【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、広範囲の制御電圧に対して発振周波数を直線的に変化させることが可能な電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電圧制御発振器は、増幅器１１と、増幅器１１に並列に接続され帰還ループを構成する水晶振動子１３と、水晶振動子１３に対して負荷する容量値が制御電圧ＶＣに応じて変化する可変容量部１５，１７と、制御電圧ＶＣを生成する制御電圧生成回路１４と、を備える。また、可変容量部１５は、固定容量１５２と、固定容量１５２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるディプレッション型のトランジスタ１５１と、を有する。可変容量部１７は、固定容量１７２と、固定容量１７２と直列に接続され制御電圧ＶＣに応じて導通状態が制御されるエンハンスメント型のトランジスタ１７１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器、圧電発振器の温度補償方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２を発振させ発振信号を出力する発振回路１４と、前記発振回路１４を構成し、前記発振信号の周波数を調整する負荷容量２０と、前記発振回路１４に組み込まれたＭＯＳＦＥＴ２２と、を有し、前記ＭＯＳＦＥＴ２２は、前記ＭＯＳＦＥＴ２２のドレイン端子２４と前記ＭＯＳＦＥＴ２２のソース端子２６とを結ぶ前記ＭＯＳＦＥＴ２２中の経路を前記負荷容量２０に直列に接続することにより前記発振回路１４に組み込まれ、前記ＭＯＳＦＥＴ２２のゲート端子２８には、前記経路を半導通状態にするゲート電圧Ｖｂが印加され、前記半導通状態時の前記経路のオン抵抗の温度特性により発生する前記発振回路１４から見た前記負荷容量２０の増加分の温度特性により前記発振信号の温度補償を可能とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度補償電圧発生回路、及び温度補償型発振回路を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２と、前記圧電振動子１２の発振周波数の温度補償を行う第１可変容量素子１６と、前記発振周波数を所定の値に調整する第２可変容量素子１８と、を有する発振回路１２と、前記第２可変容量素子１８に接続され、前記第２可変容量素子１８の容量を制御するＡＦＣ回路５４と、に接続される温度補償電圧発生回路２９であって、前記温度補償電圧発生回路２９は、前記第１可変容量素子１６の一端に接続され、前記第１可変容量素子１６の容量を制御する温度補償電圧を出力する第１温度補償電圧発生回路３０と、入力側が、前記第１温度補償電圧発生回路３０及び前記ＡＦＣ回路５４に接続され、出力側が前記第１可変容量素子１６の一端の反対側の他端に接続され、入力された前記温度補償電圧と前記ＡＦＣ回路５４の出力とによって生成された補助温度補償電圧を前記第１可変容量素子３０に出力する第２温度補償電圧発生回路４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の周波数の温度安定度をより向上させた温度補償型圧電発振器及び電子機器を提供すること。
【解決手段】温度補償型圧電発振器１は、圧電振動子１００の入出力の一方側に接続され、印加電圧に応じて容量が変化する可変容量素子１１０と、圧電振動子１００の入出力の他方側に選択接続可能に設けられ、圧電振動子１００の負荷容量となる複数の容量素子１３０と、を含む圧電発振部１０を有する。さらに、温度補償型圧電発振器１は、複数の容量素子１３０から温度情報に対応した容量素子を圧電振動子１００の入出力の少なくとも一方側に選択接続し、圧電振動子１００の温度特性を補償する選択接続処理を行う選択接続処理部２０と、温度情報に対応して圧電振動子１００の温度特性を補償する補償電圧を可変容量素子１１０に印加する補償電圧発生部３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】温度補償機能とＡＦＣ機能を備えた回路構成において、温度補償機能とＡＦＣ機能が互いに影響を及ぼすことがなく、高精度の温度補償を実現できる圧電発振器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明の圧電発振器１０は、圧電振動子２６と、発振用増幅回路と、電圧制御型の第１及び第２の可変容量素子２８ａ，２８ｂと、を備えた発振回路２０と、第１の可変容量素子２８ａの値を増減制御して発振回路２０の周波数温度特性を補償するための温度補償電圧を出力する温度補償電圧発生回路３０と、温度補償電圧による第１の可変容量素子２８ａの変化に対して、発振回路２０のＡＦＣ感度の増減を抑えるように第２の可変容量素子２８ｂの値を変化させる調整信号を出力する補償電圧検出回路４０と、調整信号を受けて外部制御電圧の増幅率の調整を行なうゲイン調整回路６０を備え、第２の可変容量素子２８ｂを制御するための周波数制御電圧を出力する増幅回路５０と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】安定した発振と広い周波数可変範囲を得ることが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】振動子Ｘに並列に接続された増幅回路Ａと、増幅回路Ａの入力側及び出力側に接続され且つ印加する制御電圧Ｖ_contにより容量値が変化する可変容量素子Ｃ_Lと、振動子Ｘと増幅回路Ａの出力側との間に接続され且つ印加する制御電圧Ｖ_contにより抵抗値が変化する可変抵抗素子Ｒ_Vと、可変容量素子Ｃ_L及び可変抵抗素子Ｒ_Vへ制御電圧Ｖ_contを同時に印加する制御電圧印加手段２を備え、可変容量素子Ｃ_L及び可変抵抗素子Ｒ_Vへ制御電圧Ｖ_contを同時に印加して、制御電圧Ｖ_contを印加することにより生じる可変容量素子Ｃ_Lの容量値の変化による負性抵抗の変化分と可変抵抗素子Ｒ_Vの抵抗値の変化による負性抵抗の変化分を相殺し、制御電圧Ｖ_contの変化により発生する負性抵抗の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧によるＭＥＭＳレゾネータの共振周波数の変動態様を制御することのできる共振回路を実現する。
【解決手段】本発明の共振回路３０は、基板と、該基板上に形成された固定電極、及び、該固定電極の少なくとも一部に対向する可動部を備えた可動電極を有するＭＥＭＳレゾネータ１０と、前記ＭＥＭＳレゾネータの第１の端子１０ａに接続された第１の入出力部３０ａと、前記ＭＥＭＳレゾネータの第２の端子１０ｂに接続された第２の入出力部３０ｂと、少なくとも前記第１の端子１０ａに電位Ｖｐを供給して前記ＭＥＭＳレゾネータの前記第１の端子と前記第２の端子の間にバイアス電圧Ｖｃを印加する電圧印加手段２０と、前記第１の端子１０ａと第１の入出力部３０ａの間に接続され、両端の電位差の変化で容量値が変化する可変設けられた結合容量Ｃｃ１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】接続不良を見つけた場合は、容量検査を行わないようにして検査時間を短縮させることができる検査回路を備えたコンデンサ回路、そのコンデンサ回路を使用した可変容量回路、その可変容量回路を使用した発振回路及びコンデンサ回路の検査方法を得る。
【解決手段】検査信号ＴＥＳＴがハイレベルになると、ＮＭＯＳトランジスタＭ２がオフすると共にＰＭＯＳトランジスタＭ１及びＭ３がそれぞれオンし、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのドレインはＰＭＯＳトランジスタＭ１と電流計３を介して電源電圧Ｖｄｄに接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＣのゲート電圧が電源電圧Ｖｄｄまで上昇してＮＭＯＳトランジスタＭＣはオン状態になり、電源電圧Ｖｄｄ→電流計３→接続端子Ｔ１→ＰＭＯＳトランジスタＭ１→ＮＭＯＳトランジスタＭＣ→接地電圧ＧＮＤの経路で電流ｉ１が流れるようにした。 （もっと読む）

【課題】微細化しても精度の高い発振作が行える半導体集積回路及び発振回路を得る。
【解決手段】半導体集積回路２１に水晶振動子３１接続用の端子ＸＣＩＮ，端子ＸＣＯＵＴが設けられる。サージ保護回路１１はノードＮ１を介して端子ＸＣＩＮに接続され、サージ保護回路１２はノードＮ２を介して端子ＸＣＯＵＴに接続される。インバータより構成される反転回路４は入力部が端子ＸＣＩＮ側のノードＮ３に接続され、出力部が端子ＸＣＯＵＴ側のノードＮ２に接続される。そして、端子ＸＣＩＮに直結されるノードＮ１と反転回路４の入力部であるノードＮ３との間に入力カップリングコンデンサ１が介挿される。 （もっと読む）

【課題】周波数の揺らぎを低減した圧電発振器を提供する。
【解決手段】温度センサ３と、温度センサ３の検出出力に基づいて、常温温度を中心とし
て低温側の温度特性を補償する低温補償電圧と、高温側の温度特性を補償する高温補償電
圧を発生する温度補償電圧発生部４と、温度センサ３の検出出力が所定電圧以下になった
ときに温度センサ３の検出出力の位相を切り替えて出力する温度センサ位相切替部９と、
温度センサ位相切替部９から出力される出力電圧を入力として、温度センサ３の検出出力
に含まれる高域成分のみを通過させて基準電圧に重畳して出力するＨＰＦ１０と、発振回
路２１、圧電振動子２２、及び周波数温度補償回路２３を直列に接続して構成され発振回
路部７と、を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】周波数の揺らぎを低減した圧電発振器を提供する。
【解決手段】温度を検出する温度センサ２と、温度センサ２の検出出力に基づいて周波数
制御を行う周波数制御回路３と、発振回路４と、周波数制御回路３から出力される制御電
圧Ｖｃを入力として、周波数制御回路３の制御電圧Ｖｃに含まれる高域成分の出力電圧の
みを通過させるＨＰＦ５と、を備え、発振回路４の第１及び第２可変容量素子Ｄ１、Ｄ２
の互いに異なる一方の端子に第１基準電圧Ｖｒｅｆ１を供給し、第１又は第２可変容量素
子Ｄ１、Ｄ２の他方の端子に周波数制御回路３の制御電圧Ｖｃを供給し、第２又は第１可
変容量素子Ｄ１、Ｄ２の他方の端子にＨＰＦ５の出力電圧と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２とを
重畳したキャンセル電圧を供給するようにした。 （もっと読む）

【課題】瞬間的な温度変化や風などによる微細な温度変動（揺らぎ）による周波数揺らぎ
を除去する手段を得る。
【解決手段】圧電発振器は、温度を検出する温度センサーと、該温度センサーの検出出力
に基づいて周波数制御を行う周波数制御回路と、少なくとも、圧電振動子と電圧制御型の
可変容量素子とを含み、周波数制御回路の出力信号により発振周波数を調整可能な発振回
路と、温度センサーの検出出力を入力信号として、温度センサーの検出出力に含まれる高
域成分電圧信号のみを通過させるハイパスフィルタ回路と、ハイパスフィルタ回路の出力
信号により周波数制御回路の出力信号に含まれる高周波ノイズをキャンセルするキャンセ
ル手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】
温度補償を行う温度ポイント数を増やすことなく、且つ所定の使用温度範囲で従来よりも補償後の周波数偏差変化量が小さい温度補償型水晶発振器を提供すること。
【解決手段】
水晶振動子と集積回路素子を内部に備え、温度感知手段２１０が生成する温度データ信号により温度補償する温度補償型水晶発振器であって、通電することにより発熱し、前記水晶振動子と同一空間内に設けられる加熱手段１０４と、前記集積回路素子内には、前記温度感知手段２１０と、前記加熱手段１０４と、電源電圧端子３０３とに電気的に接続し構成されているスイッチ手段２４０とを備えている温度補償型水晶発振器。 （もっと読む）

【課題】広範囲の周波数に対応し、圧電振動子の諸定数のバラツキに対応した電圧制御型
圧電発振器を得る。
【解決手段】圧電振動子Ｘと、増幅回路６と、可変容量回路８と、メモリ回路１５と、を
備えた電圧制御型圧電発振器であって、可変容量回路８は、ＭＯＳ容量素子Ｍと、トラン
ジスタＱ及び容量Ｃ５を直列に接続した直列接続回路と、を並列接続した並列接続回路で
、この並列接続回路の両端子にそれぞれ第１及び第２の制御電圧Ｖｃ１、Ｖｃ２が印加さ
れている。またメモリ回路１５は、その出力がトランジスタＱのゲートに接続されている
。 （もっと読む）

【課題】出荷した温度補償型圧電発振器の分析、再調整を行えるようにした温度補償型圧電発振器を得る。
【解決手段】圧電振動子５と、発振回路、発振回路の温度補償を行う温度補償回路、及び温度補償回路の温度補償データを記憶するメモリ回路等が構成された半導体素子２０と、絶縁材料から成り、上面側に圧電振動子５と半導体素子２０とを搭載するための搭載用パッドを有すると共に、下面側に実装端子１６、１７、１８及びメモリ回路に前記温度補償データを書き込むための調整端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を有する回路基板１０と、を備えている。回路基板１０には、下面側以外の領域に調整端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３を介して温度補償データの書き込みを制御する制御端子Ｔｓを設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】使用する発振子によって、温度変化による発振子の温度変調特性と周波数を一定に保つ変調回路の電圧可変容量素子の電圧可変特性とに相互的な整合がとれない場合があった。
【解決手段】発振状態にある発振子１５の初期周波数合わせ時に、温度変化による発振子１５の周波数変調の周波数補正範囲に対し、その変調制御を行う電圧可変容量素子２５，２６を、使用用途ごとに確実に制御が可能な電圧可変範囲を選定して、常にその電圧可変範囲で動作するための初期電圧を発生する。 （もっと読む）

【課題】温度補償のための回路網が発生する出力雑音が、温度補償型水晶発振器の位相雑音を特性に影響するという課題があった。
【解決手段】周囲の温度変化に対して、電位が１次関数的に変化して、負極性の温度勾配係数を有する温度信号Ｓ１２と、同じように電位が１次関数的に変化して、正極性の温度勾配件数を有する温度信号Ｓ１０とを合成して、２つの初期温度信号より温度勾配係数が増幅された温度信号を基に温度補正信号発生回路２７０を制御して、温度補正に係る入力段の温度センサー回路から温度信号発生回路に至るまでの信号増幅率を下げる。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路では、電圧可変容量と電源電圧間に大きな容量の固定容量が必要になり小型化の妨げになっていた。また大きな寄生容量が電圧化変容量に並列に挿入される構成のため、大きな周波数可変幅を得ることが難しかった。
【解決手段】帰還抵抗と反転増幅回路と水晶振動子を並列に接続し、反転増幅回路の入出力両側の接続点を直流カット容量と負荷容量を介して接地し、さらに前記直流カット容量と負荷容量の入出力両側の接続点を電圧可変容量を介して接続し、この電圧可変容量の両端に制御信号を印加して周波数調整を行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】三次曲線を呈する圧電振動子を広温度範囲で補償し、且つＩＣ化に適した補償回路である温度補償圧電発振器を得る。
【解決手段】発振回路と、圧電振動子と、第１、第２、第３ＭＯＳ容量素子を有する第１の周波数温度補償回路と、を備えた温度補償圧電発振器であって、第１の周波数温度補償回路は、第１ＭＯＳ容量素子と第３ＭＯＳ容量素子とを直列接続した回路に、第２ＭＯＳ容量素子を並列接続した回路であり、第１ＭＯＳ容量素子の一方の端子と第２ＭＯＳ容量素子の一方の端子との接続点に、電圧値が一定である基準電圧を供給し、第１ＭＯＳ容量素子の他方の端子と第３ＭＯＳ容量素子の一方の端子との接続点に、第１制御電圧を供給し、第３ＭＯＳ容量素子の他方の端子と第２ＭＯＳ容量素子の他方の端子との接続点に、第２制御電圧を供給する温度補償圧電発振器を構成する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数の可変幅を容易に設定する電圧制御発振器およびこれの製造方法と、この電圧制御発振器を実現する半導体素子を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器１０は、パッケージに半導体素子３０と圧電振動子１２を収容している。半導体素子３０は、可変幅を調整する調整素子１４を有しており、調整素子１４の一端が発振回路２０に接続し、他端が半導体素子３０の表面に設けた調整用パッド２６と接続している。またパッケージは、その内部に調整用電極を備えているとともに、外部に接地用の外部端子を備えている。この調整用電極と接地用の外部端子は導通している。そして調整用パッド２６と調整用電極とを導通した場合と導通させなかった場合とのいずれかを選択することで、電圧制御発振器１０の可変幅を設定している。 （もっと読む）