【課題】 帯域反射型発振回路において、共振回路に対する特性調整方法によれば、発振周波数を調整することが可能であるが、発振回路の出力特性や変調幅を調整することには向かず、増幅回路に対する特性調整方法では、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が大きくなったりすることがあった。
【解決手段】 高周波発振回路１００において、共振回路１と増幅回路２を接続するＦＥＴ９のドレイン端側に特性調整用のオープンスタブ１４を設けて、トリミングまたは誘電体チップの付加を行う。ＦＥＴ９のソース端側から出力端子１３の間で、インピーダンス変化がないため、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が生じたりすることなく、負荷変動特性が安定した状態で発振周波数特性、出力特性、および変調幅特性が調整可能になる。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタを用いる電圧制御発振器において、電源電圧変動に伴う発振周波数の揺れを小さくするためにバックゲート端子をソースに接続すると、基板ロスが大きくなり位相雑音特性が劣化する。
【解決手段】 発振トランジスタ１１５のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１１９を介してソース端子に接続し、発振トランジスタ１１６のバックゲート端子を、高インピーダンス素子１２０を介してソース端子に接続する。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で、優れたＱ値、およびＣ／Ｎ特性を有し、負荷特性に優れる高周波発振器を構成する。
【解決手段】 高周波発振器は、共振回路１０と、該共振回路１０に接続するとともに出力端子ＯＵＴに接続する帰還増幅回路１とを備える。帰還増幅回路１は、ベースが共振回路１０に接続し、コレクタがインダクタＬ１１を介して駆動電源端子Ｖｂに接続するとともにコンデンサＣ２を介してグランドに接続することにより高周波的に接地し、エミッタがエミッタ抵抗Ｒ１、インダクタＬ１の直列回路とコンデンサＣ１とを介してグランドに接続し、ベース−エミッタ間に帰還用コンデンサＣ３が接続した発振用トランジスタＴｒ１を備える。この発振用トランジスタＴｒ１のベースがバイアス抵抗Ｒ１２を介して出力端子ＯＵＴに接続する。 （もっと読む）

セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ310a-310bに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース370、380により供給されることができる。温度依存電圧ソース370,380は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ310a、310b；320a、320bを含んでいる。 （もっと読む）

液体が付着した場合であっても、バイアス電圧の印加による電極膜の剥離が生じ難く、かつ安定に動作させ得る弾性表面波センサー内蔵発振回路を提供する。 圧電基板上にインターデジタル電極３３，３４と、インターデジタル電極３３，３４を覆うように、検出対象物質または検出対象物質を結合する結合物質を結合する反応膜が設けられており、微小な質量負荷を周波数変化により検出することを可能とする弾性表面波センサー３２が共振子として接続されている弾性表面波センサー内蔵発振回路であって、弾性表面波センサー３２に対して、直列に直流カット用コンデンサ３６，４２が接続されており、該直流カット用コンデンサ３６，４２が、それぞれ、インピーダンス整合回路を構成している、弾性表面波センサー内蔵発振回路３１。 （もっと読む）

集積回路パッケージが、リードワイアと１つまたは複数の入出力（Ｉ／Ｏ）パッケージピンとの接続から形成されるインダクタループを含む。一実施形態では、インダクタループは、集積回路チップ上の第１のボンディングパッドをパッケージの第１のＩ／Ｏピンに接続する第１および第２のワイアと、チップ上の第２のボンディングパッドをパッケージの第２のＩ／Ｏピンに接続する第３および第４のワイアとから形成される。インダクタループを完成するために、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンは、ピン間の第３の導体によって接続される。第３の導体は、１つまたは複数のボンディングワイアを含むことができ、Ｉ／Ｏピンは、互いに隣接するものであることが好ましい。しかし、ループは、例えばループ長要件、空間の考慮すべき点、および／または他の設計要因もしくは機能要因に基づいて、Ｉ／Ｏピンの非隣接接続から形成することができる。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、Ｉ／Ｏピンに単一構造を持たせることによって確立される。他の実施形態では、第１のＩ／Ｏピンと第２のＩ／Ｏピンの間の接続が、パッケージ基板の表面上に、またはこの基板内に位置するメタライゼーション層によって確立される。集積回路パッケージの境界線内でインダクタループを形成することにより、空間要件における実質的な削減が実現され、これは小型化を促進する。また、集積回路は、その少なくとも１つのパラメータがパッケージのインダクタループの長さによって制御される様々なシステムのいずれか１つで実装することができる。

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【課題】 歩留まりに優れ周波数安定度が高い小型の恒温槽型水晶発振器を実現する。
【解決手段】 圧電振動子と増幅回路及び可変容量ダイオードを有する発振回路と、前記圧電振動子を一定温度に保つ為の恒温槽と、温度変化に伴う前記増幅回路の電気的特性の変化により前記圧電発振器の発振周波数が変動するのを抑圧するよう前記可変容量ダイオードの容量値を制御する為の制御電圧を出力する電圧発生回路とを備え、該電圧発生回路が正特性または負特性のサーミスタを感温素子として制御電圧を制御することにより温度変化によって生じる増幅回路の電気的特性の変動に伴う周波数変化を回路的に補償することができるので周波数温度特性に優れる小型の恒温槽型水晶発振器を容易に実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 直接形温度補償圧電発振器に用いる補償部品を互いに集積して小型発振器を構成する。
【解決手段】 圧電振動子、増幅器、温度補償回路を構成するサーミスタ、チップコンデンサ、抵抗を備えた温度補償圧電発振器であって、圧電振動子のパッケージの裏面側に前記サーミスタ、前記抵抗を厚膜印刷で形成して温度補償圧電発振器を構成する。 （もっと読む）