【課題】半導体スイッチにおいて、エネルギー効率を高くする。
【解決手段】半導体スイッチ１は、ＬＥＤ２を駆動回路３により駆動して発光させ、ＬＥＤ２から発光された光を受光部４により受光する。駆動回路３は、バイポーラトランジスタ３１と、コイル３２と、ダイオード３３等を有する。バイポーラトランジスタ３１は、導通状態と非導通状態とに切換えられ、導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給される状態にし、非導通状態のときに、電源からＬＥＤ２に電流が供給されない状態にする。コイル３２は、ＬＥＤ２に直列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が導通状態から非導通状態になったときに、自己誘導作用によって誘導起電力を発生する。ダイオード３３は、ＬＥＤ２及びコイル３２に並列に接続されており、バイポーラトランジスタ３１が非導通状態のときに、コイル３２が発生する誘導起電力によって、ＬＥＤ２に電流を還流させる。 （もっと読む）

【課題】光信号を送信するための発光素子の駆動に寄与しない無効電流を低減することが可能な駆動回路および宅側装置を提供する。
【解決手段】駆動回路５２は、光信号を送信するための発光素子ＬＤを含む発光回路７５における発光素子ＬＤにバイアス電流を供給するためのバイアス電流供給回路６８と、送信すべきデータの論理値に応じた大きさの変調電流を発光素子ＬＤに供給するための変調電流供給回路６３とを備える。変調電流供給回路６３は、データの論理値に応じて、発光素子ＬＤに電流を供給するか否かを切り替えるための差動駆動回路４１と、差動駆動回路４１の差動出力間に接続された終端抵抗とを含む。差動駆動回路４１および発光回路７５は直流結合されており、差動駆動回路４１が発光素子ＬＤに供給する上記電流の電源は発光回路７５から供給される。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧設定回路の抵抗器の開放故障に対するフェールセーフ性を確保し、且つ、検査信号がオフ制御されたときの消費電力を低減できる接点入力回路の実現。
【解決手段】接点入力回路１０は、接点の開閉状態を示す入力信号が入力される正入力端子１１と負入力端子１２との間に、第１抵抗器Ｒ１、第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４が直列接続されている。そして、直列接続された第３抵抗器Ｒ３及び第４抵抗器Ｒ４に対して、第２抵抗器Ｒ２、第１フォトカプラＰ１のフォトダイオードＰｄ１及び第２フォトカプラＰ２のフォトトランジスタＰｔ２が順方向に直列接続されてなる第２回路部１６が並列接続されている。また、第４抵抗器Ｒ４に対して、第２フォトカプラＰ２のフォトダイオードＰｄ２及び第３フォトカプラＰ３のフォトトランジスタＰｔ３が順方向に直列接続されてなる第１回路部１５が並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】電力効率を低下させずに高速動作可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路は、入力電圧を第１の電圧に変換する第１のＤＣ／ＤＣコンバータＢ１と、制御信号に応じて第１の電圧を出力するか否か切り替える第１のスイッチ回路Ｃ１と、第１のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第１の制御回路Ｄ１と、高圧側電源に一端が、出力端子に他端が接続され、第１の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第１の能動素子Ａ１と、入力電圧を第２の電圧に変換する第２のＤＣ／ＤＣコンバータＢ２と、制御信号に応じて第１のスイッチ回路とは相補的に第２の電圧を出力するか否か切り替える第３のスイッチ回路Ｃ３と、第３のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第２の制御回路Ｄ２と、出力端子に一端が、低圧側電源に他端が接続され、第２の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第２の能動素子Ａ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型且つ低価格な高圧パルス発生装置を提供する。
【解決手段】高圧パルス発生装置は、パルス信号を発生するパルス発生部１と、高圧側電圧ＶＤＤを生成する高圧側電源２と、低圧側電圧ＶＳＳを生成する低圧側電源３と、前記パルス信号に応じて、入力された前記高圧側電圧ＶＤＤと前記低圧側電圧ＶＳＳとを何れか一方ずつ交互に出力端子Ｏ１から出力するスイッチング部４と、前記パルス信号の周波数と、前記高圧側電圧ＶＤＤと、前記低圧側電圧ＶＳＳとを制御する制御部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧のスイッチ回路を提供する。
【解決手段】入力される切替信号に応じて２端子間を電気的に接続するか否かを切り替えるスイッチ回路であって、２端子間を電気的に接続するか否かを切り替える第１切替部と、入力電流に応じて第１切替部を制御する、第１切替部に対して電気的に絶縁された第１制御部と、第１制御部に入力電流を入力するか否かを切り替える第２切替部と、切替信号に応じて第２切替部を制御する、第２切替部に対して電気的に絶縁された第２制御部とを備えるスイッチ回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング動作に際して音を発生するエレベータ制御用半導体リレー装置を提供する。
【解決手段】一対の出力側端子と、出力端子に出力段が接続され、出力端子間をオン／オフ状態間で切り換える半導体スイッチング手段と、一対の入力側端子に入力される切換指示入力信号が出力端子間をオンまたはオフ状態のいずれに切り換える信号であるのかを判定する入力判定手段と、判定された結果に応じた出力切換制御信号を半導体スイッチング手段に伝達する出力切換制御手段とを備える。また、判定された結果に基づいて可聴音の出力を指示する音出力指示手段と、指示に応じて、可聴音に対応する電気信号である音響信号を出力する音響信号出力手段と、出力された音響信号を音波に変換する電気／音波変換手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで確実に同時オンを防止できる、リレー駆動装置における同時オン防止回路を提供すること。
【解決手段】２つの半導体リレー（一方向通電駆動型リレー）１，２が互いに逆方向となるように接続された両接続点に、それぞれ、制御部（駆動制御手段）３からのパルス制御信号が入力されるＮＡＮＤゲート素子（第１および第２のロジック素子）６ａ、６ｂの出力端子が接続され、ＮＡＮＤゲート素子（第１および第２のロジック素子）６ａ、６ｂは、それぞれ、一方がハイレベルの時他方がローレベルとなる駆動出力信号を出力するように制御部（駆動制御手段）３で制御される。 （もっと読む）

【課題】作業ミスによる機器の故障や破損を未然に防止できるヒートポンプ式給湯装置を提供する。
【解決手段】 タンクユニット１００とヒートポンプユニット２００とを３芯の信号線３００で接続し、タンクユニット１００に供給された商用交流電源を前記信号線３００の第１及び第３の芯線３０１，３０１を介してヒートポンプユニット２００に供給するとともに、第２及び第３の芯線３０２，３０３を介してデータ通信を行い、タンクユニット２００に前記信号線の第２及び第３の芯線との間３０２，３０３に所定値以上の電圧が印加されたことを検出する検出手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオン/オフの切り替えを高速にし、かつ、小型化してコストを低減することができるようにする。
【解決手段】JKフリップフロップU1は、ON/OFF信号に基づいて、クロックCLKに同期したパルス信号を出力し、パルストランスL1においては、そのパルス信号が１次側コイルに入力される。ダイオードブリッジ１１は、パルストランスL1の２次側コイルからの出力を整流し、パルス信号を整流することで得られた駆動電圧をMOS-FETQ1およびMOS-FETQ2のゲートに出力する。そして、MOS-FETQ1およびMOS-FETQ2は、その出力電圧に応じてスイッチング動作をして、リニアモータのコイルに流す電流をオン/オフする。本発明は、半導体露光装置のステージ等に使用されるモータの駆動装置にて使用されるモータ励磁切り替え回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高電圧を高速でオンオフすることができる半導体リレーを提供する。
【解決手段】パルス信号源２８からパルス信号が出力されると、パルストランス２０からパルス信号が出力され、アナログスイッチ３０の状態が切り換えられ、アナログスイッチ３０の出力端から電源電圧が出力され、ＭＯＳＦＥＴ回路におけるＭＯＳＦＥＴ４２、４４は共に導通し、交流電源５２からの交流高電圧が負荷５０に印加される。次に、パルス信号源２８からパルス信号が出力されると、パルストランス２０からパルス信号が出力され、アナログスイッチ３０が状態が切り換えられ、アナログスイッチ３０の出力端から接地電圧が出力され、ＭＯＳＦＥＴ回路におけるＭＯＳＦＥＴ４２、４４は共に遮断し、交流電源５２からの交流高電圧が負荷５０に印加されなくなる。 （もっと読む）

【課題】無負荷及び有負荷での漏れ電流の検出感度を好適に設定することができる出力回路及びそれを用いた検出スイッチを提供する。
【解決手段】制御手段１１は、電源投入時に、スイッチング素子２１のオン状態において、出力電流検出手段２５により検出された出力電流に基づいて、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出感度を変更して記憶手段１２に記憶させる設定ステップと、設定ステップ終了後に、記憶手段１２に記憶される検出感度に従って、出力電圧検出手段２４による漏れ電流の検出を行う検出ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルコントローラの入力回路においては、限流抵抗による発熱が大きくなっている。
【解決手段】入力信号を取り込むフォトカプラと直列にスイッチング素子を接続する。このスイッチング素子のベースと限流抵抗の出力側間に第２のフォトカプラを接続する。演算部の制御手段は、この第２フォトカプラを介してスイッチング素子をオン・オフ制御するよう構成する。また、スイッチング素子のオン・オフ信号のデューティー比を可変可能に構成する。また、スイッチング素子のオン・オフ信号と、サンプリング信号のクロックを同一クロックで構成した。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧設定回路の開放故障に対するフェールセーフ性を確保しつつ、接点の接触信頼性の向上を図ることのできる接点入力回路を提供する。
【解決手段】（＋）入力端子１１と（−）入力端子１２の間に抵抗器Ｒ１とＲ３と第３フォトカプラＰ３のフォトダイオードＰｄ３とを順方向にして直列接続し、Ｒ１とＲ３の接続点と（−）入力端子１２との間に、抵抗器Ｒ２と第１フォトカプラＰ１のフォトダイオードＰｄ１と第２フォトカプラＰ２のフォトトランジスタＰｔ２と第３フォトカプラＰ３のフォトトランジスタＰｔ３とを順方向かつ直列に接続し、第１フォトカプラＰ１のフォトトランジスタＰｔ１により出力信号の出力回路を構成し、検査信号により第２フォトカプラＰ２のフォトトランジスタＰｔ２をオン／オフさせる。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、出力段ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間のリーク電流を低減するためベースの不純物濃度を高くしても、ゲート閾値電圧Ｖｔやオン抵抗Ｒｏｎが増加せず、その結果、スイッチング時間が増加したりオン抵抗が増加したりすることがない半導体リレーを提供することである。
【解決手段】本発明の半導体リレー１０１は、電気信号を光信号に変換するＬＥＤ１７と、光信号に応じた第一の出力電圧を発生する第１のフォトダイオードアレイ１８と、第一の出力電圧がゲート・ソース間に印加されてドレイン・ソース間が導通/非導通状態に切り替えられる出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３とを備え、出力段ＭＯＳＦＥＴ１０２，１０３のゲート閾値電圧を導通/非導通状態で切替える切替手段１０４を備えた。 （もっと読む）

安全インターロック回路であって、安全インターロック・スイッチがそれらの状態を報告することができる、安全インターロック回路。安全インターロック・スイッチと関連付けられた信号発生器が、安全インターロック回路の配線で伝送されるステータス信号を生成する。本発明は、ステータス信号を搬送するために追加の配線が必要とされないので、現行の設備を改装する場合に理想的である。
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【課題】光源の温度係数を追跡するための手段を提供する。
【解決手段】光源の温度係数を追跡する出力信号を生成するための装置及び方法が提供される。光源(104)の温度係数（たとえば、発光ダイオード（LED）の温度係数）を追跡する出力信号を生成する光源温度係数追跡機構(150)（たとえば、電流源回路）が提供される。絶対温度比例電流源回路(230)（PTAT電流源回路）は第１の信号を生成する。絶対温度相補電流源回路(210)（CTAT電流源回路）は第２の信号を生成する。光源の温度係数を追跡する出力信号は第１の信号と第２の信号に基づく。 （もっと読む）

【課題】光絶縁素子のターンオン時間及びターンオフ時間をともに短縮することで、応答性を向上することができるインタフェース回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の入力側サンプリングスイッチは、フォトモスリレーと、トランジスタと、電流制御回路とから構成されている。電流制御回路は並列接続された抵抗及びコンデンサを有している。そして、電流制御回路で、フォトモスリレーをオンさせるときには、オン電流閾値より大きいターンオン電流を、オフさせるときには、ターンオン電流より小さくオン電流閾値より大きいターンオフ電流入力端子に流す。これにより、フォトモスリレーのターンオン及びターンオフ時間を短縮して、入力側サンプリングスイッチの応答性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｐ１形およびＰ２形のうちの所望の形式で使用することができ、応答速度が速いインタフェース回路を提供する。
【解決手段】 インタフェース回路をＰ１形で使用する場合は端子Ｔ４とＴ６を接続し、Ｐ２形で使用する場合は端子Ｔ５とＴ６，Ｔ７とＴ８をそれぞれ接続する。車両感知信号／Ｄが活性化レベルの「Ｌ」レベルになると、Ｐ１形の場合はフォトトランジスタ６が導通せず、出力端子Ｔ２，Ｔ３間が非導通状態になり、Ｐ２形の場合はフォトトランジスタ６が導通し、出力端子Ｔ２，Ｔ３間が導通状態になる。従来のフォトＭＯＳトランジスタの代わりにフォトトランジスタ６を使用したので、応答速度が速くなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体リレー装置において、特性インピーダンスを改善することにより、その高周波特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 発光素子１１と、発光素子からの光を受光する受光素子１２と、受光によって生成された信号を受けて外部回路を動作させるスイッチ回路であるＭＯＳ素子１３と、ＭＯＳ素子１３と外部回路とを接続する信号配線１７ａ及び１８ａを有する半導体リレー装置１０において、信号配線１７ａ及び１８ａの特性インピーダンスを制御するグランド板を２０信号配線１７ａ及び１８ａに近接して、前記信号配線１７ａ及び１８ａと直接接続することなく配置する。 （もっと読む）