国際特許分類[C07C245/04]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 非環式化合物または炭素環式化合物 (64,036) | 少なくとも1個の窒素―窒素多重結合をもつ窒素原子鎖を含有する化合物 (69) | アゾ化合物,すなわち―N=N―基が異なった原子に結合している化合物,例.ジアゾヒドロキシド (50) | アゾ基の窒素原子が非環式炭素原子または6員芳香環以外の環の炭素原子に結合しているもの (3)
国際特許分類[C07C245/04]に分類される特許
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レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法
【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物(例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等)を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が1容量%以上、且つ温度が300℃以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。
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化合物、ラジカル重合開始剤、重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法
【課題】レジスト組成物、特に液浸露光用レジスト組成物用として有用な重合体、該重合体の製造に用いるラジカル重合開始剤として有用な化合物、該化合物からなるラジカル重合開始剤、該重合体を含有するレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に下記一般式(i−1)で表される基を有する重合体。下記一般式(I)で表される化合物。該化合物からなるラジカル重合開始剤。前記重合体を含有するレジスト組成物。式中、R1は置換基を有していてもよいアルキレン基である。R2は、当該式中の−O−R2を、アルカリ現像液の作用により解離する塩基解離性基とする有機基である。
[化1]
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抗腫瘍化合物及びその医薬組成物
インシリコ分子モデリングにより同定され、そしてこの化合物とカゼインキナーゼ2酵素の基質中のリン酸化ドメイン又はその環境との相互作用によりリン酸化事象の阻止を可能にする構造を持つ化合物。また、本発明は該化合物を含有する医薬組成物及び新生物に関係する疾患の治療のための医薬品の製造にそれを使用することを含む。 (もっと読む)
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