【課題】モータ駆動電流のモード切り替えに伴って発生するノイズによる誤動作を防止することのできるコンパレータ回路を提供する。
【解決手段】実施形態のコンパレータ回路は、基準電圧生成部１が、設定電流に相当する基準電圧Ｖｒｅｆを生成し、比較部２が、モータ駆動電流に応じて変化する検出電圧Ｖｒｓと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較する。このコンパレータ回路は、比較制御部３が、モータ駆動電流の制御モードがＣｈａｒｇｅモードに切り替えられたときの一定期間、比較制御信号ＣＮＴを出力し、電圧変更制御部４が、比較制御信号ＣＮＴが出力されたときに、基準電圧Ｖｒｅｆの電圧値を変更する。 （もっと読む）

【課題】高速量子化器および最適化された時間遅延を提供する。
【解決手段】高速量子化器コンパレータの装置と方法は、３部を含む：プリアンプ部、再生ラッチ部、およびデータラッチ部。時間遅延は、再生ラッチ出力の最初の電圧を変えることによって減少される。電流源はコンパレータの底部に提供され、時間遅延最適化を可能にする。ＰＭＯＳ同等化スイッチが停止されたとき、クロック信号をフィードスルーにし、出力に電荷の注入を提供する。これらの電荷によって、コンパレータの時間遅延が可変となる。リセット時間が比較時間より長いために、非常に低い電流が出力電圧を決定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は差動入力信号を受けるトランジスタの特性のばらつきに伴う比較誤差を制御することが可能な比較器を提供することである。
【解決手段】
第１信号を受ける第１トランジスタと、第２信号を受ける第２トランジスタとからなる入力部と、第１電流経路と、第２電流経路と、第１電流経路中の第１ノード及び第２電流経路中の第２ノード間の電位差を増幅するラッチ回路と、第１トランジスタへの高電位の供給又はグランド電位の供給、または供給の遮断を行う第１スイッチと、第２トランジスタへの高電位の供給又はグランド電位の供給、または供給の遮断を行う第２スイッチと、第１電流経路及び前記第２電流経路にグランド電位を供給又は供給の遮断を行う第３スイッチとを有する比較動作制御部と、第１スイッチ、第２スイッチ、第３スイッチの供給又は供給の遮断を独立して制御する比較動作設定部とを備えることを特徴とする比較回路が供給される。
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【課題】回路規模を大型化することなく、大きな遅延時間を得る。
【解決手段】遅延対象の矩形波の入力信号Ｖinを台形波発生回路１０により台形波信号Ｖcに変換し、その台形波信号の中間電圧よりも高く設定された第１のスレッショルド電圧Ｔｈ1を有するインバータ２１と、中間電圧よりも低く設定された第２のスレッショルド電圧Ｔh2を有するインバータ２２とで、台形波信号Ｖcと第１及び第２のスレッショルド電圧を比較し、インバータ２１とインバータ２2の出力でバッファ回路２３を駆動し、台形波信号Ｖcに同期して反転し、かつ遅延した矩形波の出力信号Ｖoutを生成する。 （もっと読む）

【課題】従来のヒステリシス入力回路は等価的にＰ型ＭＯＳＦＥＴとＮ型ＭＯＳＦＥＴのインバータ回路のβ比を変えて、ロジックレベルのヒステリシスを作っていたが、この方式では電源電圧が低下するとヒステリシス幅が極端に小さくなった。また、電源電圧の広範囲の変動に対してヒステリシス幅を確保することは難しかった。また、ロジックレベルを形成するのにＰ型とＮ型ＭＯＳＦＥＴを用いるので形状比の設定にやや無理があり、また製造工程でのバラツキの影響を受けやすかった。
【解決手段】入力インバータ回路と正極の電源にＰ型、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ、負極の電源にＮ型、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴと、及び前状態を過渡的にでも記憶・遅延する遅延回路を設け、前状態により、前記各ＭＯＳＦＥＴをオン・オフすることにより、ヒステリシス特性を得る。電圧特性が異なるＭＯＳＦＥＴを使い分けることにより、前述の課題が解消できた。 （もっと読む）

【課題】 オペアンプや遅延回路を含むシステムの動作速度を変更するには、オペアンプや遅延回路を個別に再設計する必要があった。
【解決手段】 オペアンプ４２は、所定の固定電圧および所定のバイアス電圧を受けて動作する。遅延回路１０は、所定の固定電圧および所定のバイアス電圧を受けて、内部を流れる電流の変動を抑制しながら動作する。クロック生成回路２０は、遅延回路１０にて遅延される前の信号と、遅延回路１０にて遅延された信号を基に、オペアンプ４２に供給するクロック信号を生成する。定電圧発生回路３０は、オペアンプ４２および遅延回路１０に供給するバイアス電圧を生成する。 （もっと読む）