【課題】 ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、温度変動に伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得る。
【解決手段】 高周波信号を減衰させる可変減衰器と、半導体のバンドギャップに基づき温度比例電流及び温度固定電流を出力するバンドギャップリファレンス電流源回路と、前記温度比例電流及び前記温度固定電流を入力とし、温度に対して所定の傾きで変化する電圧を出力する可変減衰器制御電圧生成回路とを備え、前記可変減衰器制御電圧生成回路の出力電圧で前記可変減衰器の減衰量を制御する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路３２を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器１１に供給するトランジスタＱ５、基準電圧Ｖｒｅｆに応じた電流を流すトランジスタＱ３、トランジスタＱ３に流れる電流に応じてトランジスタＱ５のベース電流を補正することによりトランジスタＱ５の温度特性を補償するトランジスタＱ２、及びトランジスタＱ５のベースに接続され制御電圧Ｖｃｃの切り替えに応じてトランジスタＱ５のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部（トランジスタＱ４、Ｑ６、及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０）で構成する。増幅器１１は、バイアス回路３２から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】温度補正を行なわなくても、逆対数変換した際に得られる出力信号が線形性を保つことができる対数／逆対数変換回路を提供する。
【解決手段】対数変換回路１の電流帰還用トランジスタＴＲ２を通過した電流信号Ｉｉｎを逆対数変換回路２に入力し、電流／電圧変換回路３でこの電流信号Ｉｉｎをこれに対応した電圧値に変換した後、引算回路４で電流／電圧変換回路３の出力電圧と予め設定された基準電圧との差分を出力する構成とし、かつ引算回路４はその差分出力が電流信号Ｉｉｎに比例した線形性をもつように回路定数を設定している。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路の利得の温度依存性を抑制し、温度補償回路を有するバイアス回路を備えた電力増幅回路を提供する。
【解決手段】ドレインが高電位に接続され、ソースが接地された増幅用トランジスタを備え、ソースが接地され増幅用トランジスタＧＴｒのゲートにゲートが接続されたカレントミラートランジスタＣＭＴｒによって増幅用トランジスタのバイアス電流を制御する電力増幅回路であって、アノードが制御電源端子に接続された第１のダイオードＤ１と、アノードが第１のダイオードＤ１のカソードに結合され、カソードがカレントミラートランジスタＣＭＴｒのドレインに接続された第２のダイオードＤ２と、一方の端子が第２のダイオードＤ２のカソードに接続され他方の端子が接地された第１の抵抗素子Ｒ１と、第２のダイオードＤ２と並列接続された第２の抵抗素子Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】過熱検出回路の検出温度がばらつくことを抑制する。
【解決手段】コンパレータ１７０には、第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間の電圧Ａと、ダイオード１３０と第２定電流源１４０の間の電圧Ｂが入力される。第１リーク電流源１５０は、ドレインが第１抵抗１１０と第１定電流源１２０の間に接続されており、ソース及びゲート電極が第１定電流源１２０と第２配線１０４の間に接続されている。第２リーク電流源１６０は、ドレインが第１配線１０２とダイオード１３０の間に接続されており、ソース及びゲート電極がダイオード１３０と第２定電流源１４０の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で入力オフセット電圧の温度依存性が小さいセンサ信号処理装置を提供する。
【解決手段】センサ用電源として第１の電源電圧Ｖ´ｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２を出力するセンサ部１００と、信号処理用電源として第２の電源電圧Ｖｃｃを供給されて動作し、センサ出力Ｖｓ１、Ｖｓ２が入力される差動対を使用する差動増幅部を有して信号処理を行なう信号処理部２００と、を有してセンサ信号処理装置１を構成する。この第１の電源電圧Ｖ´ｃｃは、信号処理部２００の差動増幅部２５０の入力電圧範囲の下限領域に設定される。 （もっと読む）

【課題】ＥＸＣＩＴＥＲユニットの簡素化、コスト削減の実現を可能にする。
【解決手段】送信装置は、電力増幅部１３と、送出部１５と、冷却部２７と、温度検出手段１８１と、出力電力検出手段１８２と、冷却制御手段１８３とを備えている。電力増幅部１３は、伝送信号を電力増幅する。送出部１５は、電力増幅部１３の出力を伝送路へ送出する。冷却部１７は、電力増幅部１３を冷却する。温度検出手段１８１は、電力増幅部１３の温度を検出する。出力電力検出手段１８２は、電力増幅部１３の出力電力を検出する。冷却制御手段１８３は、温度検出手段１８１の検出結果及び出力電力検出手段１８２の検出結果に基づいて、冷却部１７の冷却処理を制御する。 （もっと読む）

【課題】 温度の影響を考慮し、増幅回路の半導体素子に流れる電流が過大であることを検出することができる電流検出回路を提供する。
【解決手段】 電流検出回路１は、温度検出部３による検出結果に応じて、正側閾値電圧を決定する正側閾値電圧生成部５と、温度検出部３による検出結果に応じて、負側閾値電圧を決定する負側閾値電圧生成部６と、正側信号と負側閾値電圧とを比較し、正側信号が負側閾値電圧以上である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力し、かつ、負側信号と正側閾値電圧とを比較し、負側信号が正側閾値電圧未満である場合にトランジスタに流れる電流が過大であることを示すハイレベルの信号を出力する比較部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＭ方式の増幅装置において、ＤＰＤを実行するために信号を補正するための独立した機能を増幅装置に組み込むことなく、信号の補正を行うことができるようにする。
【解決手段】入力信号を増幅する増幅装置５０１であって、増幅器５０２と、増幅器５０２の出力側に接続された負荷変動部５０３と、負荷変動部５０３における負荷を変動させて、増幅器５０２の出力信号に振幅変動を生じさせる負荷制御部５０４ｃと、を備えている。負荷制御部５０４ｃには、負荷変動部５０３における負荷の大きさに関し、入力信号の同一振幅に対して、任意に選択可能な複数の候補値が設定されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及び小さな静電容量を用いた回路により、検出素子の出力信号を直流成分を除いて増幅する小型な信号処理装置を得る。
【解決手段】 入力信号が第１のインピーダンスを介して反転入力端子に入力される第１のオペアンプと、第１のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第２のインピーダンスと、基準電圧が非反転入力端子に入力され、出力端子が第１のオペアンプの非反転入力端子に接続された第２のオペアンプと、第２のオペアンプの反転入力端子と出力端子とに接続された第１の静電容量と第１のスイッチと、第２のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と前記第２のオペアンプの反転端子とに接続された第３の抵抗と、第３のスイッチを介して第１のオペアンプの出力端子と第２のオペアンプの反転端子とに接続された第４の抵抗とを備えた。 （もっと読む）

【課題】感度温度特性調整回路において、センサの感度温度特性を調整した後にゲインを再調整する必要をなくす。
【解決手段】並列に接続された、複数の異なる温度特性を有する同値抵抗５、６のうち、オペアンプ２の帰還抵抗として用いる同値抵抗を切換スイッチＳａ、Ｓｂで選択的に切り換えることにより、感度温度特性調整回路１のゲイン温度特性を調整して、センサの感度温度特性を調整するようにした。これにより、センサの感度温度特性を調整した場合でも、この調整回路１内のオペアンプ２の基準温度における入力抵抗値Ｒ０と帰還抵抗値Ｒが変化しないので、基準温度における感度温度特性調整回路１のゲインの値が変化しない。従って、センサの感度温度特性の調整後に、感度温度特性調整回路１のゲインを調整する必要性を減じることができる。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】動作トランジスタのエミッタ電圧の温度依存性を抑制する。
【解決手段】動作トランジスタＱ８にベースには、バイアス電流Ｉｂが第１抵抗Ｒ３，Ｒ４、第１トランジスタＱ７を介し供給される。少なくとも１つのカレントミラー回路を含み、バイアス電流Ｉｂに応じた対応電流Ｉｂ’が第２トランジスタＱ３に流れる。第３トランジスタＱ２は、第１トランジスタとベースが共通接続され、対応電流Ｉｂ’を流し、第２抵抗Ｒ２は、前記第１抵抗Ｒ３における電圧降下に対応する電圧降下を得る。第４トランジスタＱ１はエミッタ側に基準電圧Ｖｒｅｆを受け、ベースが前記第３トランジスタＱ２のエミッタ側に接続される。動作トランジスタＱ８の１ＶＢＥを第４トランジスタＱ１の１ＶＢＥで相殺し、第２トランジスタＱ７の１ＶＢＥを前記第３トランジスタＱ２の１ＶＢＥで相殺することによって、基準電圧Ｖｒｅｆを動作トランジスタＱ８のエミッタ側に設定する。 （もっと読む）

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板と前記Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるＦＥＴ１０からなるパワーアンプ１１と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部１２と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部１４と、を具備する増幅回路 （もっと読む）

【課題】利得可変回路の出力振幅の温度依存性を低減する。
【解決手段】自動利得調整回路は、利得可変回路３の出力信号のピーク電圧を検出するピーク検出回路１０と、利得可変回路３の出力信号の平均値電圧を検出すると共に、平均値電圧に利得可変回路３の所望の出力振幅の１／２の電圧を加える平均値検出・出力振幅設定回路１１と、ピーク検出回路１０の出力電圧と平均値検出・出力振幅設定回路１１の出力電圧との差分を増幅して、増幅結果を利得制御信号として利得可変回路３の利得を制御する高利得アンプ１２とを備える。ピーク検出回路１０の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数と、平均値検出・出力振幅設定回路１１の入力端子から出力端子までの経路に挿入されるトランジスタのベース−エミッタ接合の数とは同一である。 （もっと読む）

【課題】中低出力動作時でも動作効率を十分に向上させることができる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅素子Ｔｒ１，Ｔｒ２のベースには入力信号が入力され、コレクタにはコレクタ電圧が印加され、エミッタは接地されている。バイアス回路Ｂｉａｓ１，Ｂｉａｓ２は、バイアス電流を増幅素子Ｔｒ１，Ｔｒ２のベースに供給する。バイアス回路Ｂｉａｓ１，Ｂｉａｓ２は、コレクタ電圧が所定の閾値より低くなるとバイアス電流を低減させるバイアス電流低減回路１２を有する。 （もっと読む）