【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の利得の温度依存性を抑制し、温度補償回路を有するバイアス回路を備えた電力増幅回路を提供する。
【解決手段】ドレインが高電位に接続され、ソースが接地された増幅用トランジスタを備え、ソースが接地され増幅用トランジスタＧＴｒのゲートにゲートが接続されたカレントミラートランジスタＣＭＴｒによって増幅用トランジスタのバイアス電流を制御する電力増幅回路であって、アノードが制御電源端子に接続された第１のダイオードＤ１と、アノードが第１のダイオードＤ１のカソードに結合され、カソードがカレントミラートランジスタＣＭＴｒのドレインに接続された第２のダイオードＤ２と、一方の端子が第２のダイオードＤ２のカソードに接続され他方の端子が接地された第１の抵抗素子Ｒ１と、第２のダイオードＤ２と並列接続された第２の抵抗素子Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】過熱検出回路の検出温度がばらつくことを抑制する。
【解決手段】コンパレータ１７０には、第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間の電圧Ａと、ダイオード１３０と第２定電流源１４０の間の電圧Ｂが入力される。第１リーク電流源１５０は、ドレインが第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間に接続されており、ソース及びゲート電極が第１定電流源１２０と第２配線１０４の間に接続されている。第２リーク電流源１６０は、ドレインが第１配線１０２とダイオード１３０の間に接続されており、ソース及びゲート電極がダイオード１３０と第２定電流源１４０の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】動作トランジスタのエミッタ電圧の温度依存性を抑制する。
【解決手段】動作トランジスタＱ８にベースには、バイアス電流Ｉｂが第１抵抗Ｒ３，Ｒ４、第１トランジスタＱ７を介し供給される。少なくとも１つのカレントミラー回路を含み、バイアス電流Ｉｂに応じた対応電流Ｉｂ’が第２トランジスタＱ３に流れる。第３トランジスタＱ２は、第１トランジスタとベースが共通接続され、対応電流Ｉｂ’を流し、第２抵抗Ｒ２は、前記第１抵抗Ｒ３における電圧降下に対応する電圧降下を得る。第４トランジスタＱ１はエミッタ側に基準電圧Ｖｒｅｆを受け、ベースが前記第３トランジスタＱ２のエミッタ側に接続される。動作トランジスタＱ８の１ＶＢＥを第４トランジスタＱ１の１ＶＢＥで相殺し、第２トランジスタＱ７の１ＶＢＥを前記第３トランジスタＱ２の１ＶＢＥで相殺することによって、基準電圧Ｖｒｅｆを動作トランジスタＱ８のエミッタ側に設定する。 （もっと読む）

【課題】 温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制する。
【解決手段】 電力増幅器は、信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、各増幅部にバイアス電圧を供給するバイアス供給回路とを有し、バイアス供給回路は、増幅部のトランスコンダクタンスを安定させるための第１モードでバイアス電圧を制御する第１バイアス回路と、増幅部のバイアス電流を安定させるための第２モードでバイアス電圧を制御する第２バイアス回路とを有し、複数の増幅部の少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第１モードで制御可能であり、複数の増幅部の残りの少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第２モードで制御可能である。 （もっと読む）

【課題】コスト増大を招来することなく高い精度の温度補償を可能にする温度可変減衰回路を得ること。
【解決手段】温度により減衰量が変化する温度可変減衰器と、前記温度可変減衰器に並列に設けられる第１の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の一方の入出力端に接続され、他端が一方の信号入出力端を構成する第２の可変抵抗器と、一端が前記温度可変減衰器の他方の入出力端に接続され、他端が他方の信号入出力端を構成する第３の可変抵抗器とを備える。 （もっと読む）

【課題】特別な部品を付加したり、正負の電源を用いることなく、精度良く温度補償を行うことができる電力検出装置を提供する。
【解決手段】電力検出回路５１ａと電力検出回路５１ｂは、入力信号を除いて回路構成が同じである。すなわち、ＦＥＴ２ａ、２ｂ、ＦＥＴ３ａ、３ｂ、ＦＥＴ４、キャパシタ５、ＦＥＴ１２ａ、１２ｂ、ＦＥＴ１３ａ、１３ｂ、ＦＥＴ１４、キャパシタ１５で構成されている。電力検出回路５１ａと電力検出回路５１ｂとは回路特性が同じであるため、電力検出回路５１ａの検波出力と電力検出回路５１ｂのリファレンスとの差を引算回路にて求めると、温度変化による信号の変動成分が精度良くキャンセルできる。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器において、利得の温度依存性を抑制し、高温時に利得が低下しないようにすること。
【解決手段】ＰＴＡＴ電流源２０は、正の温度依存性を有した電流Ｉ１を生成し、ＶＢＥ依存電流源３０は、負の温度依存性を有した電流Ｉ２を生成する。電流加減算回路４０は、電流Ｉ１と電流Ｉ２を加算して温度依存性のない電流Ｉ３を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ３を減算して電流Ｉ４を生成し、電流Ｉ１から電流Ｉ４を減算して電流Ｉ５を生成する。電流Ｉ５は、所定の温度までは温度上昇に対して電流量が増加し、所定の温度以上では温度依存性がなく一定の電流量となる温度特性である。この電流Ｉ５がエミッタ接地増幅回路１０に供給されることで、利得の温度依存性が抑制され、高温時においても利得が急激に低下しないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧や周囲温度が変動した場合にも、出力ＤＣレベルがずれるのを回避するとともに、動作電源電圧範囲が広く電源リップルリジェクション特性の優れた映像ドライバを提供する。
【解決手段】 映像信号が入力される入力端子の電位をクランプするクランプ回路と、入力された映像信号および所定の基準電圧を入力とし映像信号を増幅して出力する差動増幅回路と、クランプ回路に供給するバイアス電圧および差動増幅回路に供給する基準電圧を生成する分圧回路と、分圧回路により生成されたバイアス電圧または基準電圧に所定のオフセット電圧を付加または減算してクランプ回路または差動増幅回路に供給するオフセット回路と、を備えた映像信号出力回路において、オフセット回路は、ｐｎｐバイポーラトランジスタおよびｎｐｎバイポーラトランジスタを備え、２つのトランジスタのベース・エミッタ間電圧の差に応じた電圧を出力するように構成した。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、温度変化や抵抗のばらつきに関係なく出力を一定にできる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】入力部２０は、帰還抵抗２２を持つソース接地増幅器で、負荷は２つの出力ノード３５，３６をもつカレントミラー部３０の入力ノード３４に接続される。カレントミラー部３０の出力は、電流電圧変換部４０に接続される。電流電圧変換部４０は、２つのダイオード接続されたトランジスタ４１，４２を有し、それぞれのドレインはカレントミラー部の出力ノードに接続され、トランジスタ４２のソースはノード４７および抵抗４３を介してＧＮＤ８０に接地し、他方のトランジスタ４１のソースは直接ＧＮＤに接地し、さらにノード４５と４７間に抵抗４４が繋がれている。帰還抵抗２２と抵抗４４の値はそれぞれ等しい。ノード４６は電流電圧変換部４０の出力であり、出力回路５０のトランジスタ５１のゲートに入力される。 （もっと読む）

【課題】温度補償回路に印加される参照電圧の変動や温度変動に対するコレクタ静止電流のさらなる安定化を図る。
【解決手段】エミッタ接地されたパワートランジスタ１のベースに、エミッタフォロワ動作する第１のトランジスタ１０２のエミッタ出力電圧を印加することで、パワートランジスタ１のコレクタ静止電流を制御可能に構成されてなる電力増幅器であって、コレクタに第１の抵抗器３０４が、エミッタに第２の抵抗器３０５が、それぞれ直列接続される一方、ベースに第３の抵抗器３０６がシャント接続されると共に、第１のダイオード２０３のカソードが接続された第２のトランジスタ１０３が設けられ、第１のダイオード２０３のアノードと第１の抵抗器３０４の他端は相互に接続されて参照電圧が印加可能とされ、第２のトランジスタ１０３のコレクタの出力電圧が第１のトランジスタ１０２のベースに印加されるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】パワーアンプのバイアスを変えて複数のモードを設定してもそれぞれに最適な温度補償を実現できる手段を提供する。
【解決手段】温度が下がった場合に減衰量が増加するアッテネータを並列に接続した３極管動作をさせるＦＥＴ１００でパワーアンプモジュールを構成する。ＦＥＴ１００のゲート電圧は制御電圧発生回路３００で制御する。この制御電圧発生回路３００により温度特性を決定することで最適な温度補償を実現可能ならしめる。 （もっと読む）

【課題】少ない回路規模で温度変化に対して一定の出力電力を生成する無線通信装置を提供する。
【解決手段】無線送信装置は，ベースバンド信号のレベルを調整するベースバンド信号レベル変換部と，ベースバンド信号レベル変換部で調整されたベースバンド信号を高周波出力信号に変調する変調部と，高周波出力信号を増幅する可変ゲインアンプとを有する高周波回路部と，検出された無線送信装置の内部温度に応じて送信レベル設定値に対する総補正量を求め，総補正量から基準値未満の微調補正量と基準値以上の粗調補正量とを求め，送信レベル設定値に粗調補正量を加算した補正送信レベル設定値に基づいて可変ゲインアンプのゲイン設定値を求めるとともに，微調補正量に基づいてベースバンド信号のレベル補正量を求める補正演算部とを有し，レベル補正量に基づいてベースバンド信号のレベルを調整し，ゲイン設定値に基づいて可変ゲインアンプのゲインを制御する。 （もっと読む）

【課題】サーミスタを使わずに簡便な回路で所望の温度補償が達成できると共に、抵抗での消費電力が増加しないようにし、また温度補償の特性変更や調整を抵抗の仕様等の変更のみで任意に行えるようにする。
【解決手段】ＦＥＴ１のゲート電圧を制御するためのＰＮＰの第１トランジスタＱ1 が設けられ、上記ＦＥＴ１のドレイン及び第１トランジスタＱ1 のエミッタには、ＦＥＴ１のドレイン電流検出用の抵抗Ｒ_４を介して正電源４が配置され、第１トランジスタＱ1 のベースと接地との間に第１抵抗Ｒ_１、このベースと正電源４との間に第２抵抗Ｒ_２が接続される回路で、上記第２抵抗に対し並列となるように、直列接続のダイオード（ＰＮＰトランジスタでもよい）Ｄ1 と第３抵抗Ｒ_３を接続する。これによれば、Ｒ_２とＲ_３のそれぞれの値の組合せの調整で任意の温度勾配のドレイン電流を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段２１，２２の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、３つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段５６に格納し、半導体集積回路の温度検出手段２３で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧依存性および温度依存性の低い参照電圧発生回路を提供し、もって受信感度の良好な受信回路を実現する。
【解決手段】 受信回路は、ＡＭＩ符号化された一対の信号を増幅する差動増幅回路（１１）と、差動増幅回路の出力と所定の参照電圧とを比較して入力信号の論理レベルを判別する受信データ判定回路（１２）と、前記参照電圧を発生する参照電圧発生回路（１３）とを備え、参照電圧発生回路は電源電圧を基準にした温度依存性の低い参照電圧を発生するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 センス抵抗における電力損失を抑制してチップ温度の上昇を抑えることができる出力電流検出回路およびそれを備えた送信回路を実現する。
【解決手段】 出力トランジスタ（Ｑ１）のサイズよりも小さなサイズを有し出力トランジスタの制御電圧と同一の電圧が印加された電流検出用のトランジスタ（Ｑ３）と、電流検出用のトランジスタと直列形態に接続されたセンス抵抗（Ｒｓ）と、センス抵抗で変換された電圧と参照電圧とを比較して出力トランジスタに流れている電流の大きさを判定する比較回路（ＣＭＰ）と、参照電圧発生回路（１４）とを備え、参照電圧発生回路は、定電流を流す定電流回路（Ｑ５，１４）と、一方の端子が電源電圧端子に接続された抵抗素子（Ｒ２）とを備え、定電流回路で生成された定電流が該抵抗素子に流されて電圧に変換されることによって電源電圧を基準にした参照電圧を発生するように構成した。 （もっと読む）

【課題】温度変動時においても、広範囲の出力電力にわたって高効率動作を実現できる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＲＦ増幅器１１の電力増幅用トランジスタＱ０のベースには、コンデンサＣ１を介して高周波信号が入力されており、かつ、温度補償回路Ｔ１を含んだ高出力用バイアス回路Ｂ１を介して基準電圧印加端子ＶＲＥＦ１が接続されており、さらに、温度補償回路Ｔ２を含んだ低出力用バイアス回路Ｂ２を介して基準電圧印加端子ＶＲＥＦ２が接続され、各バイアス回路Ｂ１,Ｂ２へのバイアス電圧ＶＤＣは共通接続されている。また、電力増幅用トランジスタＱ０のコレクタはコンデンサＣ２を介して高周波信号が出力されており、そのエミッタは接地されている。 （もっと読む）

【課題】 パワートランジスタの破壊を防ぐことができ、パワートランジスタの動作範囲を広くすることができるパワーアンプの保護回路を提供する。
【解決手段】 パワートランジスタと、パワートランジスタに電源電圧を供給する電源部と、パワートランジスタの周辺温度を検出する温度検出部と、パワートランジスタのコレクタ損失を検出するコレクタ損失検出部と、コレクタ損失検出部が温度検出部の検出温度に応じたコレクタ損失を検出すると、電源部からトランジスタに供給される電源電圧を停止する制御をする制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度に対する変動幅が小さく所望の電圧値を有する出力電圧を生成する基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】基準電圧を生成する差動アンプＡ１の出力端子ＯＵＴとグランドとの間に，第１抵抗Ｒ１，第２抵抗Ｒ２と，第２抵抗Ｒ２にエミッタが接続されグランドにコレクタが接続された第１トランジスタＢ１とを有する第１の経路と，差動アンプＡ１の出力端子ＯＵＴとグランドとの間に，第３抵抗Ｒ１ｂと第３抵抗にエミッタが接続されグランドにコレクタが接続された第２トランジスタＢ２とを有する第２の経路とを有する。第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との間の第１ノードＮ１と，第３抵抗Ｒ１ｂと第２トランジスタＢ２のエミッタとの間の第２ノードＮ２とが，差動アンプの入力端子対にそれぞれ接続され，第１トランジスタＢ１のエミッタサイズが第２トランジスタＢ２のエミッタサイズより大きく，さらに第４の抵抗Ｒ３を有する。 （もっと読む）