【課題】発振回路の性能を維持しながら静電気保護耐圧を向上できる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、振動子ＸＴＡＬの一端に接続される第１のパッドＰ１と、振動子ＸＴＡＬの他端に接続される第２のパッドＰ２と、振動子ＸＴＡＬの発振用のバッファー回路ＢＦと、第１のパッドＰ１側の第１の接続ノードＮＣ１と、バッファー回路ＢＦの入力ノードＮＩとの間に設けられる第１の保護抵抗素子Ｒ１と、第２のパッドＰ２側の第２の接続ノードＮＣ２と、バッファー回路ＢＦの出力ノードＮＱとの間に設けられる第２の保護抵抗素子Ｒ２と、第１、第２の接続ノードＮＣ１、ＮＣ２の一方に接続される容量回路ＣＸ１（ＣＸ２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスの微細化と、しきい電圧の低下により、通常オフ状態となっているＭＯＳトランジスタにリーク電流が発生する。また、製造プロセスによっては、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタとＰチャンネルトランジスタとのリーク電流が等しいとは限らない場合があり、発振回路のような回路構成によっては、動作に問題を引き起こす可能性が高い。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、制御電圧により駆動力が変化する第１のトランジスタを有する保護回路と、前記保護回路と同一の回路構成を有するモニター回路と、前記モニター回路が出力する電圧と、基準電圧との比較結果に基づいて前記制御電圧を生成する制御電圧生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量のために発振波形が接地線側または電源線側に引き込まれることを抑制し、発振出力端子からはフル振幅の正常な発振波形が出力される発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子Ｘの両端子が増幅器Ａの入出力端子に接続され、増幅器Ａの出力端子から発振波形が出力される発振回路において、増幅器Ａの入力側に、Ｐ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型のＥＳＤ保護回路Ｂ１が接続されている。増幅器Ａの入力側のＥＳＤ保護回路Ｂ１がＰ型拡散層とＮ型拡散層を有するダイオード型であるため、発振状態で増幅器Ａの入力側で接地線側または電源線側に流れる電流はジャンクションリークのみで、発振波形が引き込まれるほどには電流は流れず、増幅器Ａの入力側でも出力側でも発振波形はフル振幅波形を得ることが可能で、高周波で発振させるときでも、発振出力端子ＯＵＴからフル振幅波形を出力させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パルス変調周波数の調整に必要な消費電力を低減する。
【解決手段】パルス発生回路１００は、発振する周期信号の周期時間を制御する制御電圧を印加する制御電圧線を有するリング発振回路２００と、リング発振回路から出力される周期信号に基づきパルス信号を生成する高周波作成論理回路３００と、リング発振回路から出力される周期信号から分周信号を出力する分周回路１０１と、分周信号と基準クロック信号の位相を比較し位相比較信号を出力する位相比較回路１０３と、位相比較信号に基づき制御電圧を第１の切換素子ＳＷ１を介して制御電圧線に出力する制御電圧発生回路１０４と、制御電圧線に接続された記憶素子ＣＡＰと、を有し、制御電圧発生回路が制御電圧を出力する期間である制御期間は、第１の切換素子を導通状態にし、記憶素子に制御電圧を保持し、制御期間以外は、第１の切換素子を非導通状態する。 （もっと読む）

【課題】外部クロック信号の入力時における出力クロック信号のDutyの変動を抑える。
【解決手段】発振回路は、内部電源電圧に対応した振幅で発振して内部クロック信号を発生する発振部３０と、スイッチ２８，２９と、トレラント入力回路用のＮＭＯＳ１３と、初段ドライバ１５と、カップリング容量２７とを有している。スイッチ２８，２９は、外部クロック信号がクロック端子１，２に入力される時にはオフ状態になり、発振部３０が発振する時にはオン状態になる。ＮＭＯＳ１３は、入力クロック信号の振幅をオン抵抗値により変化させてドレイン電極から出力する。初段ドライバ１５は、ＮＭＯＳ１３のドレイン電極の出力を駆動してクロック信号を出力する。カップリング容量２７は、入力クロック信号の立ち上がりの際にＮＭＯＳ１３のゲート電圧を変化させて前記オン抵抗値を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】
広い周波数範囲で安定した発振信号を得る。
【解決手段】
発振回路は、セルベースＩＣのような半導体装置において使用される。入出力端子間に水晶発振子ＸＬを接続可能とし、制御信号ＣＮＴによって利得を調整可能とするように構成される反転増幅器１０と、反転増幅器１０が出力する発振信号を波形整形するシュミット回路等の波形整形回路１１とを備える。反転増幅器１０は、選択的に動作可能とされる複数のインバータ回路を含み、複数のインバータ回路から１あるいは２以上のインバータ回路を選択して反転増幅器として機能させる。制御信号ＣＮＴによってインバータ回路を選択することで反転増幅器の利得を調整する。また、波形整形回路１１は、反転増幅器の利得調整に対応して波形整形の際の利得を制御信号ＣＮＴによって調整可能となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】最大出力周波数が受動素子により制限されない電圧制御オシレータ及びそれを用いた電子システムの提供。
【解決手段】電圧制御オシレータは、第１のＸＯＲ結果を第１の出力信号に変換する第１の変換器、第２のＸＯＲ結果を第２の出力信号に変換する第２の変換器、第１の入力信号と第２の入力信号に基づいてＸＯＲ論理操作を行って第１のＸＯＲ結果を出力する第１のＸＯＲ論理ユニット、及び第１の出力信号と参考電圧に基づいてＸＯＲ論理操作を行って第２のＸＯＲ結果を出力する第２のＸＯＲ論理ユニットを含む。また、電圧制御オシレータは、更に、第１の出力信号と第２の出力信号に基づいてＸＯＲ論理操作を行って第３のＸＯＲ結果を出力する第３のＸＯＲ論理ユニットを含むことができる。 （もっと読む）