【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路１２３、１２４のそれぞれから分岐部１３１、１４１で分岐させ合流部１３２、１４２で合流させた分岐線路１３０、１４０を設けている。分岐線路１４０の電気長Ｌ２と分岐部１４１から合流部１４２までのバイアス線路１２４の電気長Ｌ１との差（Ｌ２−Ｌ１）が、不要な高周波信号の実効的な波長λｇの１／２またはその奇数倍に略等しくなるように電気長Ｌ１、Ｌ２を設定する。 （もっと読む）

【課題】異なる層の高周波伝送線路を接続する接続線路と高周波伝送線路とのインピーダンス不整合を効率的に改善し信号の反射損失を減らす。
【解決手段】多層配線基板１は積層した第１の誘電体基板２０ａの一方の面で延伸する信号線路１０と他方の面上の接地導体４０とで構成されるマイクロストリップ線路を備える。第１貫通導体３０は、基板面に垂直に基板を貫通し信号線路１０の先端と他の信号線路とを接続し、第２貫通導体ビア５０は、基板面に垂直に複数個、基板を貫通して第１貫通導体３０を円筒状に囲むように形成され、接地導体４０を他の接地導体に接続する。接地導体４０と第１貫通導体３０とは第１の誘電体基板２０ａで構成される誘電体領域６０で隔絶され、その信号線路１０側の領域は、基板面上で第１貫通導体３０の中心から所定の距離離れた領域確定線９０に基づき決定され、信号線路１０のない側の領域よりも面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】組立性が良く、３０ＧＨｚを超えるミリ波帯の高周波信号を低損失で伝播することのできるミリ波伝送モジュールを提供すること。
【解決手段】ケース２に、マイクロストリップ基板１０を収容する第１凹部３ａと、該第１凹部３ａの開口端部から上方に向けて連続形成され、少なくとも第１凹部３ａにおける幅方向の寸法よりも大きく開口した第２凹部３ｂと、を有する段付き凹部３を形成し、第１蓋部材４を第１凹部３ａと第２凹部３ｂとの連続部分である段差部３ｃに設けて第１凹部内３ａを覆閉することで、マイクロストリップ基板１０から発生する電磁場を閉じ込める閉じ込め領域を構成する。 （もっと読む）

【課題】壁面共振による伝送特性のディップ状（Ｓ２１）損失を除去することが可能であり、しかも、さらなる小型化が可能で、また製造コストを低く抑えることが可能な高周波電気信号用伝送路を提供する。
【解決手段】本発明の高周波電気信号用伝送路１は、誘電体基板２の表面２ａに形成された高周波の電気信号を伝送するための信号ライン３と、信号ライン３の外側かつ表面２ａの端部近傍に形成されたＧＮＤ電極４と、誘電体基板２の裏面２ｂ全体に形成されビア５を介してＧＮＤ電極４と電気的に接続されるＧＮＤ電極６と、ＧＮＤ電極４の外側かつ表面２ａの端部に形成されＧＮＤ電極４と電気的に接続される帯状の抵抗体７とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】一枚の誘電体基板内で高いインピーダンスと低インピーダンスの線路を狭い線路幅で実現する。
【解決手段】狭い幅で高さを有する断面構造の導体棒を誘電体基板内に埋めその埋める深さを調整する事により広範囲なインピーダンスを同一基板上で実現した。この棒の断面が従来のマイクロストリツプ線路より遙かに大である事により許用電力も増す事が出来る。低域通過フィルタの構造では、高いインピーダンスの主線路は基板上に配置されこれに並列に接合される低いインピーダンスの分岐線路は基板内に一部埋め込まれて、この分岐点の一部基板上にある部分が主線路と機械的に接合されている。 （もっと読む）

【課題】高周波伝送線路の遮断周波数を従来構造のものより高くして、広帯域に亘って挿入損失を低減した高周波伝送線路およびアンテナ装置を構成する。
【解決手段】高周波伝送線路１０１の第１端ＦＰにアンテナが接続され、第２端ＳＰにコネクタが接続される。マイクロストリップラインＭＳＬの特性インピーダンスＺｂ１はストリップラインＳＬ１，ＳＬ２の特性インピーダンスより高く、コプレーナラインＣＰＬの特性インピーダンスＺｂ２はストリップラインＳＬ２の特性インピーダンスより高いので、或る周波数でマイクロストリップラインＭＳＬの位置およびコプレーナラインＣＰＬの位置が電圧最大（電圧強度分布の腹）となるような定在波が生じる。すなわち、３／４波長共振が基本波（最低次の高調波）モードとなる。したがって、高周波伝送線路の遮断周波数が高く、広帯域に亘って信号の挿入損失は低く抑えられる。 （もっと読む）

【課題】導電性の配線がＲＦ信号のために使用された場合、導電性の配線における反射および／または損失の低減を可能にする導電性の配線を提供する。
【解決手段】導電性の配線は、少なくとも第２反復の少なくともフラクタルの部分の形状のアーチ型のバリエーションを含む。フラクタルの部分は、フラクタルの第１反復の２倍より大きい。方向の変更のために、アーチ型である様々な形状は、既定の最小限の曲線半径Ｒ_minよりも大きい曲線半径を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に湾曲させることができると共に、高周波信号に発生する損失を低減できる信号線路を提供する。
【解決手段】本体１２は、可撓性材料からなる複数の絶縁シート２２が積層されてなる。グランド導体３０ａ，３０ｂは、本体１２において信号線３２よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。グランド導体３０ａ，３０ｂには、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっているスリットＳが形成されている。グランド導体３４は、本体１２において信号線３２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線３２と重なっている。グランド導体３０ａ，３０ｂ，３４及び信号線３２は、ストリップライン構造を構成している。グランド導体３０ａ，３０ｂと信号線３２との間隔Ｌ１は、グランド導体３４と信号線３２との間隔Ｌ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】マイクロストリップラインを含みかつ良好な高周波特性を有する信号配線を備えた基板を提供する。
【解決手段】基板１０ａは、絶縁性基材２０ａと、該絶縁性基板を挟むよう配置された導電層３０ａと、高速信号配線１００ａ，２００ａを備える。高速信号配線は、マイクロストリップライン１１０ａ，２１０ａと、導電性パッド１２０ａ，２２０ａと、中継ライン１３０ａ，２３０ａから構成される。特に、中継ラインは、マイクロストリップラインよりも特性インピーダンスが高くなるよう、該マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。 （もっと読む）

【課題】 実装回路パターンに接続するチップ型電子部品において、２０ＧＨｚ〜３０ＧＨｚに達する超高速差動信号を通過させ易くする。
【解決手段】 電子部品本体１は、信号処理する信号処理回路１７を内部に埋設している。信号入力端子３Ａ、３Ｂは、電子部品本体１の外部側面に形成された側面電極３ＡＳ、３ＢＳと、電子部品本体１の下面に形成され側面電極３ＡＳ、３ＢＳに接続された下面電極３ＡＬ、３ＢＬを有する。信号処理回路１７は、本体１内に形成されたビア１９ＡＶ、１９ＢＶを介し、下面電極３ＡＬ、３ＢＬ又は、側面電極３ＡＳ、３ＢＳの途中に接続される。 （もっと読む）

【課題】長距離光ファイバに対しても小型なデバイスが実現でき、分散スロープＳを含めて残留分散をより正確に打ち消すことが可能な電気分散補償器を提供する。
【解決手段】光ファイバの残留分散を電気信号として補償する電気分散補償器であって、ストリップ導体５の幅ｗ（ｚ）が長手方向（ｚ方向）に不均一に分布し、光ファイバの残留分散として分散Ｄおよび分散スロープＳを補償するための電気信号の群遅延特性を有する反射型のマイクロストリップ線路１から構成される。ストリップ導体５の幅の分布ｗ（ｚ）は、Zakharov-Shabat方程式における、スペクトルデータからポテンシャルを導く逆問題に基づく設計法を用いて設計することができる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体基板の多層化やスルーホールを形成せずに、立体交差の上部側に配置されたマイクロストリップ線路の信号線（ストリップ導体）であるブリッジ導体に生じる誘導成分を簡便な構成で緩和してインピーダンス整合を取ることが可能な交差回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 ブリッジ導体１２に生じる誘導成分をブリッジ導体１２に沿って設けられた第１補助ブリッジ導体１０、第１導体パッド６及び第３導体パッド８、並びに、第２補助ブリッジ導体１１、第２導体パッド７及び第４導体パッド９により生じる容量成分によって緩和する。 （もっと読む）

【課題】 伝送線路が溶断した場合であっても、電子回路への影響を小さくすることが可能な電子回路を提供する。
【解決手段】 本発明の電子回路２００は、第１の伝送線路である主線路（伝送線路１４および１６）と、第２の伝送線路である伝送線路４０と、ＭＩＭキャパシタ２０とを備える。伝送線路４０は、一端が主線路と接続され、他端がＭＩＭキャパシタ２０の一端と接続され、かつ、その幅が他の部分よりも狭い幅狭部４２を備えている。ＭＩＭキャパシタ２０がショートした場合、伝送線路４０は幅狭部４２で溶断しやすくなり、溶断位置によって生じるオープンスタブが回路特性に悪影響を与えることを防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、伝送線路パターンがケースに埋め込まれる電子装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施例による電子装置は、ケースの内部に埋め込まれ、部品間の電気的接続のための線路パターンが形成された線路パターン形成体と、線路パターンと電気的に接続される部品の端子に対応する位置において、ケースの底面から露出形成される端子部と、端子部と部品の端子とを接続する接続部材と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平面回路での使用に適し、且つ製造コストを減らすことのできる非対称クロスオーバーカプラーを提供する。
【解決手段】平面非対称クロスオーバーカプラーは、第１分岐〜第７分岐を有する。第１分岐〜第４分岐は、第１ポートと第４ポートを有する第１領域を形成する。第４分岐〜第７分岐は、第２ポートと第３ポートを有する第２領域を形成する。各分岐の特性インピーダンスは、各ポートの負荷インピーダンスおよび電力分配比に基づいて決定される。 （もっと読む）

回路装置は、多層回路キャリア、第１信号伝達ライン、第２信号伝達ライン、信号ライン遷移素子、第１インピーダンス変成器、第２インピーダンス変成器を備える。多層回路キャリアは、第１層および第２層を有する。第１信号伝達ラインは、上記第１層の表面に配置されている。第２信号伝達ラインは、上記第２層の表面に配置されている。信号ライン遷移素子は、上記第１層および第２層を通るとともに、第１信号端と第２信号端とを有する。第１インピーダンス変成器は、上記第１層の表面に配置され、上記第１信号伝達ラインと上記第１信号端との間に電気的に接続されている。第２インピーダンス変成器は、上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続されている。
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【課題】信号の損失を低減できる信号伝送路を提供すること。
【解決手段】第１の面と前記第１の面とは反対側の面である第２の面とを有する誘電体基板２と、前記第１の面と前記第２の面との間に設けられ、接地電位を有する導体層１０と、導体層１０と容量性結合する第１信号導体１８を前記第１の面に備える第１伝送線路４と、前記第２の面に設けられた第２伝送線路６と、誘電体基板２の内部を通り、第１伝送線路４の第１信号導体１８と、第２伝送線路６と、を接続するビア配線８と、導体層１０に設けられ、内側にビア配線８が位置し、第１伝送線路４の第１信号導体１８の延在方向における導体層１０とビア配線との距離が、第１伝送線路４の第１信号導体１８の延在方向と交叉する方向における導体層１０とビア配線８との距離より小さい開口部１２と、を具備することを特徴とする信号伝送路。 （もっと読む）

【課題】高密度に集積できる電磁結合構造、多層伝送線路板、及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波帯の周波数帯域で使用される電磁結合構造であって、内側誘電体層２３が、複数のグランド層となる内側導体層１２、１５の間に挟まれて積層された積層体と、積層体を間に挟んで対向する一対の外側誘電体層２１、２５と、一対の外側誘電体層２１、２５を間に挟んで対向する一対の外側導体層１１、１６と、を備える。積層体には、内側誘電体層２３及び複数のグランド層となる内側導体層１２、１５を貫通する孔Ｓが設けられており、孔Ｓの内壁に形成された管状の金属膜３を介して、複数のグランド層となる内側導体層１２、１５が電気的に接続されることにより、一対の外側導体層１１、１６が電磁結合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スタブ間隔が１／４波長未満であってもインピーダンス整合を取ることができる移相器を提供する。
【解決手段】主線路１１には、線路幅が異なる箇所（整合線路）が２箇所設けられている。移相器１は、これら整合線路部１２Ａおよび整合線路部１２Ｂに、それぞれスタブ１３Ａおよびスタブ１３Ｂが接続されている。整合線路部１２Ａは誘導性であり、接続されているスタブ１３Ａが容量性であるため、主線路部１１Ａ側から見て整合線路部１２Ａのスタブ接続箇所まで、十分にインピーダンス整合が取れていることになる。同様に、整合線路部１２Ｂは誘導性であり、接続されているスタブ１３Ｂが容量性であるため、主線路部１１Ｃ側から見て整合線路部１２Ｂのスタブ接続箇所まで、整合線路部１２Ｂは十分にインピーダンス整合が取れていることになる。 （もっと読む）