【課題】 信号振幅が大きい高調波信号を提供することができる発振器を提供する。
【解決手段】 一導電型又は逆導電型の第１のＭＯＳトランジスタ２０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子に接続された負荷素子３０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のソース端子に接続され、高調波信号を出力する基本発振器４０とを備え、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子から、基本発振器４０から出力される高調波信号の増幅信号を出力することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】 構成が簡単で、高安定で、歪の小さな正弦波を出力するコレクタ同調発振器を提供する。
【解決手段】 トランス１次巻線のインダクタンスをコレクタ同調回路の同調インダクタンスとし、該トランスに出力取り出し用の二次巻線のほかに第３と第４の巻線を設け、第３巻線の電圧はトランジスタのベースに、第４の巻線の電圧はトランジスタのエミッタにそれぞれ正帰還し、ベース・エミッタ間をプッシュプル動作させる。
２つのトランジスタを用いるプッシュプル構成のコレクタ同調発振器では、トランスによる自己帰還はトランジスタのエミッタに、一方、トランジスタのベースには他方のトランジスタのコレクタからそれぞれ帰還し、ベース・エミッタ間をプッシュプル動作させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯以上の周波数の信号を生成する発振器において、小さい回路規模と消費電力によって高い周波数信号を生成することが可能な逓倍発振回路及びこれを用いた局部発振回路を提供する。
【解決手段】２つの負性抵抗部１０〜１１に共振部２０を接続して基本波において互いに逆相となる信号Ａと信号Ｂを生成する発振回路を構成し、前記信号Ａと前記信号Ｂを合成部３０において同相合成して発振信号出力を得る逓倍発振回路において、共振部２０に基本波の２次高調波を抑圧する機能を備えた周波数調整部４０を付加することで、基本波の４倍以上の周波数信号を得る。 （もっと読む）

【課題】複数の異なる発振周波数を選択して出力する発振器において、Ｃ／Ｎ比を高くしかつ回路を小型化する。
【解決手段】それぞれ異なる発振周波数の発振信号をコレクタに出力する複数の第１トランジスタと、それぞれのエミッタの出力が結合し入力される共通ノードと、共通ノードの出力をそれぞれのベースに帰還する帰還回路と、複数の第１トランジスタのそれぞれのエミッタと共通ノードとの間に設けられ、共通ノードからの高周波成分を遮断する複数のアイソレーション回路とを有する。第１トランジスタのエミッタの出力をベースにフィードバックする帰還回路により、Ｃ／Ｎ比を高くすることができる。又、複数の第１トランジスタのエミッタがそれぞれのアイソレーション回路を介し共通ノードに結合されていることにより小型化が可能となる。さらに、アイソレーション回路により、エミッタへの信号の逆流を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で二つの発振周波数帯に切り替えることのできる２バンド発振器を提供すること。
【解決手段】第一の発振トランジスタを有して第一の周波数帯で発振する第一の発振回路１と、第二の発振トランジスタを有して前記第一の周波数帯と異なる第二の周波数帯で発振する第二の発振回路２と、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから前記第一の発振トランジスタにバイアス電圧を印加する第一のスイッチトランジスタ６と、エミッタが前記電源端子に接続され、コレクタから前記第二の発振トランジスタにバイアス電圧を印加する第二のスイッチトランジスタ９とを設け、前記第一のスイッチトランジスタ９のベースに切替端子８が接続され、前記第二のスイッチトランジスタ９のベースが前記第一のスイッチトランジスタ６のコレクタと接続されており、前記第一のスイッチトランジスタ６と前記第二のスイッチトランジスタ９とをオンとオフとが互いに逆となるように切り替えられる。 （もっと読む）

【課題】個別の相補的コルピッツ発振器によるシングルエンド発振の制限を克服することが可能な差動相補的コルピッツ発振器を提供する。
【解決手段】差動相補的コルピッツ発振器３００は、複数の相補的コルピッツ発振器３１０と、複数の相補的コルピッツ発振器３１０のソースノードに結合され、複数の相補的コルピッツ発振器３１０が差動発振を行うことを可能にするソース結合手段３２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】同調帯域上で比較的低く均一な位相ノイズを維持しながら、マルチオクターブ帯域周波数選択性を有する電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器１００は、バイポーラトランジスタからなる能動素子１０４、チップ形態での実装が可能なマルチモード結合共振器１２０、遅波結合共振器１２４、進行波結合共振器１２８、ノイズフィルタリング回路網１０８、ノイズ除去回路網１１２、ノイズフィードバック・ＤＣバイアス回路１１６及び位相補償回路網１３２等により構成されている。これらの構成により、広帯域線形同調レンジを実現しつつ位相ノイズを最小化し、動作周波数帯域全体にわたって均一な出力パワーと改善された高次高調波の遮断が実現できる。 （もっと読む）

【課題】通信用半導体集積回路装置および無線通信システムにおけるノイズ耐性を向上させる。
【解決手段】例えば、変調／復調等を行う半導体チップ上に、交差結合型のトランジスタ対を含む差動型発振回路部ＤＦ＿ＶＣＯと、トランジスタ対の共通ノード側に接続される内部パッドＰ１，Ｐ４と、トランジスタ対の差動出力ノード側に接続される内部パッドＰ２，Ｐ３とを設ける。Ｐ１〜Ｐ４は、それぞれボンディングワイヤＢＷを介して外部リード端子ＬＤ１〜ＬＤ４に接続する。ＬＤ２，ＬＤ３には、それぞれチップ外付け部品となる外部負荷素子ＬＯＡＤ１，ＬＯＡＤ２を接続し、ＬＤ１，ＬＤ４には、固定電圧を印加する。このような構成において、外部リード端子では、ＬＤ２とＬＤ３を隣接して配置し、ＬＤ２とＬＤ３を挟むようにＬＤ１とＬＤ４を配置する。 （もっと読む）