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国際特許分類[C04B35/50]の内容

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酸化イットリウムを基とするもの

国際特許分類[C04B35/50]に分類される特許

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【課題】発光素子に組み込む前の段階で、色管理を行なうことができ、簡便且つ少ない製造工程で発光色度が均一な発光装置を製造することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】励起光を発光する半導体発光素子と、蛍光体の多結晶材料から成り、前記励起光と異なる波長の光を発する蛍光体セラミック板とを備え、前記励起光と前記蛍光体セラミック板が発光する光とを合成した光を発する発光装置の製造方法であって、前記蛍光体に含まれるドーパントの原子濃度と前記蛍光体セラミック板の厚みとの積と、前記発光装置が発光する光の色度との関係とを用いて、前記発光装置に用いる蛍光体セラミックを調整する工程を含む。 (もっと読む)


本発明は、波長変換層及び散乱層を含む焼結セラミック基体を含む、発光装置に関する光学要素、及び、この光学要素を製造する方法、に関する。より具体的には、本発明は、第1層及び前記第1層に構成される第2層の焼結セラミック基体を含む光学要素であって、前記第1層は波長変換材料を含み、前記第2層の多孔性は前記第1層の多孔性より高く、前記第2層における細孔は、光ビームの散乱を提供するように構成されている、光学要素に関する。光学要素を製造する方法は、当該方法は、第1材料の第1層及び第2材料の第2層を含むグリーン基体を提供するステップと、前記層を単一の焼結セラミック基体へ共焼結させるステップと、を含み、前記第1及び前記第2層の組成は、焼結後に、前記第2層の多孔性は前記第1層の多孔性より高く、前記第2層における細孔は、光源によって発される光ビームの散乱を提供するように構成されているように、適合される。
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【課題】高強度で、低誘電損失であるイットリア焼結体の提供。
【解決手段】イットリアを99.9質量%以上含有し、気孔率が1%以下で、平均結晶粒径が3μm以下であり、かつ、下記(1)式から算出される累積頻度比が3以下であることを特徴とする、1〜20GHzの周波数における誘電損失tanδが1×10-4以下であるイットリア焼結体。累積頻度比=D90/D50・・・(1)但し、上記(1)式中の各記号の意味は下記の通りである。D90:結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が90%となる結晶粒径(μm)D50:結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が50%となる結晶粒径(μm) (もっと読む)


【課題】酸素イオン伝導性のない添加物を混合することなく、熱歪みによる割れや欠けを抑制できる固体電解質およびそれを用いた平板型の固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】一方の表面に燃料極層12が、他方の表面に酸化剤極層13がそれぞれ形成されることにより発電セル10を構成する固体酸化物形燃料電池用の固体電解質11として、ランタンガレート系セラミックスの原料粉に、さらに、ランタン酸化物、ストロンチウム酸化物、ガリウム酸化物、マグネシウム酸化物、コバルト酸化物、酸化鉄のうちの少なくとも一種以上が混合されて、上記原料粉とともに焼結されてなるものを用いた。また、固体電解質を平板状に形成して、固体電解質の一方の表面に燃料極層を、他方の表面に酸化剤極層をそれぞれ形成した発電セルを、板厚方向にセパレータ2を介して複数積層した固体酸化物形燃料電池とした。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れ、かつ、ハロゲンプラズマプロセスでも、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができ、イットリアに代わって、半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるセリアを主成分としたプラズマ処理装置用部材を提供する。
【解決手段】少なくともプラズマに曝露される部分が、純度99%以上の酸化セリウム100重量部に、純度99%以上のイットリアが3重量部以上100重量部以下添加されたセラミックスからなり、気孔率2%以下の部材、または、純度99%以上のイットリアが3〜30重量%添加されたプラズマ溶射膜で被覆された部材を用いる。 (もっと読む)


【課題】酸化イットリウム材料の加工性を高めると共に、耐摩耗性を高める。
【解決手段】静電チャック20は、破壊靱性をKIC(MPa・m1/2)、加重9.8Nにおけるビッカース硬度をHv(GPa)とすると、ビッカース硬度Hvが10GPa以上であり、KIC/Hvが0.15以上である好適範囲にある酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、酸化イットリウムを母材としての第1相とすると、第1相以外の第2相が5体積%以上20体積%以下で含有していることが好ましい。この第2相は、加重9.8Nにおけるビッカース硬度Hvが12GPa以上を示す化合物、例えば、窒化物又は炭化物としてもよい。あるいは、この第2相は、酸化イットリウムに対して5mol%以上に固溶限が存在する酸化物又は該酸化物と酸化イットリウムとの化合物、例えば希土類酸化物などとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】機械的強度をより高めた酸化イットリウム材料を提供する。
【解決手段】半導体製造装置用部材である静電チャック20は、酸化イットリウムに固溶・析出可能であり酸化イットリウムの粒内に存在する第1無機粒子と、第1無機粒子には固溶可能であり酸化イットリウムには固溶しにくい酸化イットリウムの粒界に存在する第2無機粒子と、を含む酸化イットリウム材料により構成されている。この第1無機粒子は、ZrO2及びHfO2のうち少なくとも1以上であり、第2無機粒子は、MgO、CaO、SrO、BaOのうち少なくとも1以上である。この酸化イットリウム材料は、第1無機粒子と第2無機粒子とを混合・焼成して固溶粒子を作製し、作製した固溶粒子と酸化イットリウムとを混合・焼成することにより、第1無機粒子を酸化イットリウムの粒内に存在させると共に、第2無機粒子を酸化イットリウムの粒界に存在させて作製することができる。 (もっと読む)


【課題】機械的強度をより高めることのできる酸化イットリウム材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置用部材である静電チャック20の基体22は、酸化イットリウム(Y23)と、炭化珪素(SiC)と、RE(希土類元素)とSiとOとNとを含む化合物と、を少なくとも含む酸化イットリウム材料により構成されている。この酸化イットリウム材料は、RE(希土類元素)とSiとOとNとを含む化合物として、REをLa,YなどとするRE8Si4414を含んでいる。このRE8Si4414は、原料の主成分であるY23や原料として添加したSi34などから焼結過程で生成した化合物である。酸化イットリウムに含まれるSiCやこの化合物により機械的強度や体積抵抗率が向上する。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン系ガスまたはそれらのプラズマ等に対する耐食性に優れ、低抵抗化が図られ、かつ、ハロゲンプラズマプロセスでも、該セラミックスの構成原料に起因する不純物金属汚染を抑制することができ、半導体・液晶製造用等のプラズマ処理装置の構成部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用セラミックスを提供する。
【解決手段】純度99%以上の酸化セリウムに、純度99%以上のイットリアまたは純度99%以上の酸化ランタンが1〜50mol%添加され、1600〜1900℃で焼成されたセラミックスであり、少なくともプラズマに曝露される部分の表面粗さRaが1.6μm未満であるセラミックスを用いる。 (もっと読む)


【課題】高い酸素透過性能と高い還元耐久性とが両立し得る酸素分離材とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明により提供される酸素分離材製造方法は、酸素イオン伝導体であるペロブスカイト構造の複合酸化物セラミックスから成る酸素分離材1を製造する方法であって、複合酸化物から成る原料粉末を用意する工程と、当該原料粉末を用いて所定形状の成形体を加圧成形する工程と、空気若しくは不活性ガスに酸素を供給して調製された高濃度酸素含有混合ガスの雰囲気中または酸素ガス雰囲気中において上記成形体を焼成する工程とを包含する。 (もっと読む)


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