【課題】 半導体スイッチが故障することを抑制することのできるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】
電源装置１は、電流路内に配置されオン・オフ動作可能なメインＦＥＴ１３１と、メインＦＥＴ１３１にオン・オフ動作を行わせる制御部１９と、メインＦＥＴ１３１の温度を検出する第１サーミスタ１３４と、電流路内においてメインＦＥＴ１３１と並列に配置されオン・オフ動作可能なサブＦＥＴ１３２と、を備え、制御部１９は、メインＦＥＴ１３１の温度が所定温度を超えた場合に、オン・オフ動作を行わせるＦＥＴをメインＦＥＴ１３１からサブＦＥＴ１３２に切り替える。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＴ変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードＰＣＯＤＥ＜０：２＞，ＮＣＯＤＥ＜０：２＞の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードＥＭ＿ＰＣＯＤＥ＜０：１＞，ＥＭ＿ＮＣＯＤＥ＜０：１＞を生成するコード生成部３６０と、出力データＰ＿ＤＡＴＡ，Ｎ＿ＤＡＴＡを受信してデータ出力パッドＤＱに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部３１１〜３１３，３２１〜３２３と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部３１４〜３１５，３２４〜３２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光装置に含まれる発光素子の発光輝度を周囲の情報に応じて調節する表示シス
テムを提供する。
【解決手段】本発明において、センサー２０１１が周囲の情報を電気信号として検出し、
これをＣＰＵ２０１３は、あらかじめ設定しておいた比較データに基づきＥＬ素子の発光
輝度を補正するための補正信号に変換する。この補正信号が電圧可変器２０１０に入力さ
れることにより、電圧可変器２０１０が所定の補正電位をＥＬ素子に印加する。以上の表
示システムによりＥＬ素子２００３の発光輝度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第１の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】制御装置１３は、ＰＷＭ駆動信号のオン指令期間において、電流検出回路１４による検出電流と電源電圧検出回路１５による検出電源電圧を電圧方程式に適用してオン期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を算出する。これらの値から還流経路１２以外の経路の抵抗値とインダクタンス値を減算してオフ期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を求める。オフ指令期間において、オフ期間電流経路の抵抗値Ｒとインダクタンス値Ｌ、ダイオード７の順電圧Ｖｆおよび前回の計算で求めた前回電流値を電圧方程式に適用し、リニアソレノイド２に流れる負荷電流を順次算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】短絡保護のためのクランプ電圧の設定に基づいて、損失を抑制することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。これにより、クランプ電圧をその状況下でのミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒに対応する値に低く抑えることが可能となり、クランプ電圧をミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキの最大値、つまりすべての環境変化等を含めた最大値を考慮して設計する場合と比較して、クランプ電圧を小さく抑えられる。したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力アンプのスルーレートを、出力負荷変動があっても高精度に調整可能なスルーレート制御回路を提供すること。
【解決手段】制御時間設定回路がスルーレートを検出するタイミング信号を発生し、電圧比較回路が、出力アンプの出力信号と、上記のタイミング信号によるタイミングに応じた制御電圧との比較を行う。比較結果に応じて、出力アンプ制御回路が、出力アンプのバイアス電流を制御する。上記した処理を、スルーレート制御期間において複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】チャンネル毎に独立した駆動指令信号で誘導性負荷を駆動し、チャンネル数や駆動周波数にかかわらず各チャンネルのオフタイミングを自律的に調整する。
【解決手段】マスク信号生成回路３は、何れかのチャンネルの出力トランジスタＴｋがオフしたことを検出すると、当該オフした時点から、当該オフしたチャンネルの出力端子Ｐｋの電圧Ｖｋが所定のしきい値電圧Ｖｔｋ以下に低下する時点まで、他のオンしているチャンネルのマスク信号ＭａｎをＨレベルにし、当該オフ移行チャンネルおよび他のオフしているチャンネルのマスク信号ＭａｎをＬレベルのまま保持する。その結果、他のオンしているチャンネルの駆動指令信号ＳｎがＬレベルに変化しても、駆動信号ＤｎはＨレベルのまま保持され、出力トランジスタＴｎのオフ移行動作が禁止される。 （もっと読む）

【課題】駆動時に発生する熱を低減できるソレノイド駆動装置を提供する。
【解決手段】ソレノイド駆動装置１００において、第１リレー２０は、第１電源部３０とソレノイド４０との接続をオンまたはオフする。第２リレー２２は、第２電源部３２とソレノイド４０との接続をオンまたはオフする。統合ＩＣ１０は、第１リレー２０および第２リレー２２からのソレノイド４０への通電を切り替え、ソレノイド４０への通電を切り替える間、第１リレー２０および第２リレー２２のそれぞれの通電をともに所定時間オン状態にするよう制御する。第１トランジスタ６０は、第２電源部３２と第１リレー２０との接続をオンまたはオフする。第１リレー２０または第２リレー２２に不具合が生じた場合、統合ＩＣ１０は、第１トランジスタ６０または第２トランジスタ６２の一方をオンする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧検出レベルが温度変化による影響を受けることがなく，小規模で動作効率の高い電源電圧検出回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる電源電圧検出回路は，補償回路と信号回路の信号出力をオンオフ制御するスイッチング素子を具備する。この補償回路は，入力電圧端子で接続された第１抵抗と第２抵抗と，コレクタが第１抵抗の他方と接続され，エミッタが接地され，ベースがコレクタと接続される第１トランジスタと，コレクタが第２抵抗の他方と接続され，ベースが第１トランジスタのベースと接続され，エミッタが第３抵抗の一方と接続され，このエミッタの面積が第１トランジスタのエミッタに対し所定の比率を持つ第２トランジスタと，一方が第２トランジスタのエミッタと接続され，他方が接地し，スイッチング素子が切換る条件での第１抵抗と第２抵抗の電圧降下が適当な正の温度係数を持つ抵抗値に設定された第３抵抗とを具備する。 （もっと読む）

【課題】負荷と直列に電流検出用のトランジスタを介在させることなく、オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】オン指令期間では、センストランジスタ２３が負荷電流を検出する。オフ指令期間では、制御装置２５は、オン指令期間に取得した少なくとも２つの時点の検出電流値を用いることにより、既知の電源電圧ＶＢの下でリニアソレノイド２の時定数情報を算出し、その時定数情報と、オフ指令期間に移行する前に検出したオン指令期間の電流、電源電圧ＶＢなどに基づいて、オフ指令期間における負荷電流を演算する。コンパレータ２４は、オフ指令期間において出力電圧Ｖoutと基準電圧Ｖrefとを比較し、制御装置２５は、比較結果に基づいて還流ダイオード６のオープン故障を検出する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の温度特性に追随して高精度で電流レベル判定を行う。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１に一体に感温素子４が設けられ、ドレイン／ソース間電圧Ｖｄｓと温度検出信号Ｖｆを検出する。電圧Ｖｄｓは電圧検出部６に入力され、感温素子４の電圧Ｖｆは第１および第２の補正回路８、９に入力される。ＭＯＳＦＥＴ１のオン抵抗Ｒｏｎの温度特性を第１および第２の温度領域のそれぞれに対応した近似直線で近似し、傾きを変えるように補正回路８、９で演算処理する。予め設定された判定電流値をＲｏｎの温度特性を考慮して判定電圧生成部１１で判定電流に相当する判定電圧Ｖｄｓｒｅｆを生成する。これにより、比較器１３で判定電流以上の電流がＭＯＳＦＥＴ１に流れたか否かを精度よく判定できる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電流ＩＤが急激に増加し、電圧Ｖdsが増加する過渡期間であっても、ＦＥＴ（Ｔ１）の温度上昇量を忠実に示す信号を生成することが可能な負荷回路の保護装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）の両端に生じる電圧Ｖdsに比例する電流Ｉａを流す電流変換回路２１と、この電流Ｉａを通電するインピーダンス回路２２を備える。そして、ＦＥＴ（Ｔ１）の過渡熱抵抗の時間に対する変化を示す関数を過渡熱関数Ｒth（ｔ）としたとき、ＦＥＴ（Ｔ１）に、ゼロから階段状に増加する電流を通電した際に、インピーダンス回路２２の点Ｐ２に生じる電圧Ｖ５が、過渡熱関数Ｒth（ｔ）の平方根に比例した電圧となるように、前記インピーダンス回路のインピーダンスを設定する。そして、電圧Ｖ５が判定電圧Ｖ６を上回った場合に、ＦＥＴ（Ｔ１）を遮断して負荷駆動回路を過熱から保護する。 （もっと読む）