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国際特許分類[B29C59/02]の内容

国際特許分類[B29C59/02]の下位に属する分類

ローラーまたはエンドレスベルトを用いるもの (562)
真空ドラムを用いるもの

国際特許分類[B29C59/02]に分類される特許

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【課題】離型に有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】
本発明のインプリント装置は、パターンが形成されたモールド10をレジストMpが塗布されたウエハ100に押し付け、モールド10をウエハ100から離型することによってパターンをウエハ100に転写する押印装置であって、ウエハ100をその端部において吸着保持するウエハチャック21と、ウエハチャック21とは分離して形成され、ウエハ100を吸着保持するウエハチャック22と、ウエハチャック21及びウエハチャック22をモールド10に対して相対的に移動させる駆動部とを有し、ウエハチャック22は、ウエハチャック21より可撓性の高い材質で形成されている。 (もっと読む)


【課題】複数の被成型品に対しそれぞれの型に形成された転写パターンを転写する際に、転写不良の発生を未然に防止して高精細な転写ができるようにした転写装置を提供する。
【解決手段】固定フレーム74に対して接近・離反する方向に移動自在に設けられたフレーム37Aと、被成型品と型とを重ねて設置することが可能な被成型品・型の設置体13と、フレーム74を移動させる1台のサーボモータ95とを備え、固定フレームとフレーム74との間には、フレーム37Bが介在され、固定フレームとフレーム37Bの対向面間とフレーム37Aとフレーム37Bの対向面間に被成型品・型の設置体13がそれぞれ設けられている。 (もっと読む)


【課題】インプリントリソグラフィ装置で使用してインプリントテンプレート構成を保持し、移動又は変形させるのに適切な新しい又は代替構成を提供する。
【解決手段】インプリントリソグラフィ装置で使用するのに適切な構成が開示される。この構成は、インプリントテンプレート構成を支持するように配置された支持構造と、インプリントテンプレート構成に力を印加するように構成された第1のアクチュエータと、支持構造に取り付けられ、使用時に支持構造とインプリントテンプレート構成との間に延在するように配置された第2のアクチュエータであって、インプリントテンプレート構成に力を印加するように構成され、その移動範囲が第1のアクチュエータの移動範囲より大きい第2のアクチュエータとを備える。 (もっと読む)


【課題】単官能モノマーのみで硬化させると、膜の硬化性が悪く、一方、官能数を増やすと硬化するが、硬化収縮性が大きくなりやすかったので良好なパターン転写を行うパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料を提供する。
【解決手段】イソボルニルアクリレートが80ないし95重量%、3官能アクリレートが1ないし20重量%、及び重合開始剤が0.5ないし6重量%含まれるパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料6を使用する。 (もっと読む)


【課題】優れた効率で精度良く凹凸柄を形成され得るとともに、形成された凹凸柄の平坦化が効果的に抑制される加工品を提供する。
【解決手段】加工品は、エンボス加工によって凹凸柄を原反に形成することによって作製される。加工品は、金属繊維を含有している。 (もっと読む)


【課題】電子線でレジストにパターンを描画する際に、基材の表面位置の検出を精度良く行なうためのナノインプリントモールド用基材の処理方法と、高精度の凹凸パターンを備えたナノインプリントモールドを製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】厚さが4mm以下の透明な基材の裏面側あるいは内部に、基材の表面側から入射した光が基材の裏面で反射して表面側に出射するのを防止する反射防止部を形成し、基材の表面上にレジスト膜を形成して電子線描画装置内のステージ上に基材裏面がステージと対向するように配置し、基材に対して高さ検出光を照射し基材表面で反射された反射光を検出して基材の高さを検出し、検出した基材の表面位置に適するように電子線のフォーカス位置を制御しながらレジスト膜に対して電子線を照射して所望のパターン潜像を形成し、このレジスト膜を現像して得たレジストパターンをマスクとして基材に凹凸パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】複数種類のパターンを独立して転写することが可能なナノインプリント用モールド、及び、それを用いた半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るナノインプリント用モールド1は、モールド基体部3と、モールド基体部3に設けられた複数の盛り上げ部5、7とを備え、複数の盛り上げ部5、7のそれぞれは、ナノインプリント用の凹パターン5P、7Pが形成されたパターン平面5S、7Sを有し、複数の盛り上げ部5、7の複数のパターン平面5S、7Sの複数の凹パターン5P、7Pは、互いに異なる形状を有し、複数の盛り上げ部5、7の複数のパターン平面5S、7Sは、互いに非平行であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナノインプリント方法において、レジスト膜のはがれが生じ難い形状転写層を形成することができるナノインプリントリソグラフィー用硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】25℃、1atmの条件下において、光又は熱により気体を発生する気体発生剤(A)と、第二の反応性基を有し、光及び熱に対して安定な化合物(B)と、を含有するナノインプリントリソグラフィー用硬化性組成物である。 (もっと読む)


【課題】スループットを向上できるパターン形成方法、パターン形成装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のパターン形成方法は、被加工体20上に誘電体であるインプリント材21を未硬化状態で供給する工程と、テンプレート10における導電性のパターン部15を、未硬化状態のインプリント材21に接触させる工程と、インプリント材21を硬化させる前に、被加工体20とテンプレート10のパターン部15との間に電位差を生じさせ、インプリント材21に誘電分極を生じさせる工程と、パターン部15をインプリント材21に接触させた状態でインプリント材21を硬化させる工程と、インプリント材21の硬化後、インプリント材21からテンプレート10を剥離する工程と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】インプリントモールドの凹部への感光性配線ペースト層の充填不良や、ウェットエッチング(現像)工程での配線パターンの倒壊や剥がれの発生を抑制,防止して、効率よく精度の高い配線パターンを形成する。
【解決手段】感光性配線ペースト層2を形成する工程と、凹凸パターン17を有するインプリントモールド3を感光性配線ペースト層2に押し付けて光照射する工程と、感光性配線ペースト層2の未感光部をウェットエッチングにより除去して、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する配線パターンを形成する工程とを備えた配線パターンの形成方法において、感光性配線ペースト層2の厚みtpを下記の式(1)の範囲で規定する。
6μm+(V/S)<tp<20μm+(V/S)……(1)
ただし、
tp:感光性配線ペースト層の厚み、
S:ペースト転写領域の面積、
V:前記凹凸パターンの、前記感光性配線ペースト層と接する領域における凹部の体積 (もっと読む)


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