半導体集積回路装置及びその温度補正方法
【課題】簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段２１，２２の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、３つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段５６に格納し、半導体集積回路の温度検出手段２３で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。
【解決手段】少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段２１，２２の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、３つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段５６に格納し、半導体集積回路の温度検出手段２３で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基準信号を出力する信号発生手段を有する半導体集積回路装置及びその温度補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リチウムイオン電池等の二次電池を用いた電池パックが携帯電話やデジタルカメラなどの携帯機器に搭載されている。リチウムイオン電池は、一般に、その電圧により電池残量を検出することが難しいとされている。このため、マイコンなどにより電池の充放電電流を検出し、検出した充放電電流を積算することにより、電池残量を測定する方法がとられている。
【０００３】
このようにして電池パックにおけるリチウムイオン電池の電池残量を測定する電池監視モジュールは、高精度Ａ／Ｄ変換回路などのアナログ回路と、計測した電流値を積算するＣＰＵやタイマなどのデジタル回路を１つの半導体集積回路装置に搭載している。
【０００４】
上記電池監視モジュールにはデジタル回路にクロックを供給する発振回路やアナログ回路に基準電圧を供給する基準電圧回路が設けられている。環境温度が変化すると、発振回路では発振周波数が変化し基準電圧回路では基準電圧が変化する。従来の電池監視モジュールでは発振回路や基準電圧回路の内部に個々に温度補正回路部を設ける設計を行って、発振回路や基準電圧回路それぞれの温度補正を行っている。
【０００５】
なお、発振手段の発振周波数・電源電圧特性を温度変動に追従して電源を制御することにより、発振回路の安定性向上と消費電流の一定化を実現しようとする技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−１６９８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電池監視モジュールのように、発振回路と基準電圧回路を１つの半導体集積回路装置に搭載する場合には、発振回路と基準電圧回路のそれぞれに温度補正回路部を設ける構成とすると、温度補正回路部を含む発振回路と温度補正回路部を含む基準電圧回路それぞれの設計に手間が掛り、発振回路と基準電圧回路それぞれの温度補正回路部が大型化するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施態様による温度補正方法は、
少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段（２１，２２）の出力する基準信号の値を測定し、測定した前記基準信号の値を目標値とするため前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを求め、
前記３つの温度で得た前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データから前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、前記各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段（５６）に格納し、
前記半導体集積回路の温度検出手段（２３）で検出した温度に応じて前記格納手段（５６）から前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に設定し、
前記信号発生手段（２１，２２）が出力する基準信号の温度補正を行う。
【００１０】
好ましくは、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定は、定期的に行う。
【００１１】
好ましくは、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定は、前記温度検出手段（２３）で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行う。
【００１２】
本発明の一実施態様による半導体集積回路装置は、
基準信号を出力する信号発生手段（２１，２２）を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号発生手段（２１，２２）の出力する基準信号の値を補正制御データに応じて変更する前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）と、
前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度で前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを温度と対応付けて格納した格納手段（５６）と、
前記半導体集積回路の環境温度を検出する温度検出手段（２３）と、
前記半導体集積回路の温度検出手段（２３）で検出した温度に応じて前記格納手段（５６）から前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に設定する設定手段（１１）と、を有する。
【００１３】
好ましくは、前記設定手段（１１）は、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定を定期的に行う。
【００１４】
好ましくは、前記設定手段（１１）は、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定を前記温度検出手段（２３）で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行う。
【００１５】
好ましくは、前記信号発生手段は発振回路（２１）であり、前記基準信号の値は発振周波数である。
【００１６】
好ましくは、前記信号発生手段は基準電圧回路（２２）であり、前記基準信号の値は基準電圧である。
【００１７】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】電池パックの一実施形態の構成図である。
【図２】トリミング回路の一部の回路構成図である。
【図３】基準電圧回路の基準電圧・温度特性図である。
【図４】発振回路の発振周波数・温度特性図である。
【図５】制御データを登録する際の構成図である。
【図６】発振回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートである。
【図７】基準電圧回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートである。
【図８】発振周波数及び基準電圧の温度補正処理の一実施形態のフローチャートである。
【図９】電源オン時のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
＜電池パック＞
図１は、本発明の半導体集積回路装置である電池監視モジュールを適用した電池パックの一実施形態の構成図を示す。図１において、電池監視モジュール１０は、デジタル部とアナログ部とから大略構成されている。
【００２２】
デジタル部内には、ＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１４、通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、タイマ１６等が設けられている。上記のＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ１４、通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、タイマ１６は内部バスにて相互に接続されている。
【００２３】
また、アナログ部には、発振回路２１、基準電圧回路２２、温度検出回路２３、電圧検出回路２４、電流検出回路２５、充放電保護回路２６、トリミング回路２７、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）２８、パワーオンリセット回路２９等が設けられている。
【００２４】
電池監視モジュール１０は、リチウムイオン電池３０、電流検出用の抵抗Ｒ１、保護スイッチとしてのＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２と共に筐体に収納されて電池パック３５が構成されている。このリチウムイオン電池３０を接続した電池パック３５は、電池監視モジュール１０の端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより携帯機器４０に接続され、電池パック３５より携帯機器４０に電源を供給する。
【００２５】
電池監視モジュール１０において、ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ１２に記憶されているプログラムを実行して電池監視モジュール１０全体を制御すると共に、温度補正処理、電圧算出処理、電流算出処理、電池の充放電電流を積算して電池残量を管理する処理、充放電制御処理等を実行する。この際にＲＡＭ１３が作業領域として使用される。また、不揮発性メモリ１４には電源オフ時にも保持する制御データ等が格納される。
【００２６】
通信インタフェース１５は端子１０ｃを介して携帯機器４０に接続され、ＣＰＵ１１と携帯機器４０のＣＰＵとの間で通信を行う。タイマ１６はシステムクロックをカウントし、そのカウント値はＣＰＵ１１に参照される。
【００２７】
信号発生手段としての発振回路２１はトリミング回路２７から制御電圧を供給されており、この制御電圧に応じて発振周波数を可変するＶＣＯ（電圧制御型発振器）を有している。発振回路２１はＶＣＯの発振周波数に基づくクロックを生成し基準信号としてＣＰＵ１１，ＡＤコンバータ２８等に供給すると共に、端子１０ｄより出力する。
【００２８】
信号発生手段としての基準電圧回路２２はトリミング回路２７から制御電圧を供給されており、基準電圧回路２２は制御電圧に応じて基準電圧を可変して出力する。この基準電圧は基準信号としてＡＤコンバータ２８等に供給されると共に、端子１０ｅより出力される。
【００２９】
温度検出回路２３は環境温度を検出してアナログの温度検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３０】
電圧検出回路２４は電池監視モジュール１０に外付けされているリチウムイオン電池３０の両端電圧を検出してアナログの電圧検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３１】
電流検出回路２５は電池監視モジュール１０に外付けされている電流検出用の抵抗Ｒ１の両端電圧を検出してアナログの電流検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３２】
ＡＤコンバータ２８はマルチプレクサを内蔵しており、アナログの温度検出信号、アナログの電圧検出信号、アナログの電流検出信号を順次選択してアナログ／デジタル変換を行い、温度検出信号、電圧検出信号、電流検出信号それぞれをデジタル化する。このアナログ／デジタル変換の際に基準電圧回路２２からの基準電圧が使用される。ＡＤコンバータ２８でデジタル化された温度検出値、電圧検出値、電流検出値それぞれはＣＰＵ１１に供給される。
【００３３】
パワーオンリセット回路２９はリチウムイオン電池３０から供給される電源が立ち上がったことを検出してリセット信号を発生し電池監視モジュール１０内の各回路部に供給する。
【００３４】
＜トリミング回路＞
図２は、トリミング回路２７の一部の回路構成図を示す。この回路は発振回路２１用の制御電圧を発生する回路と、基準電圧回路２２の制御電圧を発生する回路のいずれか一方を示している。
【００３５】
図２において、演算増幅器５１は反転入力端子に定電圧源５２から定電圧Ｖ１を供給されている。演算増幅器５１の非反転入力端子は３端子抵抗５３の中間端子に接続されている。演算増幅器５１の出力は端子５４から制御電圧として出力されると共に、３端子抵抗５３の一端に供給される。３端子抵抗５３の他端は定電位（例えば接地）とされている。
【００３６】
３端子抵抗５３はトリミングレジスタ５５から供給される補正制御データに応じて中間端子の接続位置（電圧取り出し位置）を変更することで３端子摺動抵抗として機能する。これにより、演算増幅器５１の出力端子から非反転入力端子に帰還される電圧が補正制御データに応じて変更され、端子５４からの出力電圧が変化する。
【００３７】
不揮発性メモリ５６には例えばアドレス０〜ｎに、値が徐々に大きくなる制御データが予め書き込まれている。また、不揮発性メモリ５６には環境温度に応じたアドレス（アドレスｎ以降）に補正制御データが書き込まれる。
【００３８】
不揮発性メモリ５６は端子５７を介してＣＰＵ１１から読み出しアドレスを供給され、これにより不揮発性メモリ５６から読み出された補正制御データがトリミングレジスタ５５に設定され、トリミングレジスタ５５から３端子抵抗５３に供給される。つまり、ＣＰＵ１１からの制御によって端子５４から出力される制御電圧が変化する。
【００３９】
＜温度特性＞
図３は、基準電圧回路２２の基準電圧・温度特性図を示す。基準電圧回路２２はトリミング回路２７から供給される制御電圧が一定であれば、環境温度が１０°Ｃ付近で最大値となり、環境温度が１０°Ｃから低下するほど基準電圧が低下すると共に、環境温度が１０°Ｃから上昇するほど基準電圧が低下する、実線に示すような温度特性を有している。
【００４０】
また、図４は、発振回路２１の発振周波数・温度特性図を示す。発振回路２１はトリミング回路２７から供給される制御電圧が一定であれば、環境温度が低下するほど発振周波数が高くなり、環境温度が上昇するほど発振周波数が低くなる、実線に示すような温度特性を有している。
【００４１】
＜制御電圧登録工程＞
図５は、電池パック３５の製造工程でトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６に補正制御データを登録する際の構成図を示す。図５において、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図５において、測定装置６０は信号周波数を測定する機能と信号電圧を測定する機能を有している。測定装置６０は電池監視モジュール１０の端子１０ｄ，１０ｅと接続され、また、測定装置６０と通信回路６５は通信線６１にて接続される。
【００４２】
電池監視モジュール１０の端子１０ｄから出力されるクロックが測定装置６０に供給され、また、電池監視モジュール１０の端子１０ｅから出力される基準電圧が測定装置６０に供給される。測定装置６０が出力する制御の指示は通信回路６５を介して電池監視モジュール１０の通信インタフェース１５に供給される。また、リチウムイオン電池３０の代りに電源６６が接続される。
【００４３】
＜発振回路用制御電圧登録＞
図６は、発振回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電池監視モジュール１０の環境温度をｎ回（ｎは３以上の数であり、環境温度は例えば−４０°Ｃ，０°Ｃ，＋８０°Ｃ）変更する。
【００４４】
図６において、ステップＳ１１で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に発振周波数を制御するトリミングレジスタ５５に対して初期値を設定する。次に、ステップＳ１２〜Ｓ１３で、環境温度が測定温度と一致するまで待ち、ステップＳ１４で測定装置６０は端子１０ｄから供給される発振回路２１出力の発振周波数を測定し、ステップＳ１５で図４に一点鎖線で示す目標値と比較して両者が一致するか否かを判別する。発振周波数が目標値と不一致であればステップＳ１６で発振周波数を目標値とする方向と周波数の差分を含む変更指示をＣＰＵ１１に供給する。これにより、ＣＰＵ１１は変更指示に応じた値をトリミングレジスタ５５に設定し、トリミング回路２７から発振回路２１に変更された制御電圧が供給される。ステップＳ１６を実行するとステップＳ１４に進む。
【００４５】
上記のステップＳ１４〜Ｓ１６を繰り返すことにより発振周波数は目標値と一致する。発振周波数が目標値と一致すると、ステップＳ１５からステップＳ１７に進む。ステップＳ１７で測定装置６０はＣＰＵ１１に対して、この時点でトリミングレジスタ５５に設定されている制御データを発振回路２１用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスに補正制御データとして書き込む指示を行う。
【００４６】
次に、ステップＳ１８で環境温度をｎ回変更したか否かを判別し、まだ環境温度をｎ回変更していなければステップＳ１９で環境温度を変更してステップＳ１３に進み、上記のステップＳ１３〜Ｓ１９を繰り返す。既に環境温度をｎ回変更していればステップＳ２０に進む。
【００４７】
ステップＳ２０で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に設定処理を指示する。ＣＰＵ１１は発振回路２１用の不揮発性メモリ５６に記憶されている３以上の環境温度に対する補正制御データから、電池監視モジュール１０の使用温度範囲（例えばー４０°Ｃ〜＋１２０°Ｃ）における図４に一点鎖線で示す各環境温度で発振周波数を目標値とする補正制御データを近似的に算出し、算出した各温度の補正制御データを発振回路２１用の不揮発性メモリ５６の各環境温度に応じたアドレスに書き込んで、この処理を終了する。
【００４８】
＜基準電圧回路用制御電圧登録＞
図７は、基準電圧回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電池監視モジュール１０の環境温度をｎ回（ｎは３以上の数であり、環境温度は例えば−４０°Ｃ，０°Ｃ，＋８０°Ｃ）変更する。
【００４９】
図７において、ステップＳ２１で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に基準電圧を制御するトリミングレジスタ５５に対して初期値を設定する。次に、ステップＳ２２〜Ｓ２３で、環境温度が測定温度と一致するまで待ち、ステップＳ２４で測定装置６０は端子１０ｅから供給される基準電圧を測定し、ステップＳ２５で図３に一点鎖線で示す目標値と比較して両者が一致するか否かを判別する。基準電圧が目標値と不一致であればステップＳ２６で基準電圧を目標値とする方向と電圧の差分を含む変更指示をＣＰＵ１１に供給する。これにより、ＣＰＵ１１は変更指示に応じた値をトリミングレジスタ５５に設定し、トリミング回路２７から基準電圧回路２２に変更された制御電圧が供給される。ステップＳ２６を実行するとステップＳ２４に進む。
【００５０】
上記のステップＳ２４〜Ｓ２６を繰り返すことにより基準電圧は目標値と一致する。基準電圧が目標値と一致すると、ステップＳ２５からステップＳ２７に進む。ステップＳ２７で測定装置６０はＣＰＵ１１に対して、この時点でトリミングレジスタ５５に設定されている制御データを基準電圧回路２２用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスに補正制御データとして書き込む指示を行う。
【００５１】
次に、ステップＳ２８で環境温度をｎ回変更したか否かを判別し、まだ環境温度をｎ回変更していなければステップＳ２９で環境温度を変更してステップＳ２３に進み、上記のステップＳ２３〜Ｓ２９を繰り返す。既に環境温度をｎ回変更していればステップＳ３０に進む。
【００５２】
ステップＳ２０で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に設定処理を指示する。ＣＰＵ１１は基準電圧回路２２用の不揮発性メモリ５６に記憶されている３以上の環境温度に対する補正制御データから、電池監視モジュール１０の使用温度範囲（例えばー４０°Ｃ〜＋１２０°Ｃ）における図３に一点鎖線で示す各環境温度で基準電圧を目標値とする補正制御データを近似的に算出し、算出した各温度の補正制御データを基準電圧回路２２用の不揮発性メモリ５６の各環境温度に応じたアドレスに書き込んで、この処理を終了する。
【００５３】
＜温度補正＞
図８は、発振周波数及び基準電圧の温度補正処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電源オン時、一定周期（例えば数分）、又は、温度検出回路２３の温度検出値が予め設定された閾値を超えて変化したときに実行される。
【００５４】
図８において、ステップＳ３１でＣＰＵ１１は温度検出回路２３で検出しＡＤコンバータ２８から供給される温度検出値を読み取る。ステップＳ３２でＣＰＵ１１は発振回路２１用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスから補正制御データを読み出して発振回路２１用のトリミング回路２７のトリミングレジスタ５５に設定する。
【００５５】
ステップＳ３３でＣＰＵ１１は基準電圧回路２２用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスから補正制御データを読み出して基準電圧回路２２用のトリミング回路２７のトリミングレジスタ５５に設定する。これによって、発振回路２１の出力する発振周波数は温度補正された所定値となり、基準電圧回路２２の出力する基準電圧は温度補正された所定値となる。
【００５６】
＜電源オン時の動作＞
図９に電源オン時のタイミングチャートを示す。図９（Ａ）に示す電源がオンする。これにより、パワーオンリセット回路２９はハイレベルでリセット、ローレベルでリセット解除を指示する図９（Ｂ）に示すリセット信号を生成して電池監視モジュール１０の各回路部に供給する。また、電源オンにより発振回路２１は発振を開始して図９（Ｃ）に示すクロックを出力する。
【００５７】
リセット解除により、タイマ１６は発振回路２１の出力クロックを用いて図９（Ｃ）に示す発振安定期間をカウントする。ＣＰＵ１１は上記発振安定期間をタイマ１６から通知されて、この発振安定期間後に図８の処理を実行する。これによって、電源オンから僅かな時間で発振回路２１の出力する発振周波数は温度補正された所定値となり、基準電圧回路２２の出力する基準電圧は温度補正された所定値となる。
【００５８】
なお、上記実施形態ではトリミング回路２７内に不揮発性メモリ５６を設けているが、不揮発性メモリ５６の代りに、不揮発性メモリ１４を使用しても良く、上記実施形態に限定されない。
【符号の説明】
【００５９】
１０ 電池監視モジュール
１１ ＣＰＵ
１２ ＲＯＭ
１３ ＲＡＭ
１４ 不揮発性メモリ
１５ 通信インタフェース
１６ タイマ
２１ 発振回路
２２ 基準電圧回路
２３ 温度検出回路
２４ 電圧検出回路
２５ 電流検出回路
２６ 充放電保護回路
２７ トリミング回路
２８ ＡＤコンバータ
２９ パワーオンリセット回路
３０ リチウムイオン電池
３５ 電池パック
４０ 携帯機器
５１ 演算増幅器
５２ 定電圧源
５３ ３端子抵抗
５５ トリミングレジスタ
５６ 不揮発性メモリ
６０ 測定装置
６５ 通信回路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基準信号を出力する信号発生手段を有する半導体集積回路装置及びその温度補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リチウムイオン電池等の二次電池を用いた電池パックが携帯電話やデジタルカメラなどの携帯機器に搭載されている。リチウムイオン電池は、一般に、その電圧により電池残量を検出することが難しいとされている。このため、マイコンなどにより電池の充放電電流を検出し、検出した充放電電流を積算することにより、電池残量を測定する方法がとられている。
【０００３】
このようにして電池パックにおけるリチウムイオン電池の電池残量を測定する電池監視モジュールは、高精度Ａ／Ｄ変換回路などのアナログ回路と、計測した電流値を積算するＣＰＵやタイマなどのデジタル回路を１つの半導体集積回路装置に搭載している。
【０００４】
上記電池監視モジュールにはデジタル回路にクロックを供給する発振回路やアナログ回路に基準電圧を供給する基準電圧回路が設けられている。環境温度が変化すると、発振回路では発振周波数が変化し基準電圧回路では基準電圧が変化する。従来の電池監視モジュールでは発振回路や基準電圧回路の内部に個々に温度補正回路部を設ける設計を行って、発振回路や基準電圧回路それぞれの温度補正を行っている。
【０００５】
なお、発振手段の発振周波数・電源電圧特性を温度変動に追従して電源を制御することにより、発振回路の安定性向上と消費電流の一定化を実現しようとする技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６３−１６９８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電池監視モジュールのように、発振回路と基準電圧回路を１つの半導体集積回路装置に搭載する場合には、発振回路と基準電圧回路のそれぞれに温度補正回路部を設ける構成とすると、温度補正回路部を含む発振回路と温度補正回路部を含む基準電圧回路それぞれの設計に手間が掛り、発振回路と基準電圧回路それぞれの温度補正回路部が大型化するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施態様による温度補正方法は、
少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段（２１，２２）の出力する基準信号の値を測定し、測定した前記基準信号の値を目標値とするため前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを求め、
前記３つの温度で得た前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データから前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、前記各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段（５６）に格納し、
前記半導体集積回路の温度検出手段（２３）で検出した温度に応じて前記格納手段（５６）から前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に設定し、
前記信号発生手段（２１，２２）が出力する基準信号の温度補正を行う。
【００１０】
好ましくは、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定は、定期的に行う。
【００１１】
好ましくは、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定は、前記温度検出手段（２３）で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行う。
【００１２】
本発明の一実施態様による半導体集積回路装置は、
基準信号を出力する信号発生手段（２１，２２）を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号発生手段（２１，２２）の出力する基準信号の値を補正制御データに応じて変更する前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）と、
前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度で前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを温度と対応付けて格納した格納手段（５６）と、
前記半導体集積回路の環境温度を検出する温度検出手段（２３）と、
前記半導体集積回路の温度検出手段（２３）で検出した温度に応じて前記格納手段（５６）から前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）に設定する設定手段（１１）と、を有する。
【００１３】
好ましくは、前記設定手段（１１）は、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定を定期的に行う。
【００１４】
好ましくは、前記設定手段（１１）は、前記格納手段（５６）から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段（２１，２２）のトリミング手段（２７）への設定を前記温度検出手段（２３）で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行う。
【００１５】
好ましくは、前記信号発生手段は発振回路（２１）であり、前記基準信号の値は発振周波数である。
【００１６】
好ましくは、前記信号発生手段は基準電圧回路（２２）であり、前記基準信号の値は基準電圧である。
【００１７】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】電池パックの一実施形態の構成図である。
【図２】トリミング回路の一部の回路構成図である。
【図３】基準電圧回路の基準電圧・温度特性図である。
【図４】発振回路の発振周波数・温度特性図である。
【図５】制御データを登録する際の構成図である。
【図６】発振回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートである。
【図７】基準電圧回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートである。
【図８】発振周波数及び基準電圧の温度補正処理の一実施形態のフローチャートである。
【図９】電源オン時のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
＜電池パック＞
図１は、本発明の半導体集積回路装置である電池監視モジュールを適用した電池パックの一実施形態の構成図を示す。図１において、電池監視モジュール１０は、デジタル部とアナログ部とから大略構成されている。
【００２２】
デジタル部内には、ＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１４、通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、タイマ１６等が設けられている。上記のＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、不揮発性メモリ１４、通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）１５、タイマ１６は内部バスにて相互に接続されている。
【００２３】
また、アナログ部には、発振回路２１、基準電圧回路２２、温度検出回路２３、電圧検出回路２４、電流検出回路２５、充放電保護回路２６、トリミング回路２７、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）２８、パワーオンリセット回路２９等が設けられている。
【００２４】
電池監視モジュール１０は、リチウムイオン電池３０、電流検出用の抵抗Ｒ１、保護スイッチとしてのＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２と共に筐体に収納されて電池パック３５が構成されている。このリチウムイオン電池３０を接続した電池パック３５は、電池監視モジュール１０の端子１０ａ，１０ｂ，１０ｃにより携帯機器４０に接続され、電池パック３５より携帯機器４０に電源を供給する。
【００２５】
電池監視モジュール１０において、ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ１２に記憶されているプログラムを実行して電池監視モジュール１０全体を制御すると共に、温度補正処理、電圧算出処理、電流算出処理、電池の充放電電流を積算して電池残量を管理する処理、充放電制御処理等を実行する。この際にＲＡＭ１３が作業領域として使用される。また、不揮発性メモリ１４には電源オフ時にも保持する制御データ等が格納される。
【００２６】
通信インタフェース１５は端子１０ｃを介して携帯機器４０に接続され、ＣＰＵ１１と携帯機器４０のＣＰＵとの間で通信を行う。タイマ１６はシステムクロックをカウントし、そのカウント値はＣＰＵ１１に参照される。
【００２７】
信号発生手段としての発振回路２１はトリミング回路２７から制御電圧を供給されており、この制御電圧に応じて発振周波数を可変するＶＣＯ（電圧制御型発振器）を有している。発振回路２１はＶＣＯの発振周波数に基づくクロックを生成し基準信号としてＣＰＵ１１，ＡＤコンバータ２８等に供給すると共に、端子１０ｄより出力する。
【００２８】
信号発生手段としての基準電圧回路２２はトリミング回路２７から制御電圧を供給されており、基準電圧回路２２は制御電圧に応じて基準電圧を可変して出力する。この基準電圧は基準信号としてＡＤコンバータ２８等に供給されると共に、端子１０ｅより出力される。
【００２９】
温度検出回路２３は環境温度を検出してアナログの温度検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３０】
電圧検出回路２４は電池監視モジュール１０に外付けされているリチウムイオン電池３０の両端電圧を検出してアナログの電圧検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３１】
電流検出回路２５は電池監視モジュール１０に外付けされている電流検出用の抵抗Ｒ１の両端電圧を検出してアナログの電流検出信号をＡＤコンバータ２８に供給する。
【００３２】
ＡＤコンバータ２８はマルチプレクサを内蔵しており、アナログの温度検出信号、アナログの電圧検出信号、アナログの電流検出信号を順次選択してアナログ／デジタル変換を行い、温度検出信号、電圧検出信号、電流検出信号それぞれをデジタル化する。このアナログ／デジタル変換の際に基準電圧回路２２からの基準電圧が使用される。ＡＤコンバータ２８でデジタル化された温度検出値、電圧検出値、電流検出値それぞれはＣＰＵ１１に供給される。
【００３３】
パワーオンリセット回路２９はリチウムイオン電池３０から供給される電源が立ち上がったことを検出してリセット信号を発生し電池監視モジュール１０内の各回路部に供給する。
【００３４】
＜トリミング回路＞
図２は、トリミング回路２７の一部の回路構成図を示す。この回路は発振回路２１用の制御電圧を発生する回路と、基準電圧回路２２の制御電圧を発生する回路のいずれか一方を示している。
【００３５】
図２において、演算増幅器５１は反転入力端子に定電圧源５２から定電圧Ｖ１を供給されている。演算増幅器５１の非反転入力端子は３端子抵抗５３の中間端子に接続されている。演算増幅器５１の出力は端子５４から制御電圧として出力されると共に、３端子抵抗５３の一端に供給される。３端子抵抗５３の他端は定電位（例えば接地）とされている。
【００３６】
３端子抵抗５３はトリミングレジスタ５５から供給される補正制御データに応じて中間端子の接続位置（電圧取り出し位置）を変更することで３端子摺動抵抗として機能する。これにより、演算増幅器５１の出力端子から非反転入力端子に帰還される電圧が補正制御データに応じて変更され、端子５４からの出力電圧が変化する。
【００３７】
不揮発性メモリ５６には例えばアドレス０〜ｎに、値が徐々に大きくなる制御データが予め書き込まれている。また、不揮発性メモリ５６には環境温度に応じたアドレス（アドレスｎ以降）に補正制御データが書き込まれる。
【００３８】
不揮発性メモリ５６は端子５７を介してＣＰＵ１１から読み出しアドレスを供給され、これにより不揮発性メモリ５６から読み出された補正制御データがトリミングレジスタ５５に設定され、トリミングレジスタ５５から３端子抵抗５３に供給される。つまり、ＣＰＵ１１からの制御によって端子５４から出力される制御電圧が変化する。
【００３９】
＜温度特性＞
図３は、基準電圧回路２２の基準電圧・温度特性図を示す。基準電圧回路２２はトリミング回路２７から供給される制御電圧が一定であれば、環境温度が１０°Ｃ付近で最大値となり、環境温度が１０°Ｃから低下するほど基準電圧が低下すると共に、環境温度が１０°Ｃから上昇するほど基準電圧が低下する、実線に示すような温度特性を有している。
【００４０】
また、図４は、発振回路２１の発振周波数・温度特性図を示す。発振回路２１はトリミング回路２７から供給される制御電圧が一定であれば、環境温度が低下するほど発振周波数が高くなり、環境温度が上昇するほど発振周波数が低くなる、実線に示すような温度特性を有している。
【００４１】
＜制御電圧登録工程＞
図５は、電池パック３５の製造工程でトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６に補正制御データを登録する際の構成図を示す。図５において、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図５において、測定装置６０は信号周波数を測定する機能と信号電圧を測定する機能を有している。測定装置６０は電池監視モジュール１０の端子１０ｄ，１０ｅと接続され、また、測定装置６０と通信回路６５は通信線６１にて接続される。
【００４２】
電池監視モジュール１０の端子１０ｄから出力されるクロックが測定装置６０に供給され、また、電池監視モジュール１０の端子１０ｅから出力される基準電圧が測定装置６０に供給される。測定装置６０が出力する制御の指示は通信回路６５を介して電池監視モジュール１０の通信インタフェース１５に供給される。また、リチウムイオン電池３０の代りに電源６６が接続される。
【００４３】
＜発振回路用制御電圧登録＞
図６は、発振回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電池監視モジュール１０の環境温度をｎ回（ｎは３以上の数であり、環境温度は例えば−４０°Ｃ，０°Ｃ，＋８０°Ｃ）変更する。
【００４４】
図６において、ステップＳ１１で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に発振周波数を制御するトリミングレジスタ５５に対して初期値を設定する。次に、ステップＳ１２〜Ｓ１３で、環境温度が測定温度と一致するまで待ち、ステップＳ１４で測定装置６０は端子１０ｄから供給される発振回路２１出力の発振周波数を測定し、ステップＳ１５で図４に一点鎖線で示す目標値と比較して両者が一致するか否かを判別する。発振周波数が目標値と不一致であればステップＳ１６で発振周波数を目標値とする方向と周波数の差分を含む変更指示をＣＰＵ１１に供給する。これにより、ＣＰＵ１１は変更指示に応じた値をトリミングレジスタ５５に設定し、トリミング回路２７から発振回路２１に変更された制御電圧が供給される。ステップＳ１６を実行するとステップＳ１４に進む。
【００４５】
上記のステップＳ１４〜Ｓ１６を繰り返すことにより発振周波数は目標値と一致する。発振周波数が目標値と一致すると、ステップＳ１５からステップＳ１７に進む。ステップＳ１７で測定装置６０はＣＰＵ１１に対して、この時点でトリミングレジスタ５５に設定されている制御データを発振回路２１用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスに補正制御データとして書き込む指示を行う。
【００４６】
次に、ステップＳ１８で環境温度をｎ回変更したか否かを判別し、まだ環境温度をｎ回変更していなければステップＳ１９で環境温度を変更してステップＳ１３に進み、上記のステップＳ１３〜Ｓ１９を繰り返す。既に環境温度をｎ回変更していればステップＳ２０に進む。
【００４７】
ステップＳ２０で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に設定処理を指示する。ＣＰＵ１１は発振回路２１用の不揮発性メモリ５６に記憶されている３以上の環境温度に対する補正制御データから、電池監視モジュール１０の使用温度範囲（例えばー４０°Ｃ〜＋１２０°Ｃ）における図４に一点鎖線で示す各環境温度で発振周波数を目標値とする補正制御データを近似的に算出し、算出した各温度の補正制御データを発振回路２１用の不揮発性メモリ５６の各環境温度に応じたアドレスに書き込んで、この処理を終了する。
【００４８】
＜基準電圧回路用制御電圧登録＞
図７は、基準電圧回路用制御電圧登録処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電池監視モジュール１０の環境温度をｎ回（ｎは３以上の数であり、環境温度は例えば−４０°Ｃ，０°Ｃ，＋８０°Ｃ）変更する。
【００４９】
図７において、ステップＳ２１で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に基準電圧を制御するトリミングレジスタ５５に対して初期値を設定する。次に、ステップＳ２２〜Ｓ２３で、環境温度が測定温度と一致するまで待ち、ステップＳ２４で測定装置６０は端子１０ｅから供給される基準電圧を測定し、ステップＳ２５で図３に一点鎖線で示す目標値と比較して両者が一致するか否かを判別する。基準電圧が目標値と不一致であればステップＳ２６で基準電圧を目標値とする方向と電圧の差分を含む変更指示をＣＰＵ１１に供給する。これにより、ＣＰＵ１１は変更指示に応じた値をトリミングレジスタ５５に設定し、トリミング回路２７から基準電圧回路２２に変更された制御電圧が供給される。ステップＳ２６を実行するとステップＳ２４に進む。
【００５０】
上記のステップＳ２４〜Ｓ２６を繰り返すことにより基準電圧は目標値と一致する。基準電圧が目標値と一致すると、ステップＳ２５からステップＳ２７に進む。ステップＳ２７で測定装置６０はＣＰＵ１１に対して、この時点でトリミングレジスタ５５に設定されている制御データを基準電圧回路２２用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスに補正制御データとして書き込む指示を行う。
【００５１】
次に、ステップＳ２８で環境温度をｎ回変更したか否かを判別し、まだ環境温度をｎ回変更していなければステップＳ２９で環境温度を変更してステップＳ２３に進み、上記のステップＳ２３〜Ｓ２９を繰り返す。既に環境温度をｎ回変更していればステップＳ３０に進む。
【００５２】
ステップＳ２０で測定装置６０は通信回路６５及び通信インタフェース１５を介してＣＰＵ１１に設定処理を指示する。ＣＰＵ１１は基準電圧回路２２用の不揮発性メモリ５６に記憶されている３以上の環境温度に対する補正制御データから、電池監視モジュール１０の使用温度範囲（例えばー４０°Ｃ〜＋１２０°Ｃ）における図３に一点鎖線で示す各環境温度で基準電圧を目標値とする補正制御データを近似的に算出し、算出した各温度の補正制御データを基準電圧回路２２用の不揮発性メモリ５６の各環境温度に応じたアドレスに書き込んで、この処理を終了する。
【００５３】
＜温度補正＞
図８は、発振周波数及び基準電圧の温度補正処理の一実施形態のフローチャートを示す。この処理は電源オン時、一定周期（例えば数分）、又は、温度検出回路２３の温度検出値が予め設定された閾値を超えて変化したときに実行される。
【００５４】
図８において、ステップＳ３１でＣＰＵ１１は温度検出回路２３で検出しＡＤコンバータ２８から供給される温度検出値を読み取る。ステップＳ３２でＣＰＵ１１は発振回路２１用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスから補正制御データを読み出して発振回路２１用のトリミング回路２７のトリミングレジスタ５５に設定する。
【００５５】
ステップＳ３３でＣＰＵ１１は基準電圧回路２２用のトリミング回路２７の不揮発性メモリ５６の当該温度検出値に応じたアドレスから補正制御データを読み出して基準電圧回路２２用のトリミング回路２７のトリミングレジスタ５５に設定する。これによって、発振回路２１の出力する発振周波数は温度補正された所定値となり、基準電圧回路２２の出力する基準電圧は温度補正された所定値となる。
【００５６】
＜電源オン時の動作＞
図９に電源オン時のタイミングチャートを示す。図９（Ａ）に示す電源がオンする。これにより、パワーオンリセット回路２９はハイレベルでリセット、ローレベルでリセット解除を指示する図９（Ｂ）に示すリセット信号を生成して電池監視モジュール１０の各回路部に供給する。また、電源オンにより発振回路２１は発振を開始して図９（Ｃ）に示すクロックを出力する。
【００５７】
リセット解除により、タイマ１６は発振回路２１の出力クロックを用いて図９（Ｃ）に示す発振安定期間をカウントする。ＣＰＵ１１は上記発振安定期間をタイマ１６から通知されて、この発振安定期間後に図８の処理を実行する。これによって、電源オンから僅かな時間で発振回路２１の出力する発振周波数は温度補正された所定値となり、基準電圧回路２２の出力する基準電圧は温度補正された所定値となる。
【００５８】
なお、上記実施形態ではトリミング回路２７内に不揮発性メモリ５６を設けているが、不揮発性メモリ５６の代りに、不揮発性メモリ１４を使用しても良く、上記実施形態に限定されない。
【符号の説明】
【００５９】
１０ 電池監視モジュール
１１ ＣＰＵ
１２ ＲＯＭ
１３ ＲＡＭ
１４ 不揮発性メモリ
１５ 通信インタフェース
１６ タイマ
２１ 発振回路
２２ 基準電圧回路
２３ 温度検出回路
２４ 電圧検出回路
２５ 電流検出回路
２６ 充放電保護回路
２７ トリミング回路
２８ ＡＤコンバータ
２９ パワーオンリセット回路
３０ リチウムイオン電池
３５ 電池パック
４０ 携帯機器
５１ 演算増幅器
５２ 定電圧源
５３ ３端子抵抗
５５ トリミングレジスタ
５６ 不揮発性メモリ
６０ 測定装置
６５ 通信回路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段の出力する基準信号の値を測定し、測定した前記基準信号の値を目標値とするため前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、
前記３つの温度で得た前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、前記各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段に格納し、
前記半導体集積回路の温度検出手段で検出した温度に応じて前記格納手段から前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段のトリミング手段に設定し、
前記信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行うことを特徴とする半導体集積回路の温度補正方法。
【請求項２】
請求項１記載の温度補正方法において、
前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定は、定期的に行うことを特徴とする温度補正方法。
【請求項３】
請求項１記載の温度補正方法において、
前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定は、前記温度検出手段で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行うことを特徴とする温度補正方法。
【請求項４】
基準信号を出力する信号発生手段を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号発生手段の出力する基準信号の値を補正制御データに応じて変更する前記信号発生手段のトリミング手段と、
前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度で前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを温度と対応付けて格納した格納手段と、
前記半導体集積回路の環境温度を検出する温度検出手段と、
前記半導体集積回路の温度検出手段で検出した温度に応じて前記格納手段から前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段のトリミング手段に設定する設定手段と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記設定手段は、前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定を定期的に行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記設定手段は、前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定を前記温度検出手段で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項５又は６記載の半導体集積回路装置において、
前記信号発生手段は発振回路であり、前記基準信号の値は発振周波数であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項５又は６記載の半導体集積回路装置において、
前記信号発生手段は基準電圧回路であり、前記基準信号の値は基準電圧であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１】
少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段の出力する基準信号の値を測定し、測定した前記基準信号の値を目標値とするため前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、
前記３つの温度で得た前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、前記各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段に格納し、
前記半導体集積回路の温度検出手段で検出した温度に応じて前記格納手段から前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段のトリミング手段に設定し、
前記信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行うことを特徴とする半導体集積回路の温度補正方法。
【請求項２】
請求項１記載の温度補正方法において、
前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定は、定期的に行うことを特徴とする温度補正方法。
【請求項３】
請求項１記載の温度補正方法において、
前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定は、前記温度検出手段で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行うことを特徴とする温度補正方法。
【請求項４】
基準信号を出力する信号発生手段を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号発生手段の出力する基準信号の値を補正制御データに応じて変更する前記信号発生手段のトリミング手段と、
前記半導体集積回路の使用温度範囲における各温度で前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを温度と対応付けて格納した格納手段と、
前記半導体集積回路の環境温度を検出する温度検出手段と、
前記半導体集積回路の温度検出手段で検出した温度に応じて前記格納手段から前記信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して前記信号発生手段のトリミング手段に設定する設定手段と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記設定手段は、前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定を定期的に行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記設定手段は、前記格納手段から読み出した前記補正制御データの前記信号発生手段のトリミング手段への設定を前記温度検出手段で検出した温度が閾値を超えて変化したときに行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項５又は６記載の半導体集積回路装置において、
前記信号発生手段は発振回路であり、前記基準信号の値は発振周波数であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項５又は６記載の半導体集積回路装置において、
前記信号発生手段は基準電圧回路であり、前記基準信号の値は基準電圧であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１６６４３９（Ｐ２０１１−１６６４３９Ａ）
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２６７５２（Ｐ２０１０−２６７５２）
【出願日】平成２２年２月９日（２０１０．２．９）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月９日（２０１０．２．９）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
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