキャップ61fさらにモジュール基板62を含めた全体の特性は、三次元の電磁界解析ソフトを用いて計算した。これらの計算方法は、本発明の効果を実証するには十分な精度を有するものである。
【0030】
〔2−1.実施例1〕
図7は、特性シミュレーションに用いた実施例1の弾性波分波器を示す断面図である。弾性波分波器として、W−CDMA(Wideband Code Division Multiple Access)方式携帯電話のBand1分波器(送信帯域:1920−1980MHz、受信帯域:2110−2170MHz)を設計した。弾性波フィルタ素子は、LiTaO3基板を用いて作製された弾性表面波フィルタとした。フィルタ搭載用のパッケージ基板61cは、アルミナセラミックスで形成し、メタルキャップ61fにより封止した。モジュール基板62は、樹脂材料としてFR4(FR:Flame Retardant)(比誘電率:4.8)を用いたビルドアップ基板とした。パッケージ基板61cは、アルミナセラミックスの絶縁体を3層積層し、表層絶縁層61jの厚さを50μm、中層絶縁層61kの厚さを50μm、最下層絶縁層61mの厚さを90μmとして、表層絶縁層61jを他の層よりも薄くした。また、モジュール基板62は、絶縁体を3層積層し、表層絶縁層62gの厚さを40μm、中層絶縁層62hの厚さを60μm、最下層絶縁層62iの厚さを40μmとした。
【0031】
なお、実施例1では、パッケージ基板61cにおける表層絶縁層61jの厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くする構成としたが、表層絶縁層61jの比誘電率を他の絶縁層の比誘電率以下とする構成としてもよい。このような構成とすることにより、表層絶縁層61j上に配されている配線と表層絶縁層61jの下に配されているグランド層とが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。また、モジュール基板62における表層絶縁層62gの厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くする構成としたが、表層絶縁層62gの比誘電率を他の絶縁層の比誘電率以下とする構成としてもよい。このような構成とすることにより、表層絶縁層62g上に配されている配線と表層絶縁層62gの下に配されているグランド層とが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。パッケージ基板61cの表層絶縁層61j及びモジュール基板62の表層絶縁層62gの材料としては、例えばフッ素樹脂基板(比誘電率:2.2)、ガラスフッ素樹脂基板(比誘電率:2.6)、ポリイミド基板(比誘電率:2.9〜3.0)、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる熱硬化性樹脂基板(比誘電率:3.3)などがある。表層絶縁層以外の絶縁層をFR4(比誘電率:4.8)で形成することにより、表層絶縁層の比誘電率を他の絶縁層の比誘電率よりも低くすることができる。なお、上記基板材料、比誘電率は一例であり、本発明がこれらの材料や比誘電率に限定されるものではない。また、上記基板材料、比誘電率は、実施例1におけるパッケージ基板及びモジュール基板について説明したが、他の実施例及び実施の形態に示すパッケージ基板及びモジュール基板にも適用可能である。
【0032】
図8は、弾性波分波器の比較例である。図8に示す弾性波分波器における基板構造は、例えば特許文献に開示している基板と同様の構造である。図8において、図7に示すパッケージ基板61c及びモジュール基板62以外の構成については同一構成であるため、符号の付与及び詳しい説明は省略する。パッケージ基板71は、アルミナセラミックスの絶縁体を2層積層し、表層絶縁層71a及び最下層絶縁層71bの厚さを同じ厚さ(それぞれ90μm)とした。モジュール基板72は、樹脂からなる絶縁体を3層積層し、表層絶縁層72aの厚さを40μm、中層絶縁層72bの厚さを60μm、最下層絶縁層72cの厚さを40μmとした。
【0033】
図9は、アイソレーション特性の計算結果を示す。図9において、実線特性は、図7に示す弾性波分波器(実施例1)におけるアイソレーション特性の計算結果であり、破線特性は、図8に示す弾性波分波器(比較例)におけるアイソレーション特性の計算結果である。図9に示すように、実施例1にかかる弾性波分波器によれば、最も重要である送信帯域のアイソレーションが比較例に比べて最大10dB以上改善することが確認できた。
【0034】
一方、図8に示す比較例の弾性波分波器は、モジュール基板72の表層絶縁層72aを他の絶縁層よりも薄くしているが、パッケージ基板71における表層絶縁層71aは他の絶縁層と同等の厚さであるため、アイソレーション特性は実施例1の弾性波分波器よりも大幅に悪化する。このように、モジュール基板だけでなく、モジュール基板とパッケージ基板の両方において表層絶縁層の厚さを他の絶縁層の厚さよりも薄くすることにより、アイソレーション特性を向上させることができる。
【0035】
〔2−2.実施例2〕
図10は、特性シミュレーションに用いた実施例2の弾性波分波器を示す断面図である。図10において、図7に示す弾性波分波器と同様の構成については同一符号を付与して詳しい説明は省略する。図10に示す弾性波分波器において、図7に示す弾性波分波器と異なるのは、パッケージ基板61cにおける表層絶縁層61jの厚さを25μmとし、中層絶縁層61kの厚さを70μmとし、最下層絶縁層61mの厚さを70μmとした点である。モジュール基板62は、実施例1の弾性波分波器と同様、表層絶縁層62gの厚さを40μmとし、中層絶縁層62hの厚さを60μmとし、最下層絶縁層62iの厚さを40μmとした。実施例2の弾性波分波器は、パッケージ基板61cの表層絶縁層61jの厚さを、モジュール基板62の表層絶縁層62gの厚さよりも薄くしたことを特徴としている。
【0036】
図11は、図10に示す弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果を示す。なお、図11において、実線特性は実施例2にかかる弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果であり、破線特性は実施例1にかかる弾性波分波器のアイソレーション特性の計算結果である。図11に示すように、実施例2にかかる弾性波分波器によれば、最も重要である送信帯域のアイソレーションが最大5dB以上改善するのが確認できた。
【0037】
〔3.実施の形態の効果、他〕
本実施の形態によれば、弾性波フィルタ素子を搭載するパッケージ内における配線同士の不要な電磁結合、および、複数の弾性波フィルタや分波器を搭載するモジュール基板内における配線同士の不要な電磁結合を抑制することができる。したがって、良好な抑圧特性及びアイソレーション性能を有する通信モジュールを実現することができる。
【0038】
また、絶縁層を多層積層したパッケージ基板およびモジュール基板における表層絶縁層を他の絶縁層よりも薄くすることにより、各基板を薄くすることができる。したがって、通信モジュールを小型化することができる。
【0039】
また、本実施の形態によれば、基板における表層絶縁層のみを他の絶縁層よりも薄くしているため、絶縁層の層数を少なくすることができる。したがって、基板を製造する際の絶縁層積層工程を少なくすることができるので、コストを低減することができる。さらに、表層絶縁層以外の絶縁層の厚さが表層絶縁層の厚さよりも厚いため、製造過程においてハンドリングが容易となり、積層ずれを生じにくくすることができる。したがって、製造性に優れている。
【0040】
また、本実施の形態によれば、パッケージ基板の表層絶縁層の比誘電率を、パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることにより、パッケージ内の最表層配線とグランドとが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0041】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板の表層絶縁層の比誘電率を、モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである構成とすることにより、パッケージ内の最表層配線とグランドとが接近することによる容量増加を低減でき、良好な特性が得られる。
【0042】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板上にコイルを搭載したことにより、パッケージおよびモジュール基板の表層絶縁層を薄くしたことによる浮遊容量増加分をコイルで補償でき、より良好な特性を得ることができる。
【0043】
また、本実施の形態によれば、弾性波フィルタ素子を格納するためのパッケージ内に、インダクタンスを形成するための配線を備えた構成としたことにより、モジュール基板上に搭載するコイルの数を低減でき、より小型な通信モジュールを実現できる。
【0044】
また、本実施の形態によれば、モジュール基板内に、インダクタンスを形成するための配線を備えたことにより、モジュール基板上に搭載するコイルの数を低減でき、より小型な通信モジュールを実現できる。
【0045】
なお、本実施の形態における弾性表面波フィルタ素子61aは、本発明のフィルタ素子の一例である。本発明のフィルタ素子は、弾性表面波フィルタ素子に限らず、弾性境界波フィルタ素子など、様々なフィルタ素子に適用可能である。本実施の形態におけるパッケージ基板61cは、本発明のパッケージ基板の一例である。本実施の形態におけるモジュール基板62は、本発明のモジュール基板の一例である。本実施の形態における表層絶縁層61dは、本発明のパッケージ基板における表層絶縁層の一例である。本実施の形態における表層絶縁層62aは、本発明のモジュール基板における表層絶縁層の一例である。
【0046】
本願の開示は、携帯電話、PHS(Personal Handy-phone System)、無線LAN(Local Area Network)などの移動体通信、高周波無線通信で使用可能な通信モジュールに有用である。
【0047】
(付記1)
フィルタ素子と、
前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、
前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、
前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、
前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、
前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い、通信モジュール。
【0048】
(付記2)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板の表層絶縁層の厚さよりも薄い、付記1記載の通信モジュール。
【0049】
(付記3)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、付記1記載の通信モジュール。
【0050】
(付記4)
前記パッケージ基板の前記実装面には、前記フィルタ素子と接続する表面配線を有し、
前記グランドパターンは前記表面配線とオーバーラップする、付記3記載の通信モジュール。
【0051】
(付記5)
前記表面配線が信号線の場合に、前記信号線が他の表面配線と対向する部分が前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記4記載の通信モジュール。
【0052】
(付記6)
前記表面配線がグランド線の場合に、前記グランド線と前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記4記載の通信モジュール。
【0053】
(付記7)
前記グランドパターンは、前記フィルタ素子搭載領域に配置する表面配線の内側部分と、前記表面配線とオーバーラップする部分を有する、付記4記載の通信モジュール。
【0054】
(付記8)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、付記1記載の通信モジュール。
【0055】
(付記9)
前記モジュール基板の前記実装面には、前記パッケージ基板と接続する表面配線を有し、
前記グランドパターンは前記表面配線とオーバーラップする、付記8記載の通信モジュール。
【0056】
(付記10)
前記表面配線が信号線の場合に、前記信号線が他の表面配線と対向する部分が前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記9記載の通信モジュール。
【0057】
(付記11)
前記表面配線がグランド線の場合に、前記グランド線と前記グランドパターンとがオーバーラップする、付記9記載の通信モジュール。
【0058】
(付記12)
前記グランドパターンは、前記パッケージ基板搭載領域に配置する表面配線の内側部分と、前記表面配線とオーバーラップする部分を有する、付記9記載の通信モジュール。
【0059】
(付記13)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる他のすべての絶縁層の厚さよりも薄いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0060】
(付記14)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる他のすべての絶縁層の厚さよりも薄いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0061】
(付記15)
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0062】
(付記16)
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、付記1記載の通信モジュール。
【0063】
(付記17)
前記モジュール基板上にコイルが搭載されている、付記1記載の通信モジュール。
【0064】
(付記18)
前記フィルタ素子を格納するためのパッケージ内に、インダクタンスを形成するための配線が含まれている、付記1に記載の通信モジュール。
【0065】
(付記19)
前記モジュール基板内に、インダクタンスを形成するための配線が含まれている、付記1に記載の通信モジュール。
【産業上の利用可能性】
【0066】
本願に開示する通信モジュールは、移動体通信機器あるいは無線通信機器に有用である。
【符号の説明】
【0067】
61 分波器
61c パッケージ基板
62 モジュール基板
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フィルタ素子と、
前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、
前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、
前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、
前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、
前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い、通信モジュール。
【請求項2】
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、請求項1記載の通信モジュール。
【請求項3】
前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、請求項1または2記載の通信モジュール。
【請求項4】
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、請求項1記載の通信モジュール。
【請求項5】
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、請求項1記載の通信モジュール。
【請求項1】
フィルタ素子と、
前記フィルタ素子が実装されているパッケージ基板と、
前記パッケージ基板が実装されているモジュール基板とを備え、
前記パッケージ基板及び前記モジュール基板は、それぞれ複数の配線層及び絶縁層を積層して形成されている、通信モジュールであって、
前記パッケージ基板における前記フィルタ素子の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記パッケージ基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄く、
前記モジュール基板における前記パッケージ基板の実装面を形成する表層絶縁層の厚さは、前記モジュール基板に含まれる少なくとも1つの他の絶縁層の厚さよりも薄い、通信モジュール。
【請求項2】
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、請求項1記載の通信モジュール。
【請求項3】
前記モジュール基板の前記表層絶縁層における前記実装面に対する裏面にグランドパターンが配置されている、請求項1または2記載の通信モジュール。
【請求項4】
前記パッケージ基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記パッケージ基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、請求項1記載の通信モジュール。
【請求項5】
前記モジュール基板の前記表層絶縁層の比誘電率は、前記モジュール基板に含まれる他の絶縁層の比誘電率よりも低いか同じである、請求項1記載の通信モジュール。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2010−258586(P2010−258586A)
【公開日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−104031(P2009−104031)
【出願日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【出願人】(000204284)太陽誘電株式会社 (964)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【出願人】(000204284)太陽誘電株式会社 (964)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]