【課題】回路構成の簡素化を図るとともに、遅延回路の遅延時間のばらつき等に起因して生じる問題点を解消し、コンパレータの動作を保証する２逓倍器を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】入力クロック信号ＣＬＫを可変遅延器１６で遅延させた遅延クロック信号ＣＬＫＤと、前記入力クロック信号の位相を位相比較器１８で比較することで前記入力クロック信号ＣＬＫの周波数を２逓倍した２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２を生成する２逓倍器２０と、前記２逓倍器２０からの２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２が第１の論理レベルのとき入力信号の大小の比較動作を行い、前記２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２が第２の論理レベルのとき、比較動作を停止するコンパレータ１０と、前記コンパレータ１０の出力をモニタし、前記コンパレータ１０が比較結果を出力したことを検出した時点でトリガ信号ＤＬＣＬＫを生成する第１の回路１２、１４を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成でありながらも動的で高分解能の電圧制御可能な半導体集積回路、電子機器及びマルチチップ半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】電子機器１００は、電源ＩＣ１１０と、電源ＩＣ１１０から出力される電源電圧Ｖｓｒｃで動作するＳｏＣ＃０〜２とを備える。ＳｏＣ＃０〜２は、三次元実装されたマルチチップ半導体パッケージに搭載される。ＳｏＣ＃０〜２は、第３の端子１２３から入力されるアナログ制御信号の電位と、内部配線１２４の電位とに基づいて、第２の端子１２２から出力するアナログ制御信号を生成する電位制御回路１２５と、電源フィードバック（ＦＢ）電圧入力端子である第２の端子１２２及び第３の端子１２３と、を備える。ＳｏＣ＃０〜２は、ＦＢ出力端子ＦＢ_out／ＦＢ入力端子ＦＢ_inをカスケード接続し、最終段のＳｏＣ＃０のＦＢ出力を電源ＩＣ１１０に接続している。 （もっと読む）

【課題】変換精度が高いアナログ／デジタル変換器を提供する。
【解決手段】アナログ／デジタル変換器は、電圧生成部と複数の比較器とを備える。電圧生成部は、基準電圧を、複数の抵抗器で分圧して複数の比較用電圧を生成する。各比較器は、複数の比較用電圧のうちの何れかの比較用電圧とアナログの入力電圧との比較結果に応じたデジタル信号を出力する。各比較器は、２つの入力の電位差を検出する差動対回路を含む。差動対回路は、第１回路部５０と第２回路部６０とを有する。第１回路部は、第１入力トランジスタ５１と、第１入力トランジスタと直列に接続される抵抗器Ｒｒｅｆとを含む。第２回路部は、第１入力トランジスタと差動対を形成する第２入力トランジスタ６１と、第２入力トランジスタと直列に接続される可変抵抗器Ｒｖとを含む。可変抵抗器は、直列に接続されるとともに、制御信号に応じて各々の抵抗値が可変に設定される複数の可変抵抗素子を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を、より小型化することができる半導体装置、当該半導体素子、及び基板を得る。
【解決手段】半導体素子１２は、階調電圧を出力する半導体素子内部出力部３０Ｃ，３０Ｄ（第１及び第２の階調電圧出力部）と、半導体素子内部出力部３０Ｃの周辺に配置され、半導体素子内部出力部３０Ｃに電源を供給する第１の電源端子電極５２ａと、半導体素子内部出力部３０Ｄの周辺に配置され、半導体素子内部出力部３０Ｄに電源を供給する第２の電源端子電極５２ａと、を備え、基板１８は、半導体素子内部出力部３０Ｃ，３０Ｄの両方に共通して接続され、半導体素子１２の下側に設けられた共通接続部９４（第１の配線パターン）と、共通接続部９４と外部入力端子（２２）とを電気的に接続するインピーダンス調整部９６（第２の配線パターン）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レベル変換回路のレイアウト面積の縮小を図る。
【解決手段】半導体集積回路装置（１０）は、レベル変換回路（１４）と、Ｄ／Ａ変換回路（１２）とを備える。このとき、パラレル形式のデジタル信号をシリアル形式に変換して上記レベル変換回路に供給するためのパラレル・シリアル変換回路（１５）と、上記レベル変換回路の出力をパラレル形式のデジタル信号に変換して上記Ｄ／Ａ変換回路に供給するためのシリアル・パラレル変換回路（１３）とを設ける。上記レベル変換回路は、シリアル形式のデジタル信号に対応するレベル変換機能を備えていれば良く、パラレル形式のデジタル信号に対応させる場合に比べて、レベル変換回路のレイアウト面積を縮小することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗Ｒと抵抗２Ｒとの抵抗比を１：２に近付けることにより、Ｄ／Ａ変換精度の悪化を抑制することを可能にするＲ−２Ｒラダー抵抗回路、そのＲ−２Ｒラダー抵抗回路を備えるＤ／Ａ変換器及びＲ−２Ｒラダー抵抗回路の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるＲ−２Ｒラダー抵抗回路１０は、１ビットに対応する抵抗値Ｒの第１抵抗及び抵抗値２Ｒの第２抵抗を備える。第１抵抗及び第２抵抗は、１列に並んでいる複数の単位抵抗により構成される。Ｒ−２Ｒラダー抵抗回路１０は、前記複数の単位抵抗が並設されて構成されており、第１抵抗に含まれる単位抵抗１３１がＲ−２Ｒラダー抵抗回路１０の一端に配置され、単位抵抗１３１と第１抵抗に含まれる単位抵抗１３２との間に第２抵抗に含まれる単位抵抗１２１〜１２４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルなアナログデバイスを提供する。また、電源電位の供給が遮断されたときでもデータの保持が可能で、且つ、低消費電力化が可能なアナログデバイスを提供する。
【解決手段】アナログ素子を含むユニットセルにおいて、ユニットセルのスイッチとして、第１乃至第４のトランジスタを用い、第１のトランジスタと第２のトランジスタとが接続された第１のノード、及び、第３のトランジスタと第４のトランジスタが接続された第２のノードの電位を制御することで、ユニットセルの出力を導通状態、非導通状態、又はアナログ素子を介した導通状態のいずれかに切り替える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＤ製造プロセスと同じ工程で大受光径ＰＤの帯域を拡大して、光受信部の高速化を図る。
【解決手段】 受光デバイスは、半導体基板の上方に形成された第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層上の光吸収層、および前記光吸収層上の第２導電型の第２半導体層の積層構造を有する光検出素子と、前記半導体基板の上方で、前記光検出素子に接続されるインダクタと、前記光検出素子で生成された電流を前記インダクタを介して取り出す出力電極と、前記光検出素子にバイアス電極を印加するバイアス印加用電極と、前記インタダクタの金属配線と交差して、前記光検出素子と、前記出力電極又は前記バイアス印加用電極との間を電気的に接続する交差配線と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上の半導体チップのアナログ特性の測定を精度良く行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ１の被測定部３は半導体素子３ａ、回路３ｂである。被測定部３のアナログ特性を測定する測定回路４を設けている。測定回路４は、外部電源からプローブ針Ｐａ、Ｐｂを介して給電され、内部で測定用印加電圧を生成し、配線パターン５を介して被測定部３に印加する。測定回路４は、被測定部３の出力を配線パターン５から入力し、デジタルデータに変換する。測定回路４と配線パターン７を介して半導体チップ２の不揮発性メモリ６に接続され、デジタルデータが転送記憶される。一連の測定が終了した後に、不揮発性メモリ６からデジタルデータを取り出す。プローブ針の接触抵抗や浮遊容量の影響を低減して精度良いアナログ特性の測定ができる。 （もっと読む）

【課題】電源端子または接地端子の接続不良を容易に検出する。
【解決手段】半導体装置の電源端子ＴＣと第１の入出力端子Ｔ１との間には、電源端子ＴＣがカソード側となり、第１の入出力端子Ｔ１がアノード側となるようにダイオードＤ１１が設けられる。判定部１０Ａは、電源電圧Ｖｃｃに等しいハイレベルの信号が第１の入出力端子Ｔ１に入力されたとき、電源端子ＴＣの電圧が第１の入出力端子Ｔ１の電圧よりも低いか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を大きくすることなく、差動対を高速/高消費電流と、低速/低消費電流の両方で動作させることができるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】差動回路５ａは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２と、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流量が少なくとも２つのレベルで切替わるように、切替可能なテール電流を供給するテール電流源６８とを備える。差動対トランジスタＮ１，Ｎ２は、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２に流れる電流の減少に伴って、σ(ΔI/gm)の値が単調に減少する特性を有する、ただし、σは標準偏差、ΔＩは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２の電流量の差分、ｇｍは、差動対トランジスタＮ１，Ｎ２のトランスコンダクタンスを表わす。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの電極として機能する配線の延伸方向への電流供給を容易とすること。
【解決手段】第１金属層１２と、前記第１金属層の膜厚方向に離間して設けられ、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列された複数の孔３６を備えた第２金属層１４と、前記第２金属層の膜厚方向で前記第１金属層とは反対側に離間して設けられ、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に延伸し、第１配線と第２配線とが交互に設けられた複数の第１配線１６ａおよび複数の第２配線１６ｂと、前記複数の第１配線と前記複数の第２配線との間に設けられた誘電体膜２６と、前記複数の第１配線を、それぞれ前記複数の孔を通過し前記第１金属層に電気的に接続する複数の第１ビア配線３２と、前記複数の第２配線を、それぞれ前記第２金属層に電気的に接続する複数の第２ビア配線３４と、を具備するキャパシタ。 （もっと読む）

【課題】温度検出回路と絶縁素子とを同一の基板上に形成できるようにし、装置全体の小型化を容易にする温度検出装置を提供する。
【解決手段】温度検出回路２００は、温度センサ３５で検出された温度をデジタル値に変換するＡＤ変換回路４４とデジタル比較回路４５を備えている。デジタル比較回路４５の出力は、第１パルス発生器５２、第２パルス発生器５３を経由して絶縁トランス回路１０１に入力される。絶縁トランス回路１０１で発生する誘導電流によりパルス信号が信号復調回路１０２に伝達される。また、温度センサ３５で検出された温度が限界温度を越えたときにコンパレータ４９からパルス信号が生成され、同様に、信号復調回路１０２に伝達される。 （もっと読む）

【課題】無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】抵抗素子層１３は、抵抗値変化係数Ｋ１，Ｋ２によって、正極領域である領域１３Ａと負極領域である領域１３Ｂとに分かれている。基準位置ｏから領域１３Ａの中心位置ａ又は領域１３Ｂの中心位置ｂまでの間の抵抗値を量とする指標値ｒ１，ｒ２と、当該抵抗値Ｒ１，Ｒ２と、抵抗値変化係数Ｋ１，Ｋ２との積の総和が零になるように形成される。つまり、領域１３Ａの抵抗値変化成分ｄＲ１と領域１３Ｂの抵抗値変化成分ｄＲ２とを相殺して、抵抗素子層１３の抵抗値が変化してしまうのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】内蔵された回路の状態を確認する機能を備えた半導体集積回路を更に小型化することができる技術を提供
【解決手段】半導体集積回路１では、コアＬＳＩ１１と周辺ＬＳＩ１２との間の内部配線ＷＩが異常であると判定回路１５が判定すると、判定回路１５は、リングオシレータ１６Ａを発振させることを指示する情報（第１発振指示情報）をリングオシレータ制御部１７へ出力する。そしてリングオシレータ制御部１７が第１発振指示情報を取得すると、リングオシレータ制御部１７が、発振周波数ｆ１で発振するように構成されたリングオシレータ１６Ａを発振させる。そして、半導体集積回路１内で発生している磁界を近磁界プローブで測定し、発振周波数ｆ１で大きさが変動する磁界を検出した場合に、リングオシレータ１６Ａが動作していると判断することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を確保する。
【解決手段】基板と、基板に埋め込まれ、複数の開口部を有する絶縁膜と、複数の開口部内に位置する基板に設けられた複数のダミー拡散層２０と、抵抗素子形成領域４０において、平面視でダミー拡散層２０と重ならないように絶縁膜上に設けられ、かつ第１方向に延伸する複数の抵抗素子１０と、抵抗素子形成領域４０において、絶縁膜上およびダミー拡散層２０上に設けられ、かつ第１方向に延伸する複数のダミー抵抗素子１２と、を備え、ダミー抵抗素子１２は、平面視で、第１方向と基板に水平な面内において垂直な第２方向に並ぶ少なくとも二つのダミー拡散層２０と重なっている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の小型化を実現する。
【解決手段】 第１の絶縁膜上に、島状の半導体層及び前記半導体層を囲む第２の絶縁膜を形成し、前記半導体層の上面と平面的に重なるようにして導電膜からなる抵抗素子（例えばポリシリコン抵抗素子）を配置する。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズによるデジタル信号の取込エラーを低減すること。
【解決手段】パルス制御信号に応じてスイッチング動作を行なうスイッチング回路１２０と、デジタル信号を取り込むデジタル信号保持回路１１１と、を備え、デジタル信号保持回路１１１は、スイッチング動作による電源ノイズの発生期間におけるデジタル信号の取り込みを回避するためのマスク信号をパルス制御信号から生成するマスク信号生成回路１１４を含み、電源ノイズの発生期間にはデジタル信号を取り込まず、電源ノイズの非発生期間に前記デジタル信号を取り込む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電圧生成回路を備えた半導体装置において、電圧生成回路の電荷供給能力が十分でない場合であってもチャージシェアを引き起こすことなく、電圧生成回路の出力電圧を従来よりも高精度に検出できるようにする。
【解決手段】半導体装置１は、電圧生成回路１１と、第１のスイッチＳＷ２と、充電回路２０とを備える。電圧生成回路１１は、電圧を生成して出力し、生成する電圧の大きさを調整する機能を有する。第１のスイッチＳＷ２は、オン状態のときに互いに導通する第１および第２の導通端子を有し、第１の導通端子が電圧生成回路１１の出力ノードと配線を介して接続される。充電回路２０は、第１のスイッチＳＷ２の第２の導通端子に接続された配線を充電する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を極力抑制することで電源の安定化を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】ロジック部１１、メモリ部１２、ロジック部とメモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部１３、検出部の検出結果に基づきロジック部及びメモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部１４を有する半導体装置である。ロジック部とメモリ部の各々は複数のトランジスタを有しており、複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第１のゲート電極と、しきい値制御信号が入力される第２のゲート電極と、半導体膜とを有する。 （もっと読む）