本発明は、ＢＨ_４⁻、ＭｇＨ_３⁻、ＭＨ_４⁻およびＭＨ_６^３−（Ｍ＝Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）から選択された１種または複数のアニオンと、１種または複数のカチオンとをベースとする錯体水素化物を含む、可逆的に水素を吸蔵するための材料に関し、その材料は、錯体水素化物相そのものの中の置換によって、安定性の変化を受けたものである。本発明はさらに、その材料を調製するためのプロセス、その使用、ならびに可逆的に水素を吸蔵するためのプロセスにも関する。 （もっと読む）

本発明は、薄膜化した軽量・低融点金属の錯体水素化物（例えば、ＬｉＢＨ₄ 、ＬｉＮＨ₂ など）及びその製造方法を提供する。本発明は、軽量・低融点金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａなど）から選ばれる１又は２以上の金属と、窒素、炭素、ホウ素、アルミニウムから選ばれる１又は２以上の元素を原料にして、蒸着法により、ナノ構造化された錯体水素化物の薄膜を製造する方法、及び、薄膜化した軽元素錯体水素化物膜に関するものである。本発明の方法により、軽量・低融点金属の錯体水素化物の薄膜を簡便に形成することができ、この薄膜化された錯体水素化物膜は、例えば、超伝導特性、光学特性、水素貯蔵特性などを有する多機能性材料として有用である。
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本発明は、水素と反応して水素化物を形成することができる金属間化合物を含む水素吸蔵材料に関する。また本発明は、そのような水素吸蔵材料を含む、電気化学的に活性な材料に関する。また本発明は、正極と負極を有する電気化学セルであって、前記負極が、本発明による水素吸蔵材料を含む電気化学セルに関する。また本発明は、本発明による少なくとも一つの電気化学セルによって給電される電子機器に関する。さらに、本発明は、本発明による水素吸蔵材料を調製する方法に関する。
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本発明は、マグネシウムおよびパラジウムの合金を気体状の水素と接触させて、対応する水素化物（単数種または複数種）を形成させる工程からなる、可逆的水素貯蔵方法に関する。本発明の方法は、式（Ｉ）Ｍｇ_ｘＰｄ⇔Ｍｇ_ｘＰｄＨ_ｎ（式中、原子比ｘは、３〜６の値を有し、ｎは形成された水素化物（単数種または複数種）の化学量論に対応する水素原子数である）または式（ＩＩ）Ｍｇ_ｘＰｄ⇔Ｍｇ_２Ｐｄ_４＋Ｍｇ_ｘ−２Ｈ_ｎ（式中、原子比ｘは、７〜９の値を有し、ｎは、形成された水素化物（単数種または複数種）の化学量論に対応する水素原子数）を有する平衡系を用いる。
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水素化マグネシウムを有する水素吸蔵材料を示した。前記マグネシウムはホタル石構造内において安定化される。マグネシウムの少なくとも一部は、ホタル石構造内において水素化マグネシウムを安定化する元素で置換されることが好ましい。好適実施例では、水素吸蔵材料は、さらに触媒活物質を有する。また上記水素吸蔵材料を有する、電気化学的に活性な物質および電気化学的セルを示した。 （もっと読む）

【課題】 多量の水素を貯蔵し、かつ貯蔵された水素を容易に取り出すことのできる水素貯蔵方法、および水素貯蔵物質を提供する。
【解決手段】 第一の水素貯蔵方法を、窒化物および錯体水素化物から選ばれる二種以上の化合物を混合して原料混合物を調製する原料混合物調製工程と、該原料混合物に水素を反応させ、該化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる水素化物を生成させて水素を貯蔵する水素貯蔵工程と、を含よう構成する。また、第二の水素貯蔵方法を、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素から選ばれる元素と、アルミニウムまたはホウ素と、を含む原料化合物に水素を反応させ、該原料化合物の構成元素の一種以上と水素とからなる二種以上の水素化物を生成させて水素を貯蔵するよう構成する。 （もっと読む）