【課題】温度変化等に起因して回路特性が変化した場合であっても増幅装置の利得を所定範囲内に設定することが可能な増幅装置を得る。
【解決手段】増幅装置３は、ドハティ型の増幅装置であって、入力信号Ｓ１を入力信号Ｓ３と入力信号Ｓ４とに分配する分配器１６と、入力信号Ｓ３を増幅するメインアンプ１２と、入力信号Ｓ１の信号レベルが所定値以上である場合に、入力信号Ｓ４を増幅するピークアンプ１３と、メインアンプ１２から出力された出力信号Ｓ５と、ピークアンプ１３から出力された出力信号Ｓ６とを合成して出力する出力部１７と、メインアンプ１２及びピークアンプ１３の双方のゲートバイアス電圧Ｖｇｍ，Ｖｇｐを略線形関係で制御することによって、増幅装置３の利得を所定範囲内に設定する制御部１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅部（例えばキャリア増幅器及びピーク増幅器等）を有する増幅器を小型化することを目的としている。
【解決手段】入力信号が入力される入力部３と、入力信号を複数の信号に分岐させる分岐部４と、分岐部４で分岐された信号を増幅させる第一及び第二増幅部５、６と、第一及び第二増幅部５、６からそれぞれ出力されて合成された信号を出力する出力部９と、第一及び第二増幅部５、６が実装された基板２と、を備えており、第一増幅部５は、基板２の一方の主面２ａに設けられ、第二増幅部６は、基板２の他方の主面２ｂに設けられている。 （もっと読む）

【課題】ピーク信号の電力および位相を最適化できるようにして、ドハティ増幅装置の生産性、リニアリティおよび効率を改善する。
【解決手段】ドハティ増幅装置を改良した増幅装置２においては、減衰器２４２および移相器２４４によるピーク信号の位相および電力の最適に調整される。この最適化の結果、キャリア増幅部２２およびピーク増幅部２４において生じるキャリア信号と、ピーク信号との位相差が解消されるので、高効率で、しかも、リニアリティよく、無線信号を増幅できるようになる。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）

常に信号の増幅動作を行うキャリア増幅器と、高電力出力時のみに動作するピーク増幅器と、キャリア増幅器とピーク増幅器の出力を合成して出力する合成器と、入力信号をキャリア増幅器側とピーク増幅器側に分配する分配器とを含んで構成される。キャリア増幅器およびピーク増幅器は１個のパッケージ１（１パッケージトランジスタ）に内蔵される。
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【課題】ＡＭ−ＰＭ歪みを効果的に抑制することができ、小型で低コストの増幅器を提供する。
【解決手段】ドハーティ増幅器において、入力分配回路２の前段に前置歪み補償回路７が、また、ピーク増幅器４の前段に、置歪み補償回路９が夫々設けられている。入力端子１からの入力信号は、入力分配回路２により、キャリア増幅器３とピーク増幅器４とに分配され、キャリア増幅器３が飽和するまでは、キャリア増幅器３のみで増幅され、キャリア増幅器３が飽和すると、入力信号のキャリア増幅器３が飽和するレベル以上のピーク部分がピーク増幅器４で増幅されるが、キャリア増幅器３で生ずるＡＭ−ＰＭ歪みは前置歪み補償回路７で補償され、ピーク増幅器４で生ずるＡＭ−ＰＭ歪みは前置歪み補償回路７と前置歪み補償回路９とで補償される。 （もっと読む）

【課題】 回路規模を増大させたり製造コストを高くすることなく、電力効率の高効率化及び高線形化を実現することができるドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】 入力端子から入力されたＲＦ信号は分配器１によって２つの経路に分配される。入力電力が少ないときはキャリア増幅器２のみによって線形増幅が行われて増幅されたＲＦ信号の電力は出力端子より送出される。入力電力が所定の値より多くなると、キャリア増幅器２及びピーク増幅器６によって増幅された電力が合成器９で合成されて出力端子より送出される。このとき、ピーク増幅器６の前段の位相調整器５と後段のインピーダンス変換器８とにより、キャリア増幅器２からみた負荷インピーダンスＲ_ＬをＮ−Ｗａｙドハティ増幅器のように減少させて電力増幅の最適動作を行わせる。これによって、ドハティ増幅器における電力増幅効率の高効率及び高線形化を実現することができる。
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【課題】 送信信号のスロット数が変わった場合にＡＢクラスで増幅動作していても歪み特性を悪化させることが少ない高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】 この発明の高周波増幅装置には、増幅素子のMOS-FET101が配置されている。そのドレインDにはストリップライン112による整合パターンを介してドレイン電源が供給され、ソースにはソース電圧が印加されている。そして、整合パターンとドレイン電源を接続するライン上にあって、前記高周波信号で整合パターン側からドレイン電源側を見た場合にオープン状態に見える位置に配置された第１のコンデンサ107を有するとともに、ビート成分を最小にさせる位置で整合パターンに配置された第２のコンデンサ113を有する。第２のコンデンサは、第１のコンデンサと協働して、整合パターンに現れるビート成分を最小にするので、MOS-FETのドレイン電流は安定し、出力に現れる歪み成分は少なくなる。
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