【課題】高周波信号の正帰還を防止可能なマイクロ波集積回路装置及びマイクロ波集積回路装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波集積回路装置１は、誘電体材料により形成された基板１０の一方の主面に設けられ、マイクロストリップ線路で形成された入力端子１１と、基板１０の他方の主面に設けられコプレーナ線路で形成された出力端子１２と、基板１０の上面に配置されたマイクロ波集積回路素子２０と、を備え、入力端子１１と出力端子１２との偏波面が直交する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高周波成分を抑圧するためのスタブの接続位置の調整を容易化する。
【解決手段】ＦＥＴ１０の入力端子に入力整合回路１２、出力端子に出力整合回路１４が接続された増幅器において、高周波成分を抑圧するためにＦＥＴ１０の出力端子にリング型スタブ１８を接続する。リング型スタブ１８は、その一辺が伝送線路１６と平行になるように配置される。リング型スタブ１８の全長は、ｎ次の高調波を抑制する場合に、基本波の波長をλとしてλ／（２ｎ）に設定される。 （もっと読む）

【課題】広帯域に高調波整合を図ることができて、広帯域で効率を高めることができるとともに、高調波整合に対する設計自由度を高めることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】整合回路３の表面に形成されている配線パターン４が、ＦＥＴ１と電気的に接続されている主線路５と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されているオープンスタブ６と、一端が主線路５と接続されて、主線路５の外側に配置されており、ＦＥＴ１から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ７とから構成されている。 （もっと読む）

放射パワー結合システムであって：
・周縁上に方形導波管（１６）の形態のポートを備える放射分割器（１０）と；
・放射分割器に重ねられ、周縁上に方形導波管（１６’）の形態のポートを備える放射結合器（１０’）と；
・第１の信号を放射分割器の中心に送信する第１の入力遷移部（１１）と；
・放射結合器（１０’）の出力に増幅された第１の信号を捕捉する第２の出力遷移部（１１’）と；
・少なくとも２つの増幅チャネル（１５）であって：
○導波管（１６）と相互作用可能な第３の入力遷移部（２２）と；
○導波管（１６’）と相互作用可能な第４の出力遷移部（２３）と；
○少なくとも１つの増幅器（２４）と；を備える、増幅チャネル（１５）と；を備える放射パワー結合システム。
本発明によるシステムは、増幅チャネルの位置決めを調整するための手段を備え、これにより様々なチャネルの位相シフトの調整を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 ＷＢＧデバイス等を有する高出力増幅器を低熱伝導率の樹脂基板に搭載する場合、チップキャパシタの僅かな損失による発熱で、チップキャパシタの半田が柔らかくなる、もしくは溶けるため、高出力増幅器の信頼性が著しく低下してしまう。
【解決手段】 高出力増幅素子の出力信号をＤＣカットするキャパシタと電気的に接続し、キャパシタの発熱を熱伝導する誘電体棒と、グランドと接続するスルーホールを含むとともに、誘電体棒と電気的に接続し、誘電体棒を熱伝導するキャパシタの発熱をグランドへ排熱する金属島とを備える排熱回路であり、金属島の容量成分とスルーホールのインダクタ成分とを並列共振させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器は、回路構成が複雑で製造が困難であるという問題点があり、複数のピーク増幅回路を有するドハティ増幅器を、簡易な回路配置で容易に実現し、高電力効率及び良好な特性が得られる増幅器を提供する。
【解決手段】キャリア増幅回路４と、複数のピーク増幅回路５ａ、５ｂとを備え、これらの増幅回路からの出力をノード７で合成して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅回路４の出力段にインピーダンス変換器６を設けてキャリア増幅回路の特性を最適とし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの出力段に電気長が（λ／２）×ｎ（ｎは１以上の整数）となる伝送線路１１ａ、１１ｂを設けて回路配置を容易にし、ピーク増幅回路５ａ、５ｂの入力段に移相器１２ａ、１２ｂを設けて合成点における各経路の信号の位相を微調整する増幅器としている。 （もっと読む）

広帯域符号分割多重アクセス及び直交周波数分割多重のような多重変調信号の高ピーク対平均電力比に対して効率領域を拡大するためのＮウェイドハティ構造を使用する電力増幅器が開示される。一実施例において、本発明は、少なくとも１つのメイン増幅器と少なくとも１つのピーク増幅器とのアイソレーションを向上させるべく、かつ、高出力バックオフ電力におけるゲイン及び効率性能双方を向上させるべく、Ｎウェイドハティ増幅器に対してデュアルフィード分散構造を使用する。入力及び出力のいずれか又は双方においてハイブリッドカプラを使用することができる。少なくともいくつかの実装において、増幅、電力分割、及び電力結合の統合により、回路スペースを節約することもできる。
（もっと読む）

【課題】小形で、かつ、動作周波数の２分の１となる周波数での利得の抑圧が大きく、不要発振を抑圧して安定に動作することを可能にする。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１に接続された整合回路２とを備えた高周波増幅器であって、整合回路２は利得抑圧回路を有しており、当該利得抑圧回路は、一端がグランド５に接地され、動作周波数において４分の１波長以下の電気長となる伝送線路４と、伝送線路４の他端に直列に接続されて、複数のコンデンサを直列接続して構成したコンデンサ部６と、コンデンサ部６に直列に接続された抵抗３とから構成されている。なお、コンデンサ部６と伝送線路４との代わりに、複数のＭＩＭキャパシタを直列接続して構成したＭＩＭキャパシタ部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＴ技術を利用した電力増幅器において、能動素子として高耐圧トランジスタを用いた場合に、その特性を十分に活用することができる技術を提供する。
【解決手段】３個のほぼ等価なプッシュプル増幅器を具備している。プッシュプル増幅器における１対のトランジスタ３Ａ〜３Ｆのドレインは、金属配線１Ａ〜１Ｈから成る電流経路により相互に接続され、電流経路の中間点が正電源Ｖｄｄに接続されている。金属配線１Ａ〜１Ｈのうちトランジスタのドレインからその正電源Ｖｄｄに至る部分が１本の１次コイルを構成する。１次コイルが、それらと近接して配置された金属配線２から成る２次コイルと磁気的に結合することにより、１次コイルからの出力を合成し２次コイルの出力端子から出力する。１本の１次コイルに相当する金属配線の長さに対する、２次コイル全体に相当する金属配線の長さの比が、およそ３である。 （もっと読む）

【課題】入力電力の変化に対する利得変動を抑えて線形性を改善することができる高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】分配器１２で２分配された高周波信号はＦＥＴ２４−１，２６−１で増幅されてから合成される。ＦＥＴ２４−１のゲート端子２４ｇには一定のバイアス電圧が印加される。ＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇにバイアス電圧を印加するバイアス回路３６は、ＦＥＴ２６−１に入力される高周波信号の一部を分岐するカプラ４２と、カプラ４２で分岐された高周波信号を増幅するモニタ用ＦＥＴ４６と、モニタ用ＦＥＴ４６のドレイン端子４６ｄにおけるバイアス電流が一定値に収束するようにモニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇに印加するバイアス電圧を調整する定電流バイアス回路４４と、モニタ用ＦＥＴ４６のゲート端子４６ｇにおけるバイアス電圧を所定の利得とオフセットで補正してＦＥＴ２６−１のゲート端子２６ｇに印加する電圧変換回路４８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号の角周波数ωo及び高調波を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、ＤＣに対して開放、角周波数ｂωo（０＜ｂ＜１）、偶数調波に対して短絡、角周波数ωo、奇数調波に対して出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路１４はＤＣに対して短絡、奇数調波に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号基本角周波数ωo及び高調波成分を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、直流成分に対して開放、偶数高調波成分に対して短絡、奇数高調波成分に対してＦＥＴの出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路は直流成分に対して短絡、奇数高調波数成分に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波増幅器では半導体素子から発生する熱雑音レベルの種々の周波数成分の不要なマイクロ波を十分吸収させることができず、吸収されないマイクロ波が増幅器内で多重反射し、これによりマイクロ波増幅器が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 第一の抵抗と先端短絡線路との直列回路と、この直列回路に並列に接続された第二の抵抗と先端開放線路との直列回路とからなる安定化回路を、半導体素子の入力端子、出力端子のうち少なくとも一方の端子に信号路に並列に設け、かつ、第一の抵抗と第二の抵抗、先端短絡線路の長さと先端短絡線路の長さとを等しく選び、かつ、先端短絡線路の特性インピーダンスと先端開放線路の特性インピーダンスとの積が第一の抵抗あるいは第二の抵抗の２乗になるようにした。 （もっと読む）

【課題】例えばマイクロ波増幅器において、高出力化を図りながら、実装スペース及び実装コストを低減できるようにする。
【解決手段】 増幅器を、増幅用トランジスタ１と、増幅用トランジスタ１の出力部に接続され、入力インピーダンスの異なる複数のインピーダンス変換用トランジスタ９，１２を直列に接続してなるインピーダンス変換回路３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 従来のマイクロ波装置では損失が大きいため、これをマイクロ波機器に適用した場合、例えば低雑音増幅器では雑音指数が劣化し、高出力増幅器では出力、効率が低下する課題があった。
【解決手段】 一端どおしが付き合うように配置された２個の主線路３、４と、それぞれの主線路３、４の一端から対向する主線路側に向かって設けられた高インピーダンス線路８、７と、それぞれ高インピーダンス線路７、８の先端と対向する主線路間に装着されたキャパシタ５とで構成した。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波、ミリ波帯のＭＭＩＣにおいて、製造時のキャパシタの容量のばらつきに起因する高周波特性の劣化を改善し、歩留まりを向上させる。
【解決手段】ＭＭＩＣ電力増幅器は、ＤＣカットやインピーダンス整合回路に使用しているキャパシタとして、容量の異なる複数のキャパシタを互いに並列接続した構成のものを用いる。複数のキャパシタは、それぞれオンオフ切り替え可能なＭＥＭＳスイッチを有し、ＭＥＭＳスイッチのオンオフ切り替えにより、複数のキャパシタの内の所望のキャパシタを選択可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】 所要周波数帯では増幅器特性に影響を与えることなく、低周波帯から高周波帯まで広帯域に不要波を吸収でき、電圧降下を著しく小さく抑えることができるバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 第２の伝送線路の中心位置に、長さが所望の周波数外で１／４波長を有する第２の先端開放線路を接続するとともに、第２の先端開放線路に直列に所望の周波数外の不要波を吸収するための抵抗で接続する構成とすることにより、高周波帯の不要波を全て吸収することができるようになり、広帯域に亘り安定して動作するバイアス回路を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】利得の低下を抑え、かつ小型で高利得な差動増幅器を得る
【解決手段】逆位相の信号がそれぞれ入力される第１の入力端子１ａおよび第２の入力端子１ｂと、基本トランジスタセルをＮ段（Ｎは２以上の整数）並列接続してなり、逆位相の信号をそれぞれ増幅する第１の増幅器１１および第２の増幅器１２と、第１の出力端子３ａおよび第２の出力端子３ｂとを備えた差動増幅器において、第１の増幅器１１に含まれる基本トランジスタセルと第２の増幅器１２に含まれる基本トランジスタセルとが互いに隣接する箇所を２箇所以上設けるように配列する。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のバイアス回路を提供する。
【解決手段】交流回路に一端が接続された第１リアクタンス手段２と、この他端に接続された第２リアクタンス手段３と、両者の接続部２１０に接続されたスイッチ７と、この他端に接続された第３リアクタンス手段８と、第２リアクタンス手段３に接続された容量性手段４と、第２リアクタンス手段３と容量性手段４との接続部２２０に接続された、直流電圧を供給可能な直流回路５とを少なくとも備えており、接続部２２０が交流的に接地状態とされたバイアス回路１００である。接続部２１０は、第１の周波数とは異なる第２の周波数において、接続部２１０から容量性手段４の方を見たときのインピーダンスが十分に大とされる位置であり、バイアス点８００からバイアス回路の方を見たときのインピーダンスは、いずれの周波数においても十分に大とされる。 （もっと読む）