【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第１の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】短絡保護のためのクランプ電圧の設定に基づいて、損失を抑制することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。これにより、クランプ電圧をその状況下でのミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒに対応する値に低く抑えることが可能となり、クランプ電圧をミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキの最大値、つまりすべての環境変化等を含めた最大値を考慮して設計する場合と比較して、クランプ電圧を小さく抑えられる。したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は素子のスイッチング特性を改善したゲート駆動回路に係り、素子のスイッチング特性を任意に決定でき、十分な短絡耐量と、定常損失の抑制ができるゲート駆動回路を提供することを目的とする。
【解決手段】パワースイッチング素子のゲートのオン動作を行うオン動作回路を備える。該オン動作回路は、該ゲートへの入力を第一所定値以下に保つ上限リミット部を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンネル毎に独立した駆動指令信号で誘導性負荷を駆動し、チャンネル数や駆動周波数にかかわらず各チャンネルのオフタイミングを自律的に調整する。
【解決手段】マスク信号生成回路３は、何れかのチャンネルの出力トランジスタＴｋがオフしたことを検出すると、当該オフした時点から、当該オフしたチャンネルの出力端子Ｐｋの電圧Ｖｋが所定のしきい値電圧Ｖｔｋ以下に低下する時点まで、他のオンしているチャンネルのマスク信号ＭａｎをＨレベルにし、当該オフ移行チャンネルおよび他のオフしているチャンネルのマスク信号ＭａｎをＬレベルのまま保持する。その結果、他のオンしているチャンネルの駆動指令信号ＳｎがＬレベルに変化しても、駆動信号ＤｎはＨレベルのまま保持され、出力トランジスタＴｎのオフ移行動作が禁止される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧検出レベルが温度変化による影響を受けることがなく，小規模で動作効率の高い電源電圧検出回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる電源電圧検出回路は，補償回路と信号回路の信号出力をオンオフ制御するスイッチング素子を具備する。この補償回路は，入力電圧端子で接続された第１抵抗と第２抵抗と，コレクタが第１抵抗の他方と接続され，エミッタが接地され，ベースがコレクタと接続される第１トランジスタと，コレクタが第２抵抗の他方と接続され，ベースが第１トランジスタのベースと接続され，エミッタが第３抵抗の一方と接続され，このエミッタの面積が第１トランジスタのエミッタに対し所定の比率を持つ第２トランジスタと，一方が第２トランジスタのエミッタと接続され，他方が接地し，スイッチング素子が切換る条件での第１抵抗と第２抵抗の電圧降下が適当な正の温度係数を持つ抵抗値に設定された第３抵抗とを具備する。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】常温環境のみで初期校正を行ない、実用温度環境においても正確な電流制御を行なう。
【解決手段】所定の温度特性を有する電流検出抵抗126の側近位置に温度センサ171を配置して、校正環境と実用環境における抵抗値を推定すると共に、目標負荷電流に対応した校正環境における実測負荷電流を制御特性データとして記憶し、目標負荷電流に対応した補正目標電流を算出し、電流検出抵抗の変動比率に基づく換算目標電流を電流制御の目標電流として制御する。温度センサ171では完全には検知できない電流検出抵抗126の発熱による抵抗変動分は、制御特性データの中で補正され、制御特性の線形性が改善される。 （もっと読む）

【課題】センサ装置の回路規模および製造コストを従来よりも抑制しつつ、負荷短絡保護機能を実現する。
【解決手段】センサ用出力ＩＣ１０は、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするための出力用トランジスタ１１を備える。センサ用出力ＩＣ１０は、センサ用出力ＩＣ１０内の温度が所定値以上になると、出力用トランジスタ１１をオフ状態に維持する温度制限回路１３と、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂを所定値以下に制限する電圧制限回路１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段２１，２２の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、３つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段５６に格納し、半導体集積回路の温度検出手段２３で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。 （もっと読む）

【課題】ユーザに対して異常が発生する前兆を事前に報知することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】検出回路１４にて、過電流の発生やその前兆および他の異常の発生を検出し、温度上昇に基づいて過電流の発生やその前兆を検出したり、実際に半導体スイッチング素子１２を通じて負荷３に流されている電流に基づいて過電流の発生やその前兆を検出すると共に、負荷３への電源電圧の印加の状態の異常、例えば負荷オープンと出力ＯＮ故障および出力ＯＦＦ故障の発生を検出する。そして、過電流の前兆が検出されると、前兆ダイアグ回路１８ｃにその旨を伝え、それに対応する前兆ダイアグ信号を発生させる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化を図り、経年変化の影響を受けることなく、スイッチング素子のジャンクション又はチャネルを熱的破壊から保護することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】縦型のＭＯＳＦＥＴからなる保護トランジスタ２０は、半導体基板２の一面にゲート電極２３及びソース電極２２を、他面にドレイン電極２１を形成してある。出力トランジスタ１０が形成された半導体基板１の一面に存するソース電極１２と、半導体基板２の一面とを導電性の接着剤６で接着して、ソース電極１２にソース電極２２及びゲート電極２３を電気的に接続し、熱的に密結合させる。出力トランジスタ１０のゲート電極１３は、リード線３２で保護トランジスタ２０のドレイン電極２１と接続する。高温の場合、保護トランジスタ２０は閾値が０Ｖ以下に低下してオンし、出力トランジスタ１０が遮断される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子の動作状態の情報を外部装置へ伝送するにあたって、情報の数を減らすことなく絶縁素子の使用個数を低減し、装置の小型化と低コスト化、及び、故障率の低減を実現する。
【解決手段】異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子（１ａ、１ｂ）を２個以上直列接続して構成された半導体電力変換装置（１００）であって、それぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、外部装置へ伝送する情報伝送回路部（４ｂ）を備え、情報伝送回路部（４ｂ）は、検知した状態検知情報に応じて、異常検出要因および所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した二値論理信号を単一の絶縁素子（７ｂ）を介して外部装置へ伝送する。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するスイッチング素子を適正な温度範囲で駆動させる技術を提供する。
【解決手段】通常制御状態では、ＭＣＳ２０は、電源電圧や指示値等に基づき、モータ６０の動作状態をＰＷＭ駆動、ＤＣ駆動及び出力停止に遷移させる。ＭＣＳ２０は、自己診断出力回路４０の出力や温度検出回路７０の出力のモニタリングの結果、異常が発生していると判断した場合、ＭＣＳ２０はモータ６０のモータ制御状態を、フェイルセーフ制御Ｉに遷移させる。ここで、ＰＷＭ駆動中であれば、ＭＣＳ２０は、温度検出回路７０の出力に基づいてＩＰＳ３０の温度を算出し、所定温度以上、例えば１１０度以上であると判断すると、モータの駆動態様をＰＷＭ駆動からＤＣ駆動へと遷移させる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を変更することなく、広い温度範囲でリーク電流を抑えて動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】しきい値電圧が第１電圧である第１トランジスタを含む高ＶＴ部７と、しきい値電圧が第１電圧よりも低い第２電圧である第２トランジスタを含む低ＶＴ部８と、温度を測定し、温度が所定の温度より高い高温状態であるか、温度が所定の温度よりも低い低温状態であるかを判定し、高温状態を示す信号又は低温状態を示す信号を出力する温度検知部６と、高温状態を示す信号、又は低温状態を示す信号を受信し、高温状態を示す信号に基づいて高ＶＴ部７を動作させ、低温状態を示す信号に基づいて低ＶＴ部８を動作させる制御を行う制御部９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】短絡保護回路の誤検知低減を図ることである。
【解決手段】バッテリから供給される直流電流を交流電流に変換する複数のスイッチング素子を有するパワーモジュールと、前記複数のスイッチング素子のスイッチング動作を制御するための駆動回路と、前記スイッチング素子の電流をセンスするための電流センス用スイッチング素子と、前記電流センス用スイッチング素子の電流をセンス電圧に変換するセンス抵抗と、前記センス電圧を入力して所定期間だけセンス電圧を出力する検知許可回路と、前記所定期間を調整するため前記スイッチング素子の駆動信号電圧を使って検知許可回路の閾値を調整する閾値調整回路と、前記所定期間に前記スイッチング素子を短絡保護する短絡保護回路を有する電力変換装置。 （もっと読む）