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Fターム[5J079FB45]の内容

電気機械共振器を用いた発振回路 (23,106) | 回路要素 (2,263) | 1/2波長線路 (3)

Fターム[5J079FB45]に分類される特許

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【課題】 電子機器の温度が低温時に、水晶発振器を加熱するためのヒータに電源投入から所定時間通電して、発振周波数が安定するまでの時間を短縮し、かつ、希望発振周波数からのズレを小さくすること。
【解決手段】 電子機器100の筐体に、この筐体の温度を検出する温度検出手段と、水晶発振器610と、この水晶発振器610を加熱するヒータ620と、このヒータ620への通電を制御するヒータ制御手段640とを備え、このヒータ制御手段640は、電源投入時に計時を開始し予め定めた所定時間を計時する計時手段を含み、電源投入時、筐体の温度が所定温度以下のときにヒータ620への通電を開始し、上述の所定時間経過後、ヒータ620への通電を停止する構成にした。
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【課題】高価なFETを用いることなく、例えば10GHz以上の高周波数波帯で用いる場合にも使用可能で、広帯域化を図った高周波発振回路を構成する。
【解決手段】デプレッション型のNチャネルFETからなる発振回路用FET Q1のゲートを直列帰還素子である線路SL1を介して接地し、デプレッション型のNチャネルFETからなるバッファアンプ用FET Q2のソースをキャパシタC2を介して高周波的に接地し、バッファアンプ用FET Q2のゲートと発振回路用FET Q1のドレインとを直流的に導通する第1のインピーダンス回路Z1を介して接続し、バッファアンプ用FET Q2のソースと発振回路用FET Q1のドレインとの間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第2のインピーダンス回路Z2を接続し、発振回路用FET Q1のソースと接地との間に直流的に導通する直流抵抗成分を含む第3のインピーダンス回路Z3を設ける。 (もっと読む)


【課題】 従来の、位相雑音を抑えるためにトランスを使用した水晶発振器では、形状が大きくなってコストが増大し、数百MHz以上の高い周波数で特性が不安定になるという問題点があり、本発明は、位相雑音が低く、小型且つ安価で、数百MHz以上でも特性が安定している水晶発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】 トランスの代わりに、発振閉ループに、λ/4変成器と抵抗を直列に接続した回路を挿入し、抵抗の両端から発振出力を得る構成の水晶発振器であり、また、λ/4変成器を電気長がλ/4より長いマイクロストリップラインで形成してスリットを設け、当該スリット間をコンデンサで接続した構成として、λ/4変成器のインピーダンス及び出力周波数の調整を容易にした水晶発振器である。 (もっと読む)


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