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Fターム[5J067LS12]の内容

マイクロ波増幅器 (6,140) | 回路要素(伝送路) (242) | 線路変換器を構成する線路 (239) | マイクロストリップ線路 (147)

Fターム[5J067LS12]に分類される特許

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本発明は、平面XYに平行な少なくとも1つのプレートと、そのプレート上に装着される少なくとも2つの増幅器モジュール(41a、41b)とを含む低容積の増幅装置に関する。各増幅器モジュール(41a、41b)は、増幅器素子(11a、11b)と、縦の伝播の方向に合致する同じ方向Xに配置される入力接続導波路(12a、12b)および出力接続導波路(13a、13b)とを含み、その増幅器素子(11a、11b)は、伝播の方向Xに垂直な方向Yに配置される入力および出力軸(18a、18b)を有するこの低容積の増幅装置において、2つの増幅器モジュール(41a、41b)の入力接続導波路(12a、12b)は、別個のものであって、異なる長さ(La1、La2)を有すると共に互いに平行に装着され、前記2つの増幅器モジュール(41a、41b)の出力接続導波路(13a、13b)は、別個のものであって、異なる長さ(La2、Lb2)を有すると共に互いに平行に装着されること、および、同じ増幅器モジュールの入力および出力導波路の長さの合計(La1+La2、Lb1+Lb2)は各増幅器モジュールについて同一である、すなわち、La1+La2=Lb1+Lb2であること、が特徴である。
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【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第1増幅器4aからの高周波をインピーダンス整合する第1変成回路10aと、第1変成回路より細長の第2変成回路11aと、第2変成回路より細長の第3変成回路12aと、電力分配回路から分岐された第2増幅器4bからの高周波をインピーダンス整合する第4変成回路10bと、第4変成器より細長の第5変成回路11bと、第5変成器より細長の第6変成回路12bと、第3変成回路及び第6変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第3変成回路及び第6変成回路を屈曲させると共に第1及び第2増幅器出力端から電力合成器6出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路109上には、入力整合回路102の中央部へ入力端子110から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット116及びスリット117が形成され、スリット117の長さより上記中央部の隣接位置のスリット116の長さが長く設定される。 (もっと読む)


電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】高周波増幅器において、サイズが大きくならないようにしながら、確実にループ発振を抑制できるようにする。
【解決手段】高周波増幅器を、分配回路12と、複数のトランジスタ15と、合成回路16と、分配回路12に接続され、各トランジスタ15に入力される信号を同相にする入力側位相調整線路6と、合成回路12に接続され、ループ回路に生じた不平衡モードを平衡モードにする出力側位相調整線路7とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】大電流を流すことができ、かつ十分広い通過帯域を確保できるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】キャリア信号を入力する入力ノード(RFIN)と、キャリア信号を出力する出力ノード(RFOUT)と、前記入力ノード及び第1のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第1のインピーダンス変換素子(201)と、前記第1のノード及び前記出力ノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第2のインピーダンス変換素子(202)と、前記第1のノード及び第2のノード間に接続され、キャリア信号の周波数に対して1/4波長のインピーダンス変換を行う第3のインピーダンス変換素子(203)と、前記第2のノードに接続される直流電源電圧ノード(204)と、前記第2のノードを交流接地状態にする接地回路(205)とを有する。 (もっと読む)


【課題】 広い帯域に亘る周波数範囲で良好な振幅補償や反射特性を得ることが可能であると共に、部品の性能ばらつきによる特性変化を軽減したイコライザを提供する。
【解決手段】 一端を入力端とし、他端を入力側開放端(A)とした入力側線路と、入力側開放端(A)から1/4波長分入力側に離間した位置(B)と対向する位置を出力側開始端(C)とし前記入力側開放端(A)と対向する位置(D)まで入力側線路と平行配置して終端を出力端とした出力側線路と、B点とC点とを抵抗器を介して減衰させる回路と、A点とD点とを抵抗器を介して減衰させる回路とを備え、A点、B点、C点、D点をそれぞれスタブを用いて高周波開放点とし、減衰回路に挟まれた入出力線路の平行領域でカップリングさせて高周波帯域内の振幅又は電力を減衰制御するようにした。 (もっと読む)


【課題】 主線路に近接して設けたバイアス回路の面積のコンパクト化を図ると共に電源回路に対する不要放射や回り込みを抑圧することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】 増幅器2で増幅された高周波を伝送する主線路12と、主線路12に沿って設けられた高調波抑圧スタブ14と、主線路12を介して前記増幅器2にバイアス電力を印加するバイアス線路16と、バイアス線路16から分岐した高調波短絡オープンスタブ22と、主線路12からバイアス線路16に沿って高周波周波数の1/4波長離間した点でバイアス線路16から分岐した第1の基本波短絡オープンスタブ20と、第1の基本波短絡オープンスタブ20の短絡点からバイアス線路16に沿って高周波周波数の1/4波長離間した点でバイアス線路16から分岐したシャント抵抗を設けた第2の基本波短絡オープンスタブ21と、バイアス線路16にバイアス電力を供給する電源5とを設けた。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数特性を得ることができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】信号が入力される信号線路入力端子12から能動素子10の入力端子に至る入力線路11と、能動素子の出力端子から信号を出力する信号線路出力端子22に至る出力線路21とを備えた回路に設けられ、能動素子に直流電力を供給する基板上に形成されたバイアス回路において、直流電力が供給される給電線路27aと、出力線路と給電線路とを接続する曲げ加工された架橋形の金属構造体20と、給電線路と金属構造体との接続点と接地との間に設けられた容量素子26を備えている。 (もっと読む)


【課題】基本波の2倍波周波数の電力漏洩を抑制し、かつ、部品の自己共振による基本波の損失を低減する整合回路、高周波電力増幅器および携帯電話機を実現する。
【解決手段】本発明の出力整合回路3は、高周波信号を伝送する伝送ラインと、複数の共振回路35aおよび35bとを有し、前記複数の共振回路35aおよび35bのそれぞれは、コンデンサを有し、一端は前記伝送ラインの実質的に同一の接続点Xに接続され、他端は接地されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、比較的狭い特定の周波数帯域のみで高周波信号を減衰させることができ、利得等化の精度を向上させることができる可変減衰回路、及び高周波増幅器を提供する。
【解決手段】第1可変共振部60の第1電波吸収体3は、第3誘電体基板13の導体パターン16との間でキャパシタをなしている。金属筐体50の上面部の下面から第3誘電体基板13への第1可変共振部60の突出箇所は、インダクタをなしている。第1円筒状金属導体1の上端部が回転されることによって、第1可変共振部60の全体が第1ねじ孔50aに沿って摺動される。これにより、第1可変共振部60は、第3誘電体基板13の導体パターン16に対して接近・開離するように変位可能となっている。第1可変共振部60の突出量の変化に伴って、減衰帯域の基準となる共振周波数が変化する。 (もっと読む)


【課題】誘電体チップ等の付加や、スタブ長の長いオープンスタブを用いることなく、インピーダンス変換の特性調整を可逆的に且つ微調整可能なようにしたインピーダンス変換回路及びそれを備えた高周波回路を構成する。
【解決手段】スタブST2の長さを固定したままスタブST1の長さを短くすると、インピーダンスZbはアドミッタンスチャート上を矢印A1で代表する方向に移動する。また、スタブST1の長さを固定したままスタブST2の長さを短くすると、インピーダンスZbはアドミッタンスチャート上の等コンダクタンス円上を矢印A2で代表して示すように移動する。したがって図中スミスチャートの中心とショート点とを直径とする円内では、インピーダンス軌跡は、スタブST1,ST2のトリミングによってインピーダンスは互いに可逆的に調整できることになる。 (もっと読む)


【課題】 不要放射を抑圧する回路とモジュール出力側のデバイスのアイソレーションを確保できる構造を有する高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】 筐体の内部に載置され、入力部と第1のフィルタ回路を介した出力部を有する増幅回路パッケージと、筐体の内部に載置され、マイクロストリップ線路が形成された誘電体基板と、この誘電体基板を載置するキャリアと、増幅回路パッケージからの不要波を抑圧するマイクロストリップ線路の導体パターンによる第2のフィルタ回路と、この第2のフィルタ回路上に設置され、第2のフィルタ回路からの放射波を遮断し、マイクロストリップ線路の導体パターンに対向する部分に窪み部が形成されたカットオフブロックとを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 従来のマイクロ波装置は、半導体素子の接地端子に接続された第1の先端開放スタブと接地導体パターンとが並列共振する周波数でのみ、半導体素子から発生した不要なマイクロ波を吸収させることができる。しかし、これ以外の周波数帯の不要なマイクロ波を吸収させることができないため、マイクロ波装置が発振したり、不安定動作してしまう課題があった。
【解決手段】 直流および所望の周波数で無損失、それ以外の周波数で損失回路となるような所望の周波数で1/2波長を有する伝送線路と、抵抗との並列回路からなる接地回路を介して、半導体素子の接地端子を接地した。 (もっと読む)


【課題】高周波伝送回路の回路規模を増大させずに、2倍高調波信号を反射も放射も起こさずに抑圧することができる2倍高調波抑圧回路を得ること。
【解決手段】主線路5の任意箇所において、入力端1側に示す分岐端aと出力端6側に示す分岐端bとの間の区間長は、基本波の1/8波長の長さに定めてある。分岐端aと接地(地導体)との間に、抵抗体線路2と基本波の1/4波長の線路3とコンデンサ4との直列回路を設けてある。また、分岐端bと接地(地導体)との間に、基本波の1/4波長の線路7とコンデンサ8との直列回路を設けてある。2倍高調波に対して分岐端a以降の主線路5が開放状態になり、分岐端aと接地との間が抵抗体線路2とコンデンサ4との直列回路で接続される形となり、2倍高調波の信号は抵抗体線路2にて消費される。 (もっと読む)


【課題】従来技術による高出力化の問題を解決するために、主増幅器と補助増幅器に設けられた高調波処理回路を構成するデバイスの発熱問題を回避し、高効率特性を得ると共に、高出力化を実現可能な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器1は、準マイクロ波帯からマイクロ波帯の信号を分配する90度ハイブリッド回路10と、分配された信号をキャリア増幅器として作動するFET13と、ピーク増幅器として作動するFET14にそれぞれ供給し、ドハティ線路23で合成した後、インピーダンス変換線路24で変換した後に出力する。キャリア増幅器は、入力整合回路11と、FET13と、位相調整線路15と、λ/4オープンスタブ16と、出力整合回路21と、を有している。また、ピーク増幅器は、入力整合回路12と、FET14と、インダクタΔLと、出力整合回路22と、を有している。 (もっと読む)


【課題】歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセル11を電気的に並列接続することで、マルチフィンガー型のトランジスタが形成されている。複数のトランジスタセル11のゲート電極は入力側整合回路13に接続されている。各トランジスタセル11のゲート電極と入力側整合回路13の間に共振回路17がそれぞれ接続されている。共振回路17は、トランジスタの動作周波数の2次高調波の周波数又は2次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振して、2次高調波に対して高インピーダンス負荷又は開放負荷となる。 (もっと読む)


【課題】 飽和領域で動作する増幅部の低温時の出力増加や出力インピーダンスの変化による消費電力や高調波レベルの変動などを抑制する多段の半導体増幅装置を提供する。
【解決手段】 高周波電力を出力する終段増幅部1に設けられ、マイクロ波帯域の電力を飽和出力電力で増幅する第1増幅素子1aと、第1増幅素子1aに前置した前置増幅部2に設けられ、高周波電力を増幅する第2増幅素子2aと、第2増幅素子2aに接続され、感温素子の抵抗値変化で第2増幅素子2aの出力電力を変化させる温度補償回路5と、第1増幅素子1aの入力側と第2増幅素子2aの出力側との間に介在し、共振インピーダンスの変化でマイクロ波帯域の中心周波数領域で最大減衰する通過振幅特性を有する振幅イコライザ4とを備え、周囲温度が低下するにつれて第2増幅素子2aの出力電力を低下させることにより第1増幅素子1aの出力を飽和出力電力領域で維持するようにした。 (もっと読む)


【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子5と、マイクロ波の1/4波長の長さで形成した第1インピーダンス変成器1と、マイクロ波の1/4波長の長さで形成した第2インピーダンス変成器2と、第1及び第2インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路3と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路4とを備え、高調波インピーダンス調整線路3は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路4は基本波に対しては半導体増幅素子5のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 (もっと読む)


【課題】J級動作をする増幅器において、電圧波形と電流波形の重なりを小さくする。
【解決手段】電界効果トランジスタ部と、そのドレインとソースとの間に接続された容量性インピーダンス部とを有してEJ級動作を行う増幅器であって、容量性インピーダンス部よりも後段に位置するように、ドレインに接続されたインダクタと、このインダクタを介して容量性インピーダンス部に並列接続されたキャパシタとを備えたものにおいて、インダクタは、マイクロストリップ基板208上に形成されたマイクロストリップライン209によって所定のインダクタンスを確保するものであり、その基本波周波数でのインピーダンスが、容量性インピーダンス部のインピーダンス以上の値に設定されているように構成する。 (もっと読む)


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