【課題】回路規模を低減しつつ任意の論理を実現可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路は、第１論理ブロックを少なくとも１つ含む第１回路群と、第１論理ブロックよりも多い数の第２論理ブロックを含む第２回路群と、入力データを第１論理ブロックまたは第２論理ブロックへ入力する機能、および、第１論理ブロックまたは第２論理ブロックから出力される出力データを外部へ出力する機能を有する入出力部とを含む。第１回路群は、第１スイッチブロックと、第１電源制御回路とを有する。第１電源制御回路は、第１回路群に含まれる第１論理ブロックおよび第１スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。第２回路群は、第２スイッチブロックと第２電源制御回路とを有する。第２電源制御回路は、第２回路群に含まれる論理ブロックおよび第２スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。 （もっと読む）

【課題】非導通状態におけるトランジスタから漏出するリーク電流を正確に測定することができるテスト回路を実現する。
【解決手段】遅延回路は、制御トランジスタ、測定対象トランジスタおよびコンデンサを備える。制御トランジスタは、入力端子の電位に応じて導通状態および非導通状態のうちのいずれかに移行することにより出力端子の電位を変化させる。チャネルの極性が前記制御トランジスタと同一の測定対象トランジスタは、電源とアースとの間において制御トランジスタに直列に接続される。コンデンサは、制御トランジスタが導通状態から非導通状態へ移行した場合に測定対象トランジスタから漏出したリーク電流の値に応じて出力端子の電位の変化を遅延させる。反転回路は、出力端子の電位を反転して前記入力端子に帰還させる。 （もっと読む）

【課題】性能のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された第１のスイッチング素子（高耐圧のトランジスタＱ１）および第２のスイッチング素子（抵抗素子Ｒ１および低耐圧のトランジスタＱ２）と、第２のスイッチング素子に並列接続された第３のスイッチング素子（低耐圧のトランジスタＱ３）とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、オン抵抗値の高い第１のスイッチング素子をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】電磁適合性（ＥＭＣ）の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有する半導体基板１０と、第１主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部３１と、第１主面上に形成されたロジック回路１２と、センサ部３１及びロジック回路１２上に形成され、電磁波を遮断するシールド層１４と、第２主面上に配置されたカラーフィルタ３７と、カラーフィルタ３７上に配置されたマイクロフィルタ３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを増大することなく、キャパシタの容量を増やすことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にメインブロック１１と周辺ブロック１２とが混載された半導体集積回路において、半導体基板１０上のメインブロック１１に形成され、第１のトレンチキャパシタを有するメイン回路と、半導体基板１０上の周辺ブロック１２に形成され、第２のトレンチキャパシタを有するアナログ回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路構成の簡素化を図るとともに、遅延回路の遅延時間のばらつき等に起因して生じる問題点を解消し、コンパレータの動作を保証する２逓倍器を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】入力クロック信号ＣＬＫを可変遅延器１６で遅延させた遅延クロック信号ＣＬＫＤと、前記入力クロック信号の位相を位相比較器１８で比較することで前記入力クロック信号ＣＬＫの周波数を２逓倍した２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２を生成する２逓倍器２０と、前記２逓倍器２０からの２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２が第１の論理レベルのとき入力信号の大小の比較動作を行い、前記２逓倍クロック信号ＣＬＫＸ２が第２の論理レベルのとき、比較動作を停止するコンパレータ１０と、前記コンパレータ１０の出力をモニタし、前記コンパレータ１０が比較結果を出力したことを検出した時点でトリガ信号ＤＬＣＬＫを生成する第１の回路１２、１４を備える。 （もっと読む）

【課題】フィードバックパスのバラツキの影響を最小限に抑え、クロックの位相の調整を高精度に行うことができるクロック分配回路を提供する。
【解決手段】クロック分配回路２１は、クロック信号を生成するクロック生成回路、前記クロック信号が分配されるクロック分配網２２、前記クロック分配網の分岐点Ｎ１を通じて分配されるクロック信号で動作する順序回路２６、を有する。クロック分配回路は更に、前記分岐点から分岐した前記クロック信号をフィードバック信号として入力し、該入力したフィードバック信号とリファレンスクロック信号とに基づいて、前記クロック信号を前記クロック分配網へ出力するクロック生成回路を有する。前記分岐点は、前記クロック分配網の順序回路の前段のクロックドライバ２５のうち、前記クロック生成回路の近傍にあるクロックドライバに設けられる。 （もっと読む）

【課題】突入電流を抑制できるとともに、チップ面積の増大を抑制することのできる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体集積回路装置は、ソースが入力電源線に接続され、ドレインが出力電源線に接続され、ゲートが第１制御線に接続された少なくとも１つの第１トランジスタと、ソースが前記入力電源線に接続され、ドレインが前記出力電源線に接続され、ゲートが第２制御線に接続された少なくとも１つの第２トランジスタと、前記第１制御線を駆動する第１バッファと、前記第１制御線を介して入力される制御信号を受け、前記第２制御線を駆動する第２バッファと、前記第１制御線を複数個に分割しかつこれらの分割された第１制御線間を接続するように設けられた複数のトランスファゲートと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発振周波数変動の許容範囲を任意に設定可能にする。
【解決手段】半導体装置（２１）は、トリミングレジスタ（１１）に保持されたトリミング値によって発振周波数が変更される発振器（１２）と、発振周波数を補正可能な補正回路（２０）とを含む。上記補正回路は、上限値を設定可能な上限値レジスタ（６）と、下限値を設定可能な下限値レジスタ（７）と、発振周波数を分周するための分周回路（１３）と、分周回路の出力をカウントするカウンタ（３）とを含む。さらに上記補正回路は、カウンタの出力を保持可能なバッファレジスタ（４）と、バッファレジスタの保持値が、上限値と下限値との間に入っているか否かを判別する比較器（５）と、その判別結果に基づいてトリミング値を補正するトリミング値補正制御回路（８）とを含む。ユーザは、上限値と下限値とによって、発振周波数変動の許容範囲を任意に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】静電破壊に対する耐性を向上させることが可能な集積回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路４は、増幅トランジスタＭ１が増幅を行えるようにバイアス電圧ＢＡ１を設定し、静電保護回路２は、増幅トランジスタＭ１にかかる電圧に基づいて、増幅トランジスタＭ１がオフするように増幅トランジスタＭ１のバイアス電圧ＢＡ１を設定し、切替回路３は、電源の供給状態に基づいて、増幅トランジスタＭ１のバイアス電圧ＢＡ１を切り替える。 （もっと読む）

【課題】分割抵抗回路で消費される消費電力を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、抵抗分割回路で抵抗分割された分割電圧を受けるための入力端子と、入力端子から供給される分割電圧と、所定の基準電圧と、の電圧差を検出する検出回路と、外部から入力信号を受けるための信号入力端子と、分割電圧と入力信号の電圧を比較するカレントミラー回路と、を備え、カレントミラー回路は、検出回路が検出した電位差に応じて、カレントミラー回路に入力される分割電圧を実効的に補正する電位補正回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サージ印加時における内部回路の誤動作を防止する。
【解決手段】半導体チップ（１０）は、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と、複数のパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）と電源ライン（１５、１６）との間に接続された複数の静電破壊保護素子（１１Ｈ、１１Ｌ、１２Ｈ、１２Ｌ）と、複数のパッドのうち少なくとも２つのパッド（Ｐ１１、Ｐ１２）に現れる印加電圧（Ｓ１１、Ｓ１２）が同一の論理レベルか否かを監視するサージ検出部（１３）と、サージ検出部（１３）の検出結果（Ｓ１３）に応じてその動作が許可／禁止される内部回路（１４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】エピ抵抗や抵抗チップを用いることなく、奇モードのループ発振を抑えること。
【解決手段】本発明は、金属層６０を形成する工程と、複数のＦＥＴそれぞれのゲートフィンガー１４を共通に接続するゲートバスライン２６のパターンのうち一部分を除いたパターンを有するめっき層６４と、一部分の領域を被覆する第２マスク層６６と、をマスクにして金属層６０をパターニングすることで、ゲートバスライン２６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時における第１導電型のトランジスタでの劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型のトランジスタを含み縦列接続された複数の回路と、複数の回路の其々の入力端子のうち他の回路と接続された接続入力端子と接続し接続入力端子の電圧を制御するための制御信号の活性化に応じて、接続入力端子に、該接続入力端子から電圧を受け付ける回路内の第１導電型のトランジスタを非導通状態とする第１の電圧を供給する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スキャン・テスト回路およびスキャン・テスト回路を使用して試験を受けるさらなる回路を備える集積回路を提供すること。
【解決手段】スキャン・テスト回路は、それぞれ別個のクロック領域に関連した複数のサブチェーンを有する少なくとも１つのスキャン・チェーン、および１つまたは複数のサブチェーンを選択的にバイパスするように構成されたクロック領域バイパス回路を備える。スキャン・チェーンは、スキャン・シフト・モードの動作において、サブチェーンを全部よりは少なく含む直列シフト・レジスタを形成するように構成可能であり、サブチェーンの少なくとも残りの１つが、スキャン・シフト・モードにおいて直列シフト・レジスタの部分でないように、クロック領域バイパス回路によりバイパスされる。特定のクロック領域に関連するスキャン・チェーンの部分を選択的にバイパスすることにより、クロック領域バイパス回路は、スキャン・テスト期間の試験時間と電力消費を減らす役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】高電圧信号を出力する回路を低耐圧トランジスタで構成しても、信頼性を向上させることのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力部１が、高電圧電源端子ＶＣＣＨと出力端子とＺの間に接続されＰＭＯＳトランジスタＰ１１、Ｐ１２と、接地電位端子ＧＮＤと出力端子Ｚとの間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ１１、Ｎ１２とを有し、低電圧入力信号ＩＮが入力されるプリバッファ部２が、ＰＭＯＳトランジスタＰ１１、ＮＭＯＳトランジスタＮ１１へ、ＶＣＣＨよりも小さい振幅のゲート電圧ＰＧ、ＮＧを出力する。ＰＭＯＳトランジスタＰ１２およびＮＭＯＳトランジスタＮ１２のゲート端子へＶＣＣＨよりも低い定電圧ＶＧが印加され、ＰＭＯＳトランジスタＰ１２の基板へＶＣＣＨよりも低い基板バイアス電圧ＶＢＰが印加され、ＮＭＯＳトランジスタＮ１２の基板へ接地電位よりも高い基板バイアス電圧ＶＢＮが印加される。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置において、Ｉ／Ｏセルの高さを低減すると同時に幅の増大を防ぐことでＩ／Ｏセルの占める領域の面積を削減すること。
【解決手段】レベルシフタ回路、Ｉ／Ｏロジック回路およびＩ／Ｏバッファ回路を含むＩ／Ｏセルがコア領域の周囲に配置された半導体集積回路装置であって、Ｉ／Ｏロジック回路が配置されたＩ／Ｏロジック領域、および、Ｉ／Ｏバッファ回路が配置されたＩ／Ｏバッファ領域は、Ｉ／Ｏセルに対するパッドが配置された領域と重なり合うとともに、コア領域の辺に平行な方向に互いに並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することが可能な半導体装置および電源供給方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、内部回路３に電源を供給する電源供給部４と、内部回路３の複数の場所における特性をモニタする複数のモニタ部１_１〜１_Ｎと、複数のモニタ部１_１〜１_Ｎから出力された信号Ｃ_１〜Ｃ_Ｎに基づき算出されたモニタ値Ｃ_ＡＶＥと、設定された比較値ＣＯＭＰとの比較結果に応じて電源供給部４を制御する制御部２と、を備える。制御部２は、複数のモニタ部１_１〜１_Ｎにおける特性のばらつきに応じて比較値ＣＯＭＰを設定する。 （もっと読む）