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Fターム[5M024JJ32]の内容

DRAM (26,723) | 高速化メモリ (1,935) | 内部同期クロック信号の作成(ICLK) (432) | 外部クロック信号(CLK)からの作成 (412)

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【課題】小規模な論理回路によって基準レイテンシとオフセットレイテンシを用いた演算を行う。
【解決手段】例えば、基準レイテンシCLの値を示す複数のビットA0〜A3のそれぞれと、オフセットレイテンシSRLの値を示す複数のビットC0〜C2のそれぞれと、を論理合成して複数の制御信号E0〜E3を生成する論理回路100と、複数の制御信号E0〜E3をデコードして複数の制御信号ULPCL4〜ULPCL15を生成する論理回路200とを備える。本発明によれば、基準レイテンシCLの値とオフセットレイテンシSRLの値をデコードする前に演算していることから、より小規模な論理回路によって調整レイテンシULPCLを算出することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】アドレス入力バッファによる電力消費を低減可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、アドレス端子に接続される第1入力バッファと、データ入力の基準となるクロック信号を受けるクロック端子と、前記クロック端子に接続されるクロック信号を受ける第2入力バッファとを具備する。前記第1入力バッファは、ライトコマンドが入力された場合に活性化され、ライトコマンドが入力された後、前記クロック信号の所定サイクル後に非活性化される。 (もっと読む)


【課題】セルフリフレッシュモードにエントリしている期間中においてもデータ端子のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】例えば、コントローラ50は、半導体装置10に対してセルフリフレッシュコマンドSREを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置10は、インピーダンス制御信号ODTを受信する入力バッファ回路72をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ICLK0に同期してインピーダンス制御信号IODT0をラッチするラッチ回路84をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号CKを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ODTの入力が可能となる。 (もっと読む)


【課題】ギアダウンモードのオン/オフによるラッチタイミング差をなくす。
【解決手段】クロック信号CLK1を分周することによってクロック信号CLK2を生成する分周回路2と、チップ選択信号CS1とクロック信号CLK2を論理合成することによりチップ選択信号CS2を生成する論理回路4と、チップ選択信号CS2に基づいて活性化されコマンド信号CMD1に基づいてコマンド信号CMD2を生成するコマンド生成回路6とを備える。本発明によれば、分周されたクロック信号に同期してコマンド信号のラッチを行うのではなく、分周されたクロック信号に同期してコマンド生成回路を活性化させていることから、分周されていないクロック信号に同期してコマンド信号のラッチ動作を行うことができる。これにより、ギアダウンモードのオン/オフによるラッチタイミングに差が生じなくなる。 (もっと読む)


【課題】レイテンシー制御回路及びその方法、そして、自動プリチャージ制御回路及びその方法を提供する。
【解決手段】基準信号及び内部クロック信号に基づいて少なくとも一つの基準信号を活性化するマスタユニットと、少なくとも一つのマスタ信号及び複数の信号を受信する複数のスレーブユニットと、を備え、複数のスレーブユニットの各々は、受信された複数の信号のうち少なくとも一つに基づいて出力信号を発生させるレイテンシー制御回路。ライトオートプリチャージ命令信号及び内部クロック信号に応答して、複数の第1 プリチャージ命令遅延信号を発生させるプリチャージ命令遅延部と、遅延されたバンクアドレス信号を発生させる少なくとも一つのバンクアドレス遅延部と、遅延されたバンクアドレス信号に基づいてプリチャージメイン信号を出力するプリチャージメイン信号生成部と、を備える自動プリチャージ制御回路。 (もっと読む)


【課題】レプリカ回路の精度を抜本的に向上する。
【解決手段】半導体装置10は、少なくともフィードバッククロック信号RCLK1に基づいて外部クロック信号CK,/CKを遅延させてなる内部クロック信号RLCLKを出力するDLL回路70と、内部クロック信号RLCLKに同期してデータを出力する複数の出力バッファ64aと、出力バッファ64aのレプリカであり、内部クロック信号RLCLKに同期してフィードバッククロック信号RCLK1を生成し、DLL回路70に供給する出力レプリカ73と、DLL回路70から内部クロック信号RLCLKを受け、複数の出力バッファ64a及び出力レプリカ73に伝送するクロックツリー72とを備え、クロックツリー72は、それぞれDLL回路70から複数の出力バッファ64a及び出力レプリカ73に至る内部クロック信号RLCLKの複数の伝送経路の信号線負荷が互いに実質的に等しくなるよう構成される。 (もっと読む)


【課題】連続するカラムコマンドに対応するカラムデータを連続的に入出力する場合、データの間に空白なく入出力できる半導体メモリ装置及びこの半導体メモリ装置を含むメモリシステムを提供すること。
【解決手段】本半導体メモリ装置は、外部クロック信号EX_CLKの周期を分周して内部クロック信号IN_CLKを生成する内部クロック信号生成部310と、信号を出力する際の基本レイテンシALを設定する基本レイテンシ設定部320と、連続するコマンドRD_CMD<1:3>の各々に対して、基本レイテンシALに内部クロック信号IN_CLKの半周期と等しいハーフレイテンシをハーフレイテンシ選択情報信号HAL<1:3>に応じて選択的に付加するレイテンシ反映部330とを備える。 (もっと読む)


【課題】より少ない素子数で回路を構成する。
【解決手段】動作制御の開始に係る一連の第1のコマンド信号を計数するカウンタ回路11aと、動作制御の終了に係る一連の第2のコマンド信号を計数する第2のカウンタ回路11bと、カウンタ回路11a、11bにおける計数値の一致を検出するカウンタ一致検出回路12と、第1のコマンド信号でセットされ、カウンタ一致検出回路が一致を検出した場合にリセットされるRSフリップフロップ回路13と、を備え、カウンタ回路11a、11bは、バイナリカウンタを構成要素として備える。 (もっと読む)


【課題】データの送受信中でも内部クロックをストロボ信号によりトラッキングしてすべてのデータをその有効ウィンドウの範囲内でサンプリングすることができ、よって、データ伝達の信頼性を高めることが可能な、高速で動作する半導体システムのデータ送受信装置および方法を提供すること。
【解決手段】本半導体メモリ装置はストロボ信号の入力を受けてトラッキングクロックを生成するストロボ信号受信部220と、クロックの入力を受けて内部クロックを生成するクロック受信部240と、内部クロックに応じて並列データの入力を受けて内部データを生成する複数のデータ受信部200_0と、データの送受信の間、内部クロックの位相が変動するのを補償するために、トラッキングクロックに応じて内部クロックをトラッキングして内部クロックの位相を調整する位相制御部260を備える。 (もっと読む)


【課題】 クロック同期式の半導体メモリにおいて、内部回路の動作を必要最小限にすることで消費電流を削減する。
【解決手段】 コマンドバッファは、メモリ動作を指示するコマンド信号を、チップの選択を指示するチップセレクト信号の活性化時に受け付け、内部コマンド信号として出力する。第1クロック発生回路は、チップセレクト信号が供給されたクロックサイクルおよびその次のクロックサイクルに、外部クロック信号に同期して第1内部クロック信号を生成する。コマンドラッチ回路は、第1内部クロック信号に同期して内部コマンド信号を取り込む。 (もっと読む)


集積回路は、バッファ(24)に結合されたクロック入力ピンを有してもよい。バッファは、メモリ等の集積回路チップにクロック信号(28)を供給してもよい。電力を節約するために、バッファはパワー・ダウンされる。使用する準備ができたとき、バッファは急速にパワー・アップ状態に戻る。一実施形態では、クロック信号の所定数のトグルに応答して、バッファは自動的にパワー・アップされる。 (もっと読む)


【課題】高い周波数のクロックを用いずに並列に入力させるデータを高レートの直列データに変換するマルチブレクサを備えた半導体装置、その制御方法、その半導体装置を用いたデータ処理システムを提供する。
【解決手段】マルチプレクサと、出力バッファと、を備え、マルチプレクサが、入力側にそれぞれ異なるデータ信号を受けて出力側が出力バッファの入力ノードに接続されたn個(nは2以上の整数)のスイッチと、スイッチ毎に設けられ、スイッチをそれぞれ1/n周期ずつ位相の異なる第1の周期でオンさせ、対応する入力側のデータ信号が出力側の端子に表れたことを検出して対応するスイッチをオフさせる複数のスイッチ制御回路と、を備え、n個のスイッチへ並列に入力される第1の周期で変化するデータを第1の周期の1/nの周期で変化する直列データに変換して出力バッファから出力する。 (もっと読む)


【課題】 マルチポートメモリのページ動作を容易に実行する。
【解決手段】 マルチポートメモリは、メモリセルを有する複数のメモリコアと、クロック信号を受けるクロック端子、メモリセルを選択するためにクロック信号に同期して供給されるアドレス信号を受けるアドレス端子、およびデータ信号を入出力するデータ入出力端子をそれぞれ有する複数の入出力ポートと、メモリコアにそれぞれ対応し、入出力ポートから供給されるアドレス信号のいずれかを選択し、選択したアドレス信号に応じてメモリセルをアクセスする制御回路と、複数個のメモリセルに対応するデータを保持するバッファとを有する。メモリセルに対して読み書きされるデータは、バッファを介してデータ入出力端子およびメモリセルに伝達される。 (もっと読む)


【課題】バッファ制御信号生成回路及びこれを用いた半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】このバッファ制御信号生成回路は、ライトパルスを第1区間分だけクロックシフティングして第1バースト開始信号を生成し、前記ライトパルスを第2区間分だけクロックシフティングして第2バースト開始信号を生成するもので、前記第2区間は、前記第1区間よりも短く設定されるバースト開始信号生成部と、前記第2バースト開始信号及びカラム制御信号に応答してバースト区間パルス及びカラムアクティブパルスを生成するコマンドデコーダと、前記カラムアクティブパルスを受信して、前記バースト区間パルスをバッファリングしてバースト終了信号を生成するバースト制御部と、前記バースト終了信号及び前記カラムアクティブパルスを受信して前記カラム制御信号を生成するバーストカラム制御部と、を含む。 (もっと読む)


【課題】適切なタイミングで内部でレイテンシを設定する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】トリガ生成回路104は、トリガ信号を出力する。遅延回路110は、トリガ信号を受けて、トリガ信号を遅延させた遅延信号を出力する。クロックカウンタ106は、クロックを受け、トリガ信号が受けてから遅延信号を受けるまでの間、受けたクロックの数をカウントし、カウント結果を出力する。判定回路107は、クロックの数とレイテンシとの対応関係を記憶し、クロックカウンタから出力されるカウント結果に対応するレイテンシを判定する。レイテンシ用レジスタ108は、判定されたレインテンシを保持する。WAIT制御回路109は、レイテンシ用レジスタ108に保持されたレインテンシに基づき、外部にWAIT信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】オートプリチャージ機能を持つ半導体記憶装置の消費電力を低減する。
【解決手段】それぞれ内部クロックICLKW,ICLKWAを生成するクロック生成回路70,80と、内部クロックICLKに同期してレイテンシをカウントするレイテンシカウンタと、内部クロックICLKWAに同期してライトリカバリ期間をカウントするリカバリカウンタとを備える。クロック生成回路80は、オートプリチャージが指定されている場合には内部クロックICLKWAを活性化させ、オートプリチャージが指定されていない場合には内部クロックICLKWAを非活性化させる。これにより、オートプリチャージ機能を使用しない場合にリカバリカウンタ60がカウント動作を行わないことから、無駄な電力消費を防止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】メモリチップの共有化を図ったメモリデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
複数の電源電圧値を検出し、いずれの電源電圧値を検出したかを表す検出結果を出力する電源電圧検出部と、前記電源電圧検出部の検出結果に基づき、クロック信号の立ち上がり又は立ち下がりに同期して、前記検出結果に応じた複数のデータレートを設定するデータレート設定部と、前記データレート設定部によって設定される前記複数のデータレートでリードライトが行われるメモリセルアレイとを含む。 (もっと読む)


【課題】消費電流の増加を抑制し、高速な外部クロックを用いる際の動作上のマージンを確保しつつ、多様なレイテンシをカウント可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、レイテンシ設定回路と、正相(逆相)コマンド信号CMD0(CMD1)を出力する入力コマンド回路と、正相コマンド信号CMD0をシフトする複数のラッチ回路21〜25(第1のカウンタ回路)と、逆相コマンド信号CMD1をシフトする複数のラッチ回路31〜35(第2のカウンタ回路)と、レイテンシに応じて信号経路を選択制御するセレクタ41〜44とを備え、上記各カウンタ回路のラッチ回路の一部又は全部は、入力コマンド信号に応答して起動し、所定の動作期間経過後に停止するように制御される。 (もっと読む)


【課題】メモリ装置のクロック分配網を改善することにより、クロックの特性を向上させること。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、外部クロックを受信してメモリ装置内に伝達するクロック供給部と、該クロック供給部から伝達されたクロックをメモリ装置内の各部に伝達するクロック伝達部と、該クロック伝達部から伝達されたクロックを用いてデータを出力する複数のデータ出力部とを備え、前記クロック供給部から前記クロック伝達部までにおける前記クロックが、CML(Current Mode Logic)レベルでスイングすることを特徴とする。 (もっと読む)


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