【課題】発振周波数遠方の雑音を低減することが可能なディジタル制御発振装置、ならびに高周波信号処理装置を提供する。
【解決手段】例えば、複数の単位容量ユニットＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］を用いて分数容量を実現する。ＣＩＵ［１］では、容量素子ＣＦＸｐ［１］，ＣＦＸｍ［１］の一端がそれぞれ発振出力ノードＯｓｃＰ，ＯｓｃＭに接続される。一方、ＣＩＵ［２］〜ＣＩＵ［ｋ］では、容量素子ＣＦＸｐ（［２］〜［ｋ］），ＣＦＸｍ（［２］〜［ｋ］）の一端が固定電圧Ｖ６に接続される。ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］の一方の容量素子の他端は共通接続され（ＳＷＦＤ）、他方の容量素子の他端も共通接続される（ＳＷＦＳ）。そして、ＣＩＵ［１］〜ＣＩＵ［ｋ］内の各スイッチ（ＳＷＦ１〜ＳＷＦ３）のオン・オフは共通に制御される。 （もっと読む）

【課題】位相雑音および出力が改善された電圧制御発振器および関連システムを提供する。
【解決手段】電圧制御発振器は、第１の可変静電容量素子（１２０）と、第２の可変静電容量素子（１２２）と、可変静電容量素子（１２０、１２２）間に結合され、出力ノード（１０４）において、発振信号の振動周波数において可変静電容量素子（１２０、１２２）の間にインダクタンスを提供する誘導素子（１３２）とを含む。第１の可変静電容量素子（１２０）は第１の制御電圧ノード（１１０）および出力ノード（１０４）の間に結合され、第２の可変静電容量素子（１２２）は第１の制御電圧ノード（１１０）に結合され、第２の誘導素子（１３４）は第２の可変静電容量素子（１２２）および第２の制御電圧ノード（１１２）の間に結合される。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、ＶＣＯの発振周波数を広い範囲で変化させることができるＰＬＬ回路及びその制御方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＰＬＬ回路１は、ＶＣＯ１１と、制御ロジック１４と、位相比較器１３と、を備える。ＶＣＯ１１は、両端の電位差に応じて容量値が変化する可変容量素子を有し、電位差に応じた発振周波数の出力信号を出力する。制御ロジック１４は、可変容量素子の一端に所定の電圧を印加した状態で、基準信号と出力信号との周波数差に基づいて、当該可変容量素子の他端に印加する制御電圧Ｖｔｃを決定する。位相比較器１３は、可変容量素子の他端の電圧を制御ロジック１４により決定された制御電圧Ｖｔｃに固定した状態で、基準信号と出力信号との位相差に基づいて、可変容量素子の一端に印加する制御電圧Ｖｔａを決定する。 （もっと読む）

【課題】基準周波数信号を用いることなく、温度変動、電源電圧変動および回路定数のばらつきにかかわらず高精度な発振周波数を得る。
【解決手段】出荷検査時において、発振動作の環境温度と電源電圧を変化させながら発振周波数が目標周波数に一致するのに必要な抵抗５の抵抗値を順次求め、環境温度と電源電圧に対して当該抵抗値を対応付けたデータテーブルをメモリ１８に記憶する。ＣＲ発振回路の実際の使用状態では、制御回路１７は、所定の制御周期ごとに温度検出回路１５と電源電圧検出回路１６から電圧Ｖａ、Ｖｂを入力しＡ／Ｄ変換する。メモリ１８に予め記憶されたデータテーブルから電圧Ｖａ、Ｖｂに対応した抵抗５の抵抗値を読み出し、抵抗５の抵抗値Ｒが当該読み出した指定値に等しくなるようにスイッチ７ａ〜７ｃを切り替える。 （もっと読む）

【課題】自励発振回路周辺の状態変化による発振周波数の変化を抑えることができる周波数自動調整機能付自励発振回路およびそれを用いた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周波数自動調整機能付自励発振回路は、基準信号を生成する基準信号生成回路１０１ｂと、基準信号の周波数を調整する発振周波数調整回路１０１ａとを有する自励発振回路１０１と、互いに特性の異なる１組の抵抗素子を含み、１組の抵抗素子の抵抗値の変化の違いにより自励発振回路１０１の周辺状態を検出し、検出された周辺状態を示す信号を出力する特性変動検出回路１０２＿１と、特性変動検出回路１０２＿１の出力信号に基づいて発振周波数調整回路１０１ａによる周波数調整を制御する制御部１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】良好な位相雑音特性を有し、かつ広帯域な発振周波数範囲を有する電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る電圧制御発振器１は、電源と、少なくとも３つのポート１０ａ〜１０ｄを備えるインダクタ１１と、少なくとも３つのポートから選択される異なるポート対にそれぞれ接続される少なくとも２つの負性抵抗回路１２及び１４と、を有し、インダクタは、少なくとも２つの負性抵抗回路に接続されるポート対の間でそれぞれインダクタとして動作可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】改良された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器（１６）は複数の直列に接続された合成利得段（４２、４４、４６）を含む。合成利得段はトランスコンダクタンス段（４８）及びトランスインピーダンス段（５０）を含む。トランスコンダクタンス段は第１電源電圧端子から第２電源電圧端子への第１電流経路（５２、５６、６４）及び第２電流経路（５４、５８、６６）を有する。第１可変抵抗（６２）は第１電流経路と第２電流経路との間に接続される。トランスインピーダンス段は、第１電流経路の出力に接続された入力端子と、出力端子とを有する第１インバータ（６８、７２）及び第２電流経路の出力に接続された入力端子と、出力端子とを有する第２インバータ（７０、７４）を有する。第２可変抵抗（７６）は第１インバータの入力端子と出力端子との間に、第３可変抵抗（７８）は第２インバータの入力端子と出力端子との間に接続される。 （もっと読む）

【課題】位相誤差を補償しながら設定可能な位相オフセットで多相信号を生成するための方法等を提供する。
【解決手段】一実施形態において、回路は、第１の周波数及び第１の位相を有する第１の周期信号を生成する第１のＬＣ型電圧制御発振器（ＬＣＶＣＯ）と、第２の周波数及び第２の位相を有する第２の周期信号を生成する第２のＬＣＶＣＯとを有し、第２の位相は、９０度オフセットで第１の位相に対してオフセットされる。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置１００は、複数のデジタルバラクタビットＢ０、Ｂ１、Ｂ２によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ１０４，１０６，１０８を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でキャリブレーションができる回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、無線による送信処理を行う送信回路１００と、送信回路１００を制御する制御部１１０とを含む。制御部１１０は、第１の送信期間では、送信回路１００のキャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１を設定し、送信回路１００は、第１の送信期間では、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１に基づく第１の送信処理を行う。制御部１１０は、第２の送信期間では、キャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１の送信処理での送信状態の検出結果に基づいて更新された第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２を設定し、送信回路１００は、第２の送信期間では、第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２に基づく第２の送信処理を行う。 （もっと読む）

【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】少ない電流で必要な負性抵抗が得られることにより、安定に動作することのできる発振器を提供する。
【解決手段】互いに並列に配設された容量素子１３４，２３４およびインダクタ１３３，２３３を有する共振回路１３，２３と、共振回路１３，２３の損失を打ち消す負性抵抗が生じるように配設された複数のトランジスタを有する負性抵抗発生器１４，２４と、第１バイアス端子１５，２５と、第２バイアス端子１６，２６と、を備えた複数の発振部１０，２０と、各共振回路１３，２３が互いに等価的に並列に接続されるように、複数の発振部１０，２０を電気的に結合する結合部３０Ａと、を備え、複数の発振部１０，２０は、それぞれの第１バイアス端子２５および第２バイアス端子１６において互いに直列に接続され、複数の発振部１０，２０における複数のトランジスタ１４３，１４４，２４３，２４４は、互いに同じ導電型で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】、数百メガヘルツの発振周波数を有する発振信号を出力する場合において、半導体集積回路内に設けられた他の回路の特性劣化を抑制することができる発振回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の内部に設けられた内部キャパシタと、半導体集積回路の外部に設けられた外部キャパシタ及び外部インダクタとからなる共振回路と、共振回路に入力端及び出力端が接続された増幅回路と、を有し、共振回路は、内部キャパシタ、外部インダクタ、並びに内部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなる第１閉回路と、外部キャパシタ、外部インダクタ、並びに外部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなり、第１閉回路の配線抵抗よりも小なる配線抵抗を有する第２閉回路と、を有することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】発振周波数が安定するまでに要する時間の短い発振回路及び電子機器を提供する。
【解決手段】周波数補正回路を有する共振回路と、前記共振回路の両端の間に接続された増幅回路とを備えた発振回路が提供される。前記周波数補正回路は、第１のコンデンサと、両端の電位が変動可能に前記第１のコンデンサと直列的に接続された第１のトランジスタと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＣタンクＶＣＯは、第１および第２のスパイラルインダクタＬ１，Ｌ２と、第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２とを備える。第１および第２のＭＯＳバラクタＣ１，Ｃ２は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第１のスパイラルインダクタＬ１と第２のスパイラルインダクタＬ２の間の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）

【課題】低供給電圧の性能でのマイクロ波帯域における電圧制御発振器の効率を向上させるための二重正帰還電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】２つのコルピッツ回路２０、２１は第１正帰還ループを提供し、第１負抵抗と等価である。ＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０は、第２正帰還ループを提供し第２負抵抗と等価である。２つのコルピッツ回路２０、２１及びＮＭＯＳ交差結合ペア回路３０によって生成される２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗に対して並列に接続されている。この為２つの各負抵抗は、ＬＣタンクの寄生抵抗をオフセットする。２つの各負抵抗が生成されるので、低電圧の稼動時において、及び、直流電流の共有において、高い負抵抗が二重正帰還電圧制御発振器１０によって生成される。この為、二重正帰還電圧制御発振器１０は、より低い電力下で発振可能である。 （もっと読む）