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国際特許分類[C04B35/626]の内容

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【課題】従来の固相法に比べて低温でセラミックス粉体を得ることができる製造方法、およびかかる製造方法を用いたセラミックス膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス粉体の製造方法は、金属化合物を含む原料液を準備する工程と、前記原料液を噴霧・乾燥させることにより粉体を形成する工程と、を含み、前記金属化合物は、加水分解性金属化合物および熱分解性有機金属化合物の少なくとも1種を含む。 (もっと読む)


本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 (もっと読む)


本発明は、配合物を作りそれを1600℃〜2400℃で焼成するのを可能にするために充分な量の溶媒、例えば水の存在下で、有機細孔形成剤及び/又は結合剤を含む有機材料と適切な割合でもって配合された細かいSiC粒子及び粗いSiC粒子の2つの粉末から出発して、特に粒子状物質含有ガスをフィルタ処理するための構造体の形をした、再結晶化SiCで作られた多孔質材料を得るための方法であって、粗い粉末粒子のパーセンタイル値d90と細かい粉末粒子のパーセンタイル値d10との差に初期配合物中の有機材料の体積を乗じ、SiC粒子の合計体積に対する百分率として表わしたものが、250〜1500であることを特徴とする方法に関する。本発明は、前記方法によって得ることのできる再結晶化SiCで作られた多孔質材料にも関する。 (もっと読む)


【課題】従来技術のSiC繊維強化型SiC複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるSiC繊維強化型SiC複合材料を提供する。
【解決手段】SiC繊維強化型SiC複合材料を製造する方法であって、(1)SiC繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも1種を含む被覆層が形成されてなる被覆SiC繊維に対し、SiC微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第1工程及び(2)前記予備成形体を加圧焼結させる第2工程を含むことを特徴とするSiC繊維強化型SiC複合材料の製造方法に係る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エマルション溶液の製造段階において、エマルション溶液中のオイル相にコーティング物質の前駆体を導入し、エマルション火炎噴霧熱分解装置を利用して、コアセラミック粒子を作製するとともに、前記コアセラミック粒子の表面がコーティングされる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エマルション火炎噴霧熱分解法を利用してコアセラミック粒子をコーティングする方法であって、エマルション溶液を製造する段階と、前記エマルション溶液を火炎中に噴霧する火炎噴霧熱分解法を利用する段階とによって、コアセラミック粒子の形成とともに、前記コアセラミック粒子の表面がコーティングされる段階が単一の工程によってなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末を、これまでに知られている方法と比べ、より経済性に優れた方法で製造する。
【解決手段】
ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300℃以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60℃以下で1週間以上養生させた後に、洗浄してから、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200℃で再加熱処理し、平均粒径が10μm以上に結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。大気雰囲気中60℃以下で1週間以上養生させた後再加熱する前の状態における、粗製六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が2.5以上かつ数平均粒子径が9μm以下であり、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200℃で再加熱処理した後の高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が1.9以下かつ数平均粒子径が10μm以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム焼結体の耐プラズマ特性を向上させる。
【解決手段】加水分解型のアルミニウム化合物を含むアルミニウム含有原料と、炭素含有原料と、水とを混合して原料混合物を生成する工程S1と、工程S1で混合された原料混合物に含まれる前駆体を炭化及び窒化還元処理する工程S2と、工程S2で炭化及び窒化還元処理によって得られた窒化アルミニウム粉体に焼結助剤を分散させる工程S3と、焼結助剤が分散された窒化アルミニウム粉体を製品形状に成形し、焼成する工程S4とを有することにより、緻密化された窒化アルミニウム焼結体が生成される。 (もっと読む)


【課題】劈開性が低く、クラック(亀裂)伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径0.5μm以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに5GPa以上かつ1400℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 (もっと読む)


【課題】焼結添加剤を使用せずに、高い相対密度およびナノメートルのグレインサイズを有する炭化ケイ素部品を製造できるプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、平均グレインサイズがナノメートルであり、相対密度が97%を超える炭化ケイ素を含む部品の調製プロセスであって、このプロセスは:
−ナノメートルの炭化ケイ素粉末の冷間圧縮によるプレフォーム形成工程または粉末の造粒によるこうした粉末の粒塊形成工程;
−必要な相対密度および平均グレインサイズ、すなわち97%を超える相対密度およびナノメートルの平均グレインサイズを得るために、少なくとも1つの所定温度および圧力における、焼結添加剤を使用しない、該プレフォームまたは該粒塊の放電プラズマ焼結工程を含むプロセスに関する。
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【課題】新規のSiCセラミック材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は新規のSiCセラミック材料とその製造方法に関する。本発明の炭化硅素(SiC)材料は、炭化硅素(SiC)セラミック材料であって、セラミック材料が炭化硅素粒子及び1又は複数の酸化物結合相から成り、炭化硅素がセラミック材料の全重量に基づき少なくとも70重量%、好ましくは80重量%、より好ましくは80〜95重量%の範囲で存在し、炭化硅素粒子の粒度分布が、SiC細粒の少なくとも一部と非凝集SiC大粒の少なくとも一部を含む少なくとも二峰性であることを特徴とするセラミック材料二峰性である。 (もっと読む)


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