【課題】小規模な論理回路によって基準レイテンシとオフセットレイテンシを用いた演算を行う。
【解決手段】例えば、基準レイテンシＣＬの値を示す複数のビットＡ０〜Ａ３のそれぞれと、オフセットレイテンシＳＲＬの値を示す複数のビットＣ０〜Ｃ２のそれぞれと、を論理合成して複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３を生成する論理回路１００と、複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３をデコードして複数の制御信号ＵＬＰＣＬ４〜ＵＬＰＣＬ１５を生成する論理回路２００とを備える。本発明によれば、基準レイテンシＣＬの値とオフセットレイテンシＳＲＬの値をデコードする前に演算していることから、より小規模な論理回路によって調整レイテンシＵＬＰＣＬを算出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の入出力クロックスキューを抑制する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧電源で駆動される第１のバッファ１及び第２のバッファ８と、Ｉ／Ｏ電圧電源の電圧レベルを示す電圧判定信号を生成する電圧判定部５と、第１のバッファ１を介して入力された入力クロック信号に基づいて出力クロック信号の位相を調整して第２のバッファへ出力するエコークロック生成部７と、電圧判定信号と位相の調整量との関係を選択するモード情報を記憶する記憶部６と、を有し、エコークロック生成部７は、電圧判定信号とモード情報とに基づいて出力クロック信号の位相の調整量を決定する。 （もっと読む）

【課題】外部電圧ＶＤＤの変動に伴うレイテンシカウンタのラッチマージンの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、外部電圧ＶＤＤで動作する第１の回路と、外部電圧ＶＤＤよりも低い内部電圧ＶＰＥＲＩで動作する第２の回路とを有するデータ入出力回路７８と、外部クロック信号ＣＫ，／ＣＫに基づき、データ入出力回路７８の動作タイミングを制御する内部クロック信号ＬＣＬＫＯＥＴを生成するＤＬＬ回路２３とを備え、ＤＬＬ回路２３は、内部電圧ＶＰＥＲＩで動作する回路を含む一方、外部電圧ＶＤＤで動作する回路を含まないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部電圧ＶＤＤの変動に伴うレイテンシカウンタのラッチマージンの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、外部クロック信号に基づいて生成される内部クロック信号ＬＣＬＫＯＥＦＴと、外部から供給されるリードコマンドに応じて生成される内部リードコマンドＭＤＲＤＴとを受け、内部リードコマンドＤＲＣを生成するレイテンシカウンタ５５を備え、レイテンシカウンタ５５は、出力ゲート信号ＣＯＴ０〜ＣＯＴ７のそれぞれを遅延させることにより入力ゲート信号ＣＩＴ０〜ＣＩＴ７を生成する遅延回路部２００を有し、遅延回路部２００は、外部電圧ＶＤＤで動作する遅延素子と、内部電圧ＶＰＥＲＩで動作する遅延素子とを含む。 （もっと読む）

【課題】高いデータ伝送率においても電流の消費を極めて少なくすることができる半導体メモリ素子を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ素子は、外部信号クロックが印加されて内部信号クロックを生成する信号クロックの生成手段と、前記外部信号クロックより高い周波数を有する外部データクロックが印加されて内部データクロックを生成するデータクロック生成手段と、前記内部信号クロック及び前記内部データクロックに同期されて印加される外部データを内部データとして入力するか、または内部データを外部データとして出力するデータ入出力制御手段と、前記内部信号クロックに同期して外部コマンド及びアドレスに対応する駆動を行って前記内部データを格納または出力する低速動作手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥとセルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを交互に周期的に発行する。半導体装置１０は、セルフリフレッシュコマンドＳＲＥに同期してリフレッシュ動作を例えば１回だけ実行し、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸに応答してＤＬＬ回路２００の状態更新を実行する。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドや位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１を必要とするコマンドを短時間で発行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０がセルフリフレッシュモードにエントリしているか否かにかかわらず外部クロック信号ＣＫを連続的に発行する。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリしている期間に外部クロック信号ＣＫの入力バッファ回路７１とＤＬＬ回路２００を間欠的に活性化させる。これにより、セルフリフレッシュモード中においてもＤＬＬ回路２００の状態が間欠的に更新され、正しく位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１が得られる状態に保たれる。したがって、セルフリフレッシュモード中における入力バッファ回路７１の消費電力を削減しつつ、セルフリフレッシュモードからイグジットした後、位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１を必要とするコマンドを短期間で投入することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリすると、オシレータ１５０を用いてリフレッシュ動作を周期的に実行する。セルフリフレッシュモードにおいて１回のリフレッシュ動作に要する時間をオートリフレッシュの１／４に短縮するとともに、リフレッシュ動作の実行頻度を４倍とする。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドの投入が禁止される期間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードにエントリしている期間中においてもデータ端子のインピーダンス制御を可能とする。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、インピーダンス制御信号ＯＤＴを受信する入力バッファ回路７２をセルフリフレッシュモード中においても常時活性化させるとともに、セルフリフレッシュモード中においては、内部クロック信号ＩＣＬＫ０に同期してインピーダンス制御信号ＩＯＤＴ０をラッチするラッチ回路８４をバイパスさせる。これにより、外部クロック信号ＣＫを使用することなく、セルフリフレッシュモード中におけるインピーダンス制御信号ＯＤＴの入力が可能となる。 （もっと読む）

【課題】クロック信号にジッタ成分が重畳している場合であってもＤＬＬ回路を正しくロックさせる。
【解決手段】カウンタ部１０２のカウント値に応じてクロック信号ＬＣＬＫを生成するディレイライン１０１と、クロック信号ＬＣＬＫを反転させるか否かを制御する反転制御部１０３とを備える。カウンタ部１０２のカウント値を第１の初期値にリセットした後、反転制御部１０３はクロック信号ＬＣＬＫを反転させ又は反転させることなく出力する。次に、カウンタ部１０２のカウント値を第２の初期値にリセットする。本発明によれば、ジッタなどの影響によってクロック信号ＬＣＬＫを誤って反転させ、或いは誤って反転させなかった場合であっても、ダウンカウント（またはアップカウント）が多数回連続することがなくなる。これにより、第１及び第２の初期値としてオフセットした値を用いることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＬ回路がロックしないという現象の発生を防止する。
【解決手段】カウンタ回路２０２と、カウンタ回路２０２のカウント値ＣＮＴに応じた遅延量を内部クロック信号ＬＣＬＫに与えるディレイライン２０１とを有する。まず、カウンタ回路２０２は第１のカウント値にセットされ、判定信号ＰＤに基づいてそのカウント値ＣＮＴが周期的に更新される。その結果、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相が所望の位相に到達しなかった場合、カウンタ回路２０２は、第１のカウント値とは異なる第２のカウント値にセットされ、ＤＬＬ回路２００がリスタートされる。これにより、ＤＬＬ回路がロックしなかった場合であっても自動的にリスタートされることから、ＤＬＬ回路がロックしないという現象が防止される。 （もっと読む）

【課題】動作周波数が高くなっても動作マージンの確保を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫ、／ＣＫから生成された内部クロック信号ＩＣＬＫを２分周し、２相の第１のクロック信号１ＣＬＫ（１：０）を生成する第１の分周回路９２と、前記外部クロック信号を遅延させた遅延同期クロック信号ＬＣＬＫ１を可変遅延素子１０２で遅延させた第３のクロック信号ＬＣＬＫＤと入力信号の位相を一致制御する遅延同期回路１００と、前記第３のクロック信号に対して第１、第２相の第１のクロック信号が時間的に正順でない場合に、前記第１、第２相の第１のクロック信号を入れ替える調整回路９３と、前記遅延同期クロック信号をｎ分周し、ｎ相の第２のクロック信号ＬＣＬＫ２（１：０）を生成する第２の分周回路９４と、複数のデータ出力を制御する制御回路８０を備える。 （もっと読む）

【課題】レイアウトサイズの増加を避けながら、２つの回路の定期的な動作の時間間隔を互いに独立して設定可能とする。
【解決手段】半導体装置は、セルフリフレッシュコマンドＳｅｌｆＥｎａｂｌｅを受けて第１周期のセルフリフレッシュ開始信号ＳＲＥＦ＿Ｓｔａｒｔを出力し、ＤＬＬイネーブルコマンドＤＬＬＥｎａｂｌｅを受けて第２周期のＤＬＬスタート信号ＤＬＬ＿Ｓｔａｒｔを出力するＤＬＬリフレッシュ制御回路７１と、セルフリフレッシュ開始信号ＳＲＥＦ＿Ｓｔａｒｔに基づいて制御されるリフレッシュ回路５３と、ＤＬＬスタート信号ＤＬＬ＿Ｓｔａｒｔに基づいて制御されるＤＬＬ回路７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】クロック伝送回路３の電流消費量の増大を抑えつつ、リードデータのジッタを軽減する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫよりも周期の長い長周期クロック信号を供給し、アクティブ期間に続くリード期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫを供給するクロック出力制御回路７３と、クロック出力制御回路７３から出力された内部クロック信号ＬＣＬＫ及び長周期クロック信号を伝送するクロック伝送回路３と、データ入出力端子１４と、クロック伝送回路３によって伝送された内部クロック信号ＬＣＬＫに同期して、データ入出力端子１４にリードデータを出力する入出力回路６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサとクロック分割回路との間における相互の電源ノイズの影響を低減する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫに基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫ１を生成するＤＬＬ回路１００と、内部クロック信号ＬＣＬＫ１に基づいて、互いに位相の異なる内部クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂを生成するクロック分割回路２００と、内部データ信号ＣＤ，ＣＥに基づいて、クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂにそれぞれ同期した内部データ信号ＤＱＰ，ＤＱＮを出力するマルチプレクサ３００とを備える。クロック分割回路２００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ２とマルチプレクサ３００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ３は、互いに異なる電源回路８２，８３によって生成され、且つ、該半導体装置内で分離されている。これにより、相互にノイズの影響を及ぼし合うことがなくなる。 （もっと読む）

【課題】レプリカ回路の精度を抜本的に向上する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくともフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１に基づいて外部クロック信号ＣＫ，／ＣＫを遅延させてなる内部クロック信号ＲＬＣＬＫを出力するＤＬＬ回路７０と、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してデータを出力する複数の出力バッファ６４ａと、出力バッファ６４ａのレプリカであり、内部クロック信号ＲＬＣＬＫに同期してフィードバッククロック信号ＲＣＬＫ１を生成し、ＤＬＬ回路７０に供給する出力レプリカ７３と、ＤＬＬ回路７０から内部クロック信号ＲＬＣＬＫを受け、複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に伝送するクロックツリー７２とを備え、クロックツリー７２は、それぞれＤＬＬ回路７０から複数の出力バッファ６４ａ及び出力レプリカ７３に至る内部クロック信号ＲＬＣＬＫの複数の伝送経路の信号線負荷が互いに実質的に等しくなるよう構成される。 （もっと読む）

【課題】並列接続された複数の入力回路のうち使用する入力回路を切り替える際に生じる出力ノードの信号ノイズ（ハザード）を防止する。
【解決手段】それぞれが、入力信号ＩＮが供給される一つの入力ノードＮ１０に接続し、出力信号ＯＵＴを供給する一つの内部出力ノードＮ１１に接続し、互いに電気的特性が異なる第１及び第２の入力回路１００Ａ，１００Ｂと、切り替え信号ＳＥＬを生成し、切り替え信号ＳＥＬによって、入力回路１００Ａ，１００Ｂを制御する入力制御回路３００とを備える。入力制御回路３００は、入力回路１００Ａ，１００Ｂのいずれか一方を活性から非活性へ、いずれか他方を非活性から活性へ切り替えるとき、入力回路１００Ａ，１００Ｂが同時に活性状態となる時間を含むように制御する。これにより、入力回路１００Ａ，１００Ｂの切り替えに伴う信号ノイズ（ハザード）の発生が防止される。 （もっと読む）

【課題】再開トリガ信号を生成できないことによってリードデータの出力タイミングと外部クロック信号の同期が外れてしまうことを防止する。
【解決手段】ＤＬＬ回路１００には、当該ＤＬＬ回路１００を初期起動させるリセット信号ＲＥＳＥＴと、内部クロック信号ＬＣＬＫの内部クロック信号ＩＣＬＫに対する遅延量の制御を当該ＤＬＬ回路１００に再開させる再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴとが入力され、ＤＬＬ回路１００は、リセット信号ＲＥＳＥＴ又は再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化されたことに応じて遅延量の制御を開始し、リセット信ＲＥＳＥＴ号が活性化された後再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化される前には、当該ＤＬＬ回路１００のロック後にも遅延量の制御を継続し、再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化された後には、当該ＤＬＬ回路１００のロックに応じて遅延量の制御を停止する。 （もっと読む）

【課題】従来のＤＬＬ回路では、クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとで遅延時間に差が生じる問題があった。
【解決手段】本発明のＤＬＬ回路は、入力クロック信号φｉｎに制御電圧Ｖｌｆに応じた遅延量を与える遅延バッファＢＵＦ１〜ＢＵＦ４と、入力クロック信号φｉｎを反転させるインバータとＩＮＶ１、ＩＮＶ２、を含み、入力クロック信号φｉｎを遅延させた出力クロック信号φｏｕｔを生成するディレイライン１０と、入力クロック信号φｉｎと前記出力クロック信号φｏｕｔとの位相差に基づいて制御電圧Ｖｌｆを生成する制御電圧生成部とを有し、ディレイライン１０は、インバータＩＮＶ１と遅延バッファＢＵＦ１、ＢＵＦ２とを含む第１の遅延部と、第１の遅延部の後段に設けられ、第１の遅延部と同数のインバータ及び遅延バッファ（ＩＮＶ２、ＢＵＦ３、ＢＵＦ４）を含む第２の遅延部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力クロックの周波数が高まっても、第２ＤＬＬクロックＦＣＬＫ＿ＤＬＬＯＥにより、ライジング／ポーリングアウトイネーブル信号Ｒ／ＦＯＵＴＥＮを生成することができる動作マージンを確保することにより、ＤＲＡＭの動作周波数を高めることができる遅延固定ループを提供すること。
【解決手段】本発明の出力ドライバーは、遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、読み出しデータの出力に用いられる第１ＤＬＬクロックを生成し、第１タイミング遅延によってドライビングする第１ドライビング部と、前記遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、書き込み動作時の電流消費の低減のために用いられる第２ＤＬＬクロックを生成し、前記第１タイミング遅延より少ない第２タイミング遅延によってドライビングする第２ドライビング部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）